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一種通過原位沉積磷酸鈣對(duì)碳納米管進(jìn)行功能改性的方法，其步驟為：a、接枝反應(yīng)將聚乙二醇、淀粉、聚乙烯醇或馬來酸酐溶于二氯甲烷中，并加入偶聯(lián)劑構(gòu)成接枝反應(yīng)液；再將經(jīng)酸化預(yù)處理后的碳納米管粉末和催化量的酯化催化劑加入到接枝反應(yīng)液中，進(jìn)行酯化反應(yīng)；然后過濾、洗滌、干燥得已接枝小分子化合物或聚合物后的碳納米管；b、礦化反應(yīng) 再將a步接枝后的碳納米管置入成分與模擬體液相同，但離子濃度為模擬體液2-10倍的快速礦化液中，超聲分散后置于溫度為37℃的環(huán)境中，靜置1-7天。該種方法改性后的碳納米管的親水性以及生物相容性好，可用作醫(yī)用高分子復(fù)合材料的增強(qiáng)體或者藥物載體材料。

本發(fā)明公開了一種環(huán)氧樹脂－二氧化硅空心管復(fù)合材料及其制 備方法。所述環(huán)氧樹脂-二氧化硅空心管復(fù)合材料，包括二氧化硅空心 納米管和環(huán)氧樹脂，所述二氧化硅空心納米管分散于環(huán)氧樹脂中，其 添加量為環(huán)氧樹脂的 0.1～10wt.％。其制備方法包括以下步驟：(1)采 用溶膠-凝膠法制備二氧化硅空心納米管；(2)將步驟(1)制備的二氧化硅 空心納米管分散于環(huán)氧樹脂中，形成環(huán)氧樹脂-二氧化硅空心管均勻分 散體系；(3

本發(fā)明公開了應(yīng)用混合型噴嘴噴印制造有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的方 法，包括以下步驟：1)噴印 Gate 極；2)噴印介電層；3)成形導(dǎo)電單元： 混合型噴嘴噴出的液體在接收基板上沉積形成導(dǎo)電單元及覆在導(dǎo)電單 元上的油層；4)轉(zhuǎn)印；5)制造連接電極層；6)組合封裝。本發(fā)明工藝簡(jiǎn) 單，在混合型噴嘴制備完成的情況下，靜電紡絲工藝實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單，對(duì)環(huán) 境要求也較低；成本低，設(shè)備成本低，同時(shí)制造過程中均只需要一定 濃度的溶液，損耗少；精度、分辨率高，不需重復(fù)定位，而且靜電紡 絲所得纖維器件均在微納尺度，集成度完全滿足電路要求；

（專利號(hào)：ZL 201310543403.6） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明提供一種內(nèi)置鋼管高強(qiáng)混凝土芯柱的FRP管混凝土異形柱，屬于土木工程技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明制作方法為：（1）在鋼管內(nèi)部焊接加勁肋，然后在鋼管內(nèi)部澆筑高強(qiáng)混凝土，形成鋼管高強(qiáng)混凝土芯柱；（2）在鋼管高強(qiáng)混凝土芯柱外綁扎縱筋和箍筋；（3）在異形FRP管內(nèi)截面拐角處，設(shè)置橫向和斜向的FRP連接件；（4）在鋼管高強(qiáng)混凝土芯柱和異形FRP管內(nèi)澆筑混凝土，制成內(nèi)置鋼管高強(qiáng)混凝土芯柱的FRP管混凝土異

該研究提出了聚合物粘合劑的新型策略，通過合成一個(gè)柔性的共軛n型聚合物，使其能夠作為一種粘合劑粘合小分半導(dǎo)體的晶界，提升其機(jī)械性能，實(shí)現(xiàn)了柔性有機(jī)晶體管器件。這種聚合物能有效地抑制小分子和聚合物之間的相分離，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了晶粒間的粘合作用。

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用； ※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。 ???????

