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本實(shí)用新型涉及電子技術(shù)，具體涉及一種基于 FPGA 以電阻應(yīng)變片為稱重傳感器的簡(jiǎn)易電子秤，包 括機(jī)械結(jié)構(gòu)和電路部分；電路部分包括線性電源和基準(zhǔn)電壓模塊；機(jī)械結(jié)構(gòu)包括支架、懸臂梁和秤盤， 懸臂梁一端固定在支架上，秤盤懸掛于懸臂梁另一端；電路部分還包括電阻應(yīng)變傳感器、信號(hào)放大模塊、 低通濾波器、A/D 轉(zhuǎn)換器、FPGA 及鍵盤控制模塊和 LCD 顯示模塊；電阻應(yīng)變傳感器與信號(hào)放大模塊、 低通濾波器、A/D 轉(zhuǎn)換器、FPGA 依次相連，鍵盤控制模塊、

采用核技術(shù)方法，利用高能離子束輻照，對(duì)PtPb/Pt二維納米片進(jìn)行了原子尺度結(jié)構(gòu)調(diào)控和修飾，極大地提高了納米片的催化活性。在線輻照和原位透射電子顯微鏡（TEM）結(jié)果表明：通過入射高能離子與納米片中靶原子相互作用，精確地控制納米片微觀結(jié)構(gòu)的變化，利用鍵長(zhǎng)變化和電子軌道雜化等機(jī)制來修飾表面原子的電子結(jié)構(gòu)，從而增加催化反應(yīng)活性位點(diǎn)，增強(qiáng)催化性能。同時(shí)，通過調(diào)節(jié)入射離子的劑量大小，可以有效地控制缺陷產(chǎn)生的數(shù)量及演化，得到具有不同催化活性的PtPb/Pt二維納米片材料。

本發(fā)明涉及納米材料、催化及分析化學(xué)領(lǐng)域，具體包括一種基于多肽作生物模板合成二氧化錳納米片的制備方法及其在催化及分析化學(xué)方面的應(yīng)用。該方法利用多肽的納米結(jié)構(gòu)特征及其官能團(tuán)的性質(zhì)，將多肽與二價(jià)錳離子混合，加入氫氧化鈉后常溫反應(yīng)以使二氧化錳納米片在多肽的穩(wěn)定下生成。該材料具有仿酶催化特性，使其在分析化學(xué)、環(huán)境工程和催化領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。該方法以生物材料為模板，制備工藝簡(jiǎn)單，反應(yīng)條件溫和環(huán)保，納米結(jié)構(gòu)易控。

本發(fā)明屬于銑削加工相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，其公開了一種五軸加工軌 跡中刀具圓環(huán)體向三角片的邊投影的算法，其包括以下步驟:(1)判斷 刀具圓環(huán)體向三角片的邊投影的特殊情況，若存在特殊情況，則轉(zhuǎn)至 步驟(5)，否則轉(zhuǎn)至步驟(2);(2)根據(jù)第一幾何約束條件來確定初始迭代 角度;(3)基于第二幾何約束條件及第三幾何約束條件來計(jì)算及離散初 始迭代角度區(qū)域，以確定較優(yōu)初始迭代角度;(4)基于第二幾何約束條 件及第三幾何約束條件，采用割線法搜索最優(yōu)角度，若成功則轉(zhuǎn)至步 驟(5)，否則結(jié)束;(5)依據(jù)搜索到的所述最優(yōu)角度計(jì)

       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用； ※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。 ???????

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李朝暉教授、張斌副教授團(tuán)隊(duì)自主開發(fā)了GeSbS硫系玻璃的片上集成光子平臺(tái)，該平臺(tái)具有低損耗、高光學(xué)非線性和高拉曼增益、可實(shí)現(xiàn)靈活的色散調(diào)控、硅基片上集成等特點(diǎn)，非常適合于實(shí)現(xiàn)可調(diào)諧的片上拉曼激光器。