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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
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一種基于SOI封裝的六軸微慣性器件及其加工方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于SOI封裝的六軸微慣性器件，包括單片集成的六軸微慣性器件、玻璃襯底、金屬電極、金屬引線、SOI蓋帽和SOI密封墻；六軸微慣性器件通過(guò)陽(yáng)極鍵合工藝鍵合在玻璃襯底上；金屬電極為一個(gè)以上，均勻設(shè)置在玻璃襯底一側(cè)，金屬電極通過(guò)金屬引線與六軸微慣性器件相接，SOI蓋帽設(shè)在玻璃襯底正上方，SOI密封腔設(shè)在SOI蓋帽和SOI密封墻之間，形成空腔結(jié)構(gòu)；每個(gè)金屬電極正上方的SOI蓋帽上設(shè)有梯形電極孔，梯形電極孔正下方的SOI密封墻上設(shè)有垂直貫通；梯形電極孔、垂直貫通與金屬電極一一對(duì)應(yīng)。本發(fā)明具有全解耦、質(zhì)量小、結(jié)構(gòu)精巧、成本低和便于批量生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)，在單個(gè)器件內(nèi)同時(shí)實(shí)現(xiàn)了對(duì)三軸的加速度和角速度的檢測(cè)，應(yīng)用范圍廣，有著良好的市場(chǎng)前景。
東南大學(xué)
2021-04-11
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一種用于片式元器件編帶封裝的雙路同步熱壓裝置
本發(fā)明屬于電子元器件的封裝設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，并公開(kāi)了一種用 于片式元器件編帶封裝的雙路同步熱壓裝置，包括水平工作臺(tái)、熱壓 機(jī)構(gòu)、驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)和調(diào)距機(jī)構(gòu)等，其中熱壓機(jī)構(gòu)被設(shè)計(jì)為雙路結(jié)構(gòu)，并 用于實(shí)現(xiàn)料帶的封合，保證壓力的一致性，進(jìn)而完成料帶的良好熱封； 驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)用于驅(qū)動(dòng)熱壓機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn)垂直方向的上下運(yùn)動(dòng)；調(diào)距機(jī)構(gòu)用于 調(diào)節(jié)工作臺(tái)兩側(cè)的間距以及兩側(cè)壓頭的間距，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)適應(yīng)不同寬度 的料帶的熱封。通過(guò)本發(fā)明，能實(shí)現(xiàn)單側(cè)壓頭的溫度均勻分布，兩側(cè) 壓頭溫度和壓力的一致性以及不同寬度的料帶的良好熱封，同時(shí)具備 結(jié)構(gòu)緊湊，便
華中科技大學(xué)
2021-01-12
基于平板顯示ＴＦＴ基板的大面積紅外探測(cè)器件及其驅(qū)動(dòng)方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于平板顯示ＴＦＴ基板的大面積紅外探測(cè)器件及其驅(qū)動(dòng)方法，采用薄膜晶體管基板，并采用化學(xué)溶液法制備ＰｂＳ或者Ｇｅ半導(dǎo)體量子點(diǎn)，作為光電轉(zhuǎn)換材料；其次，在ＴＦＴ基板上方采用低溫旋涂、噴墨打印或者轉(zhuǎn)印等方法，沉積可傳感紅外信號(hào)的ＰｂＳ或者Ｇｅ量子點(diǎn)層；在量子點(diǎn)光電轉(zhuǎn)換層上利用濺射方法制備對(duì)紅外吸收較少的公共導(dǎo)電層；薄膜晶體管背板的像素源電極、量子點(diǎn)光電轉(zhuǎn)換層，以及透明電極構(gòu)成紅外光敏電阻結(jié)構(gòu)，該光敏電阻吸收紅外信號(hào)后，產(chǎn)生光生載流子，從而改變電阻的阻值。本發(fā)明提出的紅外探測(cè)器件成像面積大，