廣州市軌道交通花山車站周邊城市設(shè)計(jì)及車站綜合體設(shè)計(jì)：  廣州市軌道交通花山車站周邊城市設(shè)計(jì)及車站綜合體設(shè)計(jì)：   花山站綜合體東鄰106國(guó)道，西鄰規(guī)劃的龍口東路，整個(gè)綜合體地塊約為73850平米，南北走向的景觀河從地塊東部穿過。地塊中部規(guī)劃一條“L”型機(jī)動(dòng)車道把地塊分隔為兩塊，北部?jī)勺鶠樯虡I(yè)建筑地塊，由“L”型車道進(jìn)入兩側(cè)地塊，便于外來車輛進(jìn)入且不阻礙主干道交通。花山站綜合體建筑在地塊南部，通過空中連廊聯(lián)系地塊北部?jī)勺虡I(yè)建筑。 廣州市軌道交通天貴車站周邊城市設(shè)計(jì)及車站綜合體設(shè)計(jì)：   天貴路站綜合體東鄰鳳凰北路，西鄰規(guī)劃次干道，南鄰區(qū)域快速路平步大道，占地55047平方米。整個(gè)綜合體整體布置于地塊的東側(cè)，西側(cè)開放為城市綠地廣場(chǎng)。依托于南側(cè)天貴路城鐵站綜合開發(fā)，形成此區(qū)域內(nèi)的標(biāo)志性建筑物。綜合體裙房共四層，為大型商業(yè)，內(nèi)部設(shè)有中庭，一方面便于南方地區(qū)通風(fēng)采光，另一方面為顧客提供宜人的休閑空間。綜合體裙房之上為區(qū)域標(biāo)志性高層，共31層，130米高。 鄭州市軌道交通經(jīng)開站車站綜合體設(shè)計(jì)：   經(jīng)開站綜合體東鄰經(jīng)開十四大街，西鄰京廣高鐵，南鄰經(jīng)南十二路，占地27450平方米。整個(gè)綜合體整體布置于地塊的中部，綜合體東側(cè)為站前城市綠地廣場(chǎng)。依托于經(jīng)開站城鐵站綜合開發(fā)，形成此區(qū)域內(nèi)的標(biāo)志性建筑物。綜合體裙房之上為區(qū)域標(biāo)志性高層，建筑總高度為99.1米高。 北京市軌道交通園博園車站站前廣場(chǎng)設(shè)計(jì)：   園博園站位于梅市口路與京周公路交叉口的西側(cè)，主體位于梅市口路中綠化帶上空，道路以北的地塊內(nèi)設(shè)有進(jìn)出站大廳和設(shè)備管理用房，南側(cè)設(shè)進(jìn)出站樓扶梯，南北兩部分通過天橋與車站主體連接。 為方便車站與園博園的聯(lián)系，在車站東側(cè)跨京周公路設(shè)天橋，連接北側(cè)站廳二層和園博園。 主體建筑面積為3530m2，北側(cè)站房總面積為5100 m2，，車站主體與北側(cè)站房的聯(lián)系天橋以及南側(cè)天橋和出入口面積為1280 m2，總建筑面積為9910m2。

本發(fā)明公開了一種可實(shí)現(xiàn)純紫外發(fā)光的ＺｎＯ基異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管的制備方法，包括如下步驟：在藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)ｎ?ＺｎＯ納米線；采用磁控濺射法在ｐ?ＧａＮ上濺射一層ＡｌＮ薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ｎ?ＺｎＯ和ｐ型ＧａＮ一端制備具有歐姆接觸的金屬電極；將ＡｌＮ薄膜／ｐ?ＧａＮ緊扣在ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列上面形成異質(zhì)結(jié)，構(gòu)成完整的器件。本發(fā)明在藍(lán)寶石上直接生長(zhǎng)ＺｎＯ納米棒陣列，提高ＺｎＯ結(jié)晶度，提高電學(xué)性能，有效消除晶體質(zhì)量差的問題；引入ＡｌＮ隔離層，有效較少了結(jié)區(qū)的剩余電子，增加ＺｎＯ區(qū)載流子復(fù)合效率，實(shí)現(xiàn)純ＺｎＯ紫外發(fā)光；ｎ?ＺｎＯ納米棒陣列／ＡｌＮ／ｐ?ＧａＮ異質(zhì)結(jié)發(fā)光二極管，發(fā)光位置在３８５ｎｍ左右，半峰寬為１４．５ｎｍ。