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產品概述： 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 磁光克爾效應測量系統 磁光克爾效應裝置是一種基于磁光效應原理設計的超高靈敏度磁強計，是研究磁性薄膜、磁性微結構的理想測量工具。旋轉磁光克爾效應（RotMOKE）是在磁光克爾效應測量基礎上的一種類似于轉矩測量各向異性的實驗方法，可以定量的得到樣品的磁各向異性的值。但由于電磁鐵磁場大小的限制，只適合于測量磁各向異性的易軸在膜面內而且矯頑場不太大的磁性薄膜材料。結合源表可以進行樣品的磁輸運性能測量。RotMOKE具有以下特點：測量精度高、測量時間短；非接觸式測量，是一種無損測量；測量范圍為一個點，可以測量同一樣品不同部位的磁化情況；可以產生平滑、穩定的受控磁場，并且磁場平滑過零。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 應用領域： 磁光克爾效應測量系統廣泛應用于諸如磁性納米技術、自旋電子學、磁性薄膜、磁性隨機存儲器、GMR/TMR等磁學領域。 可測試材料：記錄磁頭，磁性薄膜，特殊磁介質，磁場傳感器 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 產品特點： 1·測量靈敏度高，穩定性好，噪音低 2·非接觸式測量，是一種無損測量 3·可以測量同一樣品厚度不等的楔形磁性薄膜 4·可以將樣品放到真空中原位測量 5·可以測量同一樣品不同部位的磁化情況 6·縱向、橫向和極向克爾效應測試 7·三百六十度電動旋轉樣品，可測試樣品各向異性 8·手動左右和上下位移樣品，可測試樣品表面不同點的克爾效應 9·樣品座有電接口，可加入磁電耦合測試。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 技術指標: 1· 樣品尺寸：大Φ10mm的圓 2· 克爾角分辨率（δ）：0.001度； 3·橢偏率分辨率（ε）：0.1%； 4·小光斑（Φ）：10微米； 5· 大磁場：單維0.26特斯拉； 6· 樣品電動角度步進0.1度，手動位移步進10微米； 7·噪音：1%。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 技術參數： 1·光學平臺：    剛性隔震，不銹鋼貼面，1200*800*800mm，M6螺孔，25mm陣距，150mm臺板厚度，帶腳輪。臺面平整度0.1/1000mm，平臺載荷300Kg，固有頻率≤2.5Hz，阻尼比0.12~0.13R/S。 2·矢量電磁鐵： 錦正茂二維矢量電磁鐵，每維大磁場0.26T，極面直徑30mm，磁場間隙40mm，中心10mm正方體內均勻區1%。 3·電磁鐵電源： 錦正茂單相雙極性恒流，大10A，小分辨率0.1mA，穩定性50ppm/h，對應小分辨率0.1Gauss。 4·激光器： Newport    632.8nm，2mW，2%穩定度，噪音<1% rms（30Hz~10MHz），通過聚焦透鏡光斑小為10μm的圓。 5·起偏/檢偏器：格蘭-湯普森棱鏡，外徑25.4mm，通光孔徑10mm，消光比<5*10^-5，角度范圍14~16°，波長范圍350~2300nm。 6·聚焦透鏡：K9雙凸，設計波長633nm，外徑25.4mm，焦距150mm，焦距誤差±0.5%，面精度X方向λ/4，Y方向λ/2。 7·四分之一波片：Ø25.4mm，波長632.8nm，投射波前畸變λ/8，相位延遲精度λ/100。 8·光電傳感器：15mm²感應面積，0.21A/W響應度，暗電流1nA，對430~900nm波長光敏感，分流電阻200Mohm。 9·電流放大器：1pA/V大增益，1MHz帶寬，大輸入±5mA，大輸出±5V，增益精度為輸出的±0.05% 10·高精度電壓表：六位半，小分辨率0.1μV，90天準確度達到0.002%，四位半精度下快2000 readings/second 11·手動位移和電動旋轉樣品桿：   XYZ三維位移，XY行程25mm，Z行程13mm，轉動360度，樣品座為直徑11mm的圓，上有電接頭。 12·計算機：聯想商用，集成多串口卡。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！