東南大學(xué)
2021-04-14
州大學(xué).jpg){kind=logo}
有機(jī)光電器件中的薄膜電導(dǎo)率提高機(jī)理技術(shù)研究
本成果通過(guò)有機(jī)光電器件中有機(jī)薄膜的缺陷態(tài)來(lái)揭示： 1. 有機(jī)半導(dǎo)體薄膜中的缺陷起源； 2. 界面能級(jí)排布或者出現(xiàn)的界面能級(jí)釘扎的機(jī)理； 3. 缺陷態(tài)的存在對(duì)器件中載流子傳輸?shù)挠绊懀?4. 使用有效的有機(jī)、無(wú)機(jī)材料摻雜來(lái)極大的提高有機(jī)半導(dǎo)體薄膜的電導(dǎo)率。從而獲得以有效、簡(jiǎn)單的使用方法來(lái)提高有機(jī)光電器件的性能。
揚(yáng)州大學(xué)
2021-04-14
一種基于納米壓電纖維的柔性能量捕獲器件及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于納米壓電纖維的柔性能量捕獲器件及其制備方法。所述器件自下而上依次包括：柔性基材、電極層、壓電纖維層、保護(hù)層；所述柔性基材為柔性絕緣塑料薄膜；所述壓電纖維層為 PVDF 纖維。通過(guò)采用柔性基材，采用照相制版工藝制備梳狀電極，并選擇合適的靜電紡絲參數(shù)沉積 PVDF 壓電纖維，無(wú)需再對(duì)壓電纖維進(jìn)行極化，使纖維整齊排列、減小纖維缺陷，能夠簡(jiǎn)化納米壓電纖維能量捕獲器件制備工藝，提高能量轉(zhuǎn)換效率，尤其是對(duì)彎曲運(yùn)動(dòng)機(jī)械能的捕獲效果。
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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東北師范大學(xué)在憶阻材料與器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
憶阻器具有運(yùn)行功耗低、讀寫(xiě)速度快、集成密度高等優(yōu)勢(shì)，在信息存儲(chǔ)、邏輯運(yùn)算、類腦計(jì)算等領(lǐng)域有重要應(yīng)用，被視為推進(jìn)信息技術(shù)發(fā)展的一種變革性技術(shù)。
東北師范大學(xué)
2022-06-08
一種可調(diào)控的空間電磁感應(yīng)透明超材料器件
本發(fā)明公開(kāi)了一種可調(diào)控的空間電磁感應(yīng)透明超材料器件。該 器件包括基板和位于基板上的能產(chǎn)生電磁感應(yīng)透明現(xiàn)象的金屬單元陣 列；所述金屬單元陣列包括多個(gè)陣列分布的金屬單元，所述金屬單元 包括第一金屬微結(jié)構(gòu)和第二金屬微結(jié)構(gòu)，所述第一金屬微結(jié)構(gòu)包括第 一金屬圖形，所述第二金屬微結(jié)構(gòu)包括第二金屬圖形，所述第一金屬 微結(jié)構(gòu)和/或所述第二金屬微結(jié)構(gòu)還包括半導(dǎo)體元件。本發(fā)明能有效解 決現(xiàn)有技術(shù)中不能簡(jiǎn)單快速地對(duì)電磁感應(yīng)透明超材料的工作
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于同質(zhì)器件架構(gòu)的感算存一體化神經(jīng)形態(tài)硬件
該成果創(chuàng)新性地基于二維半導(dǎo)體的硅基同質(zhì)器件，首次提出了類腦功能的“傳感-計(jì)算-存儲(chǔ)一體化”神經(jīng)形態(tài)芯片架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了光電傳感、放大運(yùn)算、信息存儲(chǔ)功能的一體化集成，為突破馮·諾依曼瓶頸和實(shí)現(xiàn)類腦智能提供了一種全新思路。
