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TDA（芯片熱設計自動化）軟件是清華航院曹炳陽教授團隊全自主研發的國際首個芯片跨尺度熱仿真與設計系統。TDA軟件可實現芯片從納米至宏觀尺寸的熱設計與仿真，支持芯片微納結構內部熱輸運過程的模擬研究，直接提高芯片熱仿真精度與結溫預測準確度，進而提高芯片性能、壽命和可靠性。

本實用新型提供了一種具有翻轉芯片功能的芯片吸取裝置，包括 Z 向高度調節與支撐機構、翻轉驅動機構、芯片吸取機構，Z 向高度調節與支撐機構將芯片吸取機構移動到適宜高度，翻轉驅動機構驅動芯片吸取機構旋轉，芯片吸取機構包括直線導向運動部件和芯片吸取元件，直線導向運動部件內設有直線軸承和彈簧，直線導向軸從上往下穿過直線軸承和彈簧，其端部連接芯片吸取元件，由于彈簧的緩沖作用，芯片吸取元件將芯片吸住后跟隨芯片上升一定的高度，再在翻轉驅動機構的作用下旋轉到達芯片供給位置。本實用新型一方面避免了非接觸式吸取的不可靠

產品詳細介紹該儀器已獲國家專利，專利號201120337217.3 。  產品介紹:     DSC測量的是與材料內部熱轉變相關的溫度、熱流的關系，應用范圍非常廣，特別是材料的研發、性能檢測與質量控制。材料的特性：如玻璃化轉變溫度。冷結晶、相轉變、熔融、結晶、熱穩定性、固化/交聯，都是DSC的研發領域。  主要特點:1.全新的爐體結構，更好的解析度和分辨率以及更好的基線穩定性 2.氣體質量流量計，精確控制吹掃氣體流量，數據直接記錄在數據庫中 3.儀器可采用雙向控制（主機控制、軟件控制），界面友好，操作簡便卞舒芹15312021471技術參數:1. DSC量程:  0～±500mW2. 溫度范圍: -100~800℃      3. 升溫速率: 1~80℃/min4. 溫度分辨率: 0.1℃5. 溫度波動: ±0.1℃6. 溫度重復性: ±0.1℃7. DSC噪聲: 0.01μW8. DSC解析度: 0.01μW9. DSC精確度: 0.1μW10.DSC靈敏度: 0.1μW11.控溫方式: 全程序自動控制12.曲線掃描: 升溫掃描13.氣氛控制: 儀器自動切換14.顯示方式: 24bit色，7寸 LCD觸摸屏顯示15.數據接口: 標準USB接口16.參數標準: 配有標準物質，帶有一鍵校準功能，用戶可自行校正溫度和熱焓17.外觀尺寸：500*393*154mm(長寬高）

產品詳細介紹儀器已獲國家專利，專利號201120337217.3。  產品介紹:       DSC測量的是與材料內部熱轉變相關的溫度、熱流的關系，應用范圍非常廣，特別是材料的研發、性能檢測與質量控制。材料的特性：如玻璃化轉變溫度。冷結晶、相轉變、熔融、結晶、熱穩定性、固化/交聯、氧化誘導期等，都是DSC的研發領域。  主要特點: 1.全新的爐體結構，更好的解析度和分辨率以及更好的基線穩定性 2.數字式氣體質量流量計，精確控制吹掃氣體流量，數據直接記錄在數據庫中 3.儀器可采用雙向控制（主機控制、軟件控制），界面友好，操作簡便卞舒芹15312021471技術參數:1. DSC量程:   0～±500mW2. 溫度范圍:  室溫~800℃    風冷3. 升溫速率:  1~80℃/min4. 溫度分辨率:0.1℃5. 溫度波動:  ±0.1℃6. 溫度重復性:±0.1℃7. DSC噪聲:   0.01μW8. DSC解析度: 0.01μW9. DSC精確度: 0.1μW10.DSC靈敏度: 0.1μW11.控溫方式:  升溫、恒溫（全程序自動控制）12.曲線掃描:  升溫掃描13.氣氛控制:  儀器自動切換14.顯示方式:  24bit色，7寸 LCD觸摸屏顯示15.數據接口:  標準USB接口16.參數標準:  配有標準物質（錫），用戶可自行校正溫度和熱焓17.外觀尺寸：500*393*154mm（長寬高）

差示掃描量熱法（熱流式DSC）作為一種可控程序溫度下的熱效應的經典熱分析方法，在當今各類材料與化學領域的研究開發、工藝優化、質檢質控與失效分析等各種場合早已得到了廣泛的應用。利用DSC方法，我們能夠研究無機材料的相轉變、高分子材料熔融、結晶過程、藥物的多晶型現象、油脂等食品的固/液相比例等。自主研發的恒溫控制器，恒溫氣相色譜、質譜連接頭，恒溫帶，可充分保證焦油及各種反應氣體的二次檢測。溫度范圍：室溫～1150℃。最小分辨率：±0.1μ w。測量范圍：±500mw