繆向水教授團(tuán)隊(duì)，長(zhǎng)期從事相變存儲(chǔ)器芯片、存算一體憶阻器芯片技術(shù)研究。2018年出版了國(guó)內(nèi)第一本憶阻器專著《憶阻器導(dǎo)論》，2019年團(tuán)隊(duì)93項(xiàng)三維相變存儲(chǔ)器芯片專利許可給芯片公司并合作開(kāi)發(fā)產(chǎn)品，并與行業(yè)龍頭企業(yè)合作建立了聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，推動(dòng)存儲(chǔ)器芯片技術(shù)的成果轉(zhuǎn)化以及未來(lái)引領(lǐng)技術(shù)的探索。曾榮獲國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)2項(xiàng)、湖北省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)1項(xiàng)。
同質(zhì)晶體管-存儲(chǔ)器架構(gòu)的原理及器件結(jié)構(gòu)
繆向水團(tuán)隊(duì)長(zhǎng)期從事相變存儲(chǔ)器芯片、存算一體憶阻器芯片技術(shù)研究。2018年出版了國(guó)內(nèi)第一本憶阻器專著《憶阻器導(dǎo)論》，2019年團(tuán)隊(duì)93項(xiàng)三維相變存儲(chǔ)器芯片專利許可給芯片公司并合作開(kāi)發(fā)產(chǎn)品，并與行業(yè)龍頭企業(yè)合作建立了聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，推動(dòng)存儲(chǔ)器芯片技術(shù)的成果轉(zhuǎn)化以及未來(lái)引領(lǐng)技術(shù)的探索。曾榮獲國(guó)家科技進(jìn)步獎(jiǎng)2項(xiàng)、湖北省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)1項(xiàng)。
華中科技大學(xué)
2022-08-12
旦大學(xué).jpg){kind=logo}
一種水平極化翻轉(zhuǎn)的鐵電憶阻器件及其制備方法
本發(fā)明公開(kāi)一種水平極化翻轉(zhuǎn)的鐵電憶阻器件及其制備方法。該水平極化翻轉(zhuǎn)的鐵電憶阻器件包括柔性襯底；二維鐵電功能層，形成在所述柔性襯底上；第一平面電極和第二平面電極，形成在所述二維鐵電功能層兩側(cè)；將所述第二平面電極接地，當(dāng)未在所述第一平面電極施加電壓時(shí)，二維鐵電功能層中極化方向無(wú)序，器件處于常態(tài)；當(dāng)在所述第一平面電極施加正電壓時(shí)，所述二維鐵電功能層中的電疇發(fā)生水平極化翻轉(zhuǎn)，極化方向由第一平面電極端朝向第二平面電極端，器件轉(zhuǎn)變?yōu)榈妥钁B(tài)；當(dāng)在所述第一平面電極施加負(fù)電壓時(shí)，鐵電層中的電疇發(fā)生水平極化翻轉(zhuǎn)，極化方向由第二平面電極端朝向第一平面電極端，器件轉(zhuǎn)變?yōu)楦咦钁B(tài)。
復(fù)旦大學(xué)
2021-01-12
基于二維材料的超短溝道非易失閃存器件及其制備方法
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種基于二維材料的超短溝道非易失閃存器件及其制備方法。本發(fā)明通過(guò)原子級(jí)薄層溝道和柵疊層設(shè)計(jì)降低特征長(zhǎng)度，從而促進(jìn)器件尺寸微縮；該器件通過(guò)能帶設(shè)計(jì)和范德華堆疊高質(zhì)量界面降低隧穿勢(shì)壘，實(shí)現(xiàn)十納秒級(jí)編程/擦除速度和非易失特性；器件的短溝道通過(guò)垂直沉積和傾斜沉積兩步法工藝實(shí)現(xiàn)，且溝道長(zhǎng)度能夠通過(guò)改變電極厚度和沉積角度來(lái)調(diào)控。本發(fā)明能在不使用先進(jìn)光刻技術(shù)前提下，實(shí)現(xiàn)亞10nm溝道長(zhǎng)度，突破硅基閃存器件的溝道長(zhǎng)度微縮瓶頸，為新型高速非易失存儲(chǔ)器的高密度集成提供新解決方案。
復(fù)旦大學(xué)
2021-01-12