        技術成熟度：技術突破         研發團隊以設計制備寬光譜超材料吸收器和像元級集成紅外探測器為研究主線，在超薄寬帶高吸收原理與策略、材料/器件設計與制備方面取得了突破性進展。圍繞器件吸收率低、噪聲等效溫差（NETD）大、集成兼容性差的難題，提出了無損與損耗型介質結合、多模諧振耦合光吸收的思路，獲得超薄寬帶高吸收率材料；提出將超薄寬帶高吸收率材料與非制冷紅外探測器像元級集成新思路，獲得了寬譜、NETD小、多色探測的非制冷紅外探測器，NETD降低3倍，研究成果已在中國兵器北方夜視廣微科技應用轉化。         意向開展成果轉化的前提條件：中試放大及產業化工藝開發資金支持

本發明公開了一種基于 GPU 的多波前潮流計算方法，該方法包 括：1)波前矩陣鏈異步并發執行；2)CPU-GPU 間任務的分配；3)GPU 上矩陣乘法、減法算法的優化。波前矩陣鏈采用異步并發執行的模式 處理，GPU 的資源得到了充分的利用；根據矩陣的大小決定采用 CPU 還是 GPU 處理，使得單個矩陣的處理時間最少，結合波前矩陣鏈的異 步并發執行，能盡可能的減少 CPU、GPU 的空閑等待時間；在 GPU 上對矩陣

光收發芯片是光收發模塊中的集成電路，并不包括激光芯片，是指光纖寬帶網絡物理層的主要基礎芯片，包括跨阻放大器、限幅放大器、激光驅動器三種。它們被用于光纖傳輸的前端，來實現高速傳輸信號的光電、電光轉換，這些功能被集成在光纖收發模塊中。

圍繞自主通用處理器，研發操作系統及其之上的核心 API 軟件，支撐國家信息化建設，并致力于構建區別于 Wintel 和 AA 之外的世界第三套信息化生態體系 。

產品詳細介紹 　　概述： 　　1.0625Gbps至4.25Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅動器高速光收發芯片(EP110) 　　EP110為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅動器，設計用于數據傳輸速率高達8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統以及10.3125Gbps數據傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅動器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環路(APC)控制，該控制環路通過連接至VCSEL驅動器的3線數字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設計提供最佳的背板短接。EP110集成一個微處理器，可以實現SFF8472協議的數字監控接口要求，可通過固件實現高級Rx設置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性)和Tx設置(調制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點調制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP110采用無鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至10.32Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅動器高速光收發芯片(EP112) 　　EP112為高度集成的限幅放大器和VCSEL驅動器，設計用于數據傳輸速率高達8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纖通道傳輸系統以及10.3125Gbps數據傳輸速率的10GBASE-SR傳輸系統。器件采用+3.3V單電源供電，這款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅動器和微控制器三合一的高集成單芯片。平均光功率由平均功率控制環路(APC)控制，該控制環路通過連接至VCSEL驅動器的3線數字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設計提供最佳的背板短接。EP112集成一個微處理器，可以實現SFF8472協議的數字監控接口要求，可通過固件實現高級Rx設置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性)和Tx設置(調制電流、偏置電流、極性、眼圖交叉點調制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP112采用無鉛、5mm*5mm、40引腳QFN封裝。 　　1.0625Gbps至14Gbps單芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅 　　放大器和VCSEL驅動器高速光收發芯片(EP116) 　　EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驅動器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收發芯片,工作在高達14Gbps的數據速率、非常適合以太網和光纖通道應用。在EP116的發射和接收路徑上集成了CDR功能，解決了大多數高速系統存在的信號失真問題。平均光功率由平均功率控制環路(APC)控制，該控制環路通過連接至VCSEL驅動器的3線數字接口控制、所有差分I/O為50歐姆傳輸線PCB設計提供最佳的背板短接。EP116集成一個微處理器，可以實現SFF8472協議的數字監控接口要求，可通過固件實現高級Rx設置(模式選擇、LOS門限、LOS極性、CML輸出電平、信號通道極性、去加重)和Tx設置(調制電流、偏置電流、極性、可編程去加重、眼圖交叉點調制)，無需外部微處理器和外部元件。 　　EP116采用無鉛、6mm*6mm、48引腳QFN封裝。 　　特點： 　　3.3供電時，功耗僅為500mW 　　工作速率高達10.32Gbps 　　10.32Gbps下，具有5mVp-p接收靈敏度 　　Rx和Tx極性選擇 　　可調節觸發LOS報警電平 　　LOS極性選擇 　　能夠向100歐姆差分負載提供高達12mA的調制電流 　　偏置電流高達19mA 　　Rx輸出可選擇去加重 　　支持SPI EEPROM和IIC EEPROM 　　可調節調制輸出的眼圖交叉點 　　工作溫度: -40度 到 90度