北京錦正茂科技有限公司提供的多維磁場探針臺，采用無磁材料制成，采用亥姆霍茲線圈正交放置，產生空間多維磁場。線圈可采用自然冷卻（磁場較小）或水冷結構（磁場較大），標配線圈過熱保護裝置。配合高精度雙極性直流電源可長時間穩定工作。通過軟件或者電源控制面板控制每一維輸出電流，可以產生空間任意方向的矢量磁場。探針臺配備有可移動樣品臺，可以實現水平方向二維移動和360度轉動，便于樣品的安裝和測試。探針臺具有四個高精度探針臂，同時配有高精度電子顯微鏡，便于微小樣品的觀察操作。探針可通過直流或者低頻交流信號，用來測試芯片、晶圓片、封裝器件等。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 應用范圍： 錦正茂三維磁場探針臺 廣泛應用于半導體工業、MEMS 、超導、電子學、鐵電子學、物理學、材料學和生物醫學等領域。三維探針臺和錦正茂自主研發的高精度雙極性電源相匹配，通過真正的雙極性電源輸出，實現了空間任意方向上的矢量場合成。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 可選附件： þ 各類DC探針、高頻探針、主動式探針、電纜線 þ CCD或C-MOS視頻成像裝裝置 þ Chuck運動裝置 þ 電磁鐵系統/超導磁鐵系統 þ 1Mpa正壓系統升級 þ 超高溫升級選件 þ 超高真空升級選件 þ 各類探針夾具 þ 屏蔽箱 þ 防振桌 þ 轉接頭       þ 靜音真空泵 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！

  本電源為高穩定度的雙極性恒流電源，廣泛應用于電磁鐵、亥姆霍茲線圈等感性負載的勵磁。電源采用線性電源結構，輸出電流穩定度高，紋波和噪聲低。電源輸出電流可在正負額定電流*值之間連續變化，電流平滑連續過零，可使電磁鐵或線圈產生平滑、穩定的磁場。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 配合本公司的高精度高斯計和探頭（選件），電源可工作于磁場模式。在磁場模式下，可直接設定磁場值，電源會調節輸出電流使電磁鐵快速達到設定磁場，方便快捷，磁場穩定。可隨意單獨控場，也可連續掃描磁場。電流模式和磁場模式可根據需要隨時切換，操作靈活。 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！ 您也可以在淘寶網首頁搜索“錦正茂科技”，就能看到我們的企業店鋪，聯系更加方便快速！    

產品詳細介紹產品簡介：　　MicroMR系列5MHz核磁巖心分析儀是經典的巖心分析設備，主要用于常規巖心的孔滲飽測試，該產品專為不同特性巖樣的檢測需求而精心研制，為石油巖心測試領域提供最專業最匹配的分析解決方案。　　5MHz核磁共振巖心分析儀，可滿足石油勘探領域的孔隙度、滲透率、飽和度、可動流體飽和度、束縛流體飽和度等相關分析測試，測量結果客觀真實、精準度高、重復性好，儀器性能穩定，性價比高。技術指標：1、磁體類型：永磁體；2、磁場強度：0.12±0.02T，儀器主頻率：5MHz；3、探頭線圈直徑：25.4mm；應用解決方案：標準巖心孔隙結構及流體飽和度；；應用案例一：玻璃珠孔隙模型測試（不同飽和度下T2弛豫圖譜分析）應用案例二：核磁共振T2圖譜與巖樣孔喉分布注：儀器外觀如有變動，以產品技術資料為準。

由上海復旦天欣科教儀器有限公司研制生產的磁光克爾與法拉第效應綜合測試系統將兩種研究磁光效應的實驗結合于同一套測試系統中。在表面磁光克爾效應的研究中，應用該系統可以自動改變電磁鐵電流大小及方向，并實時采集記錄偏振光信號與磁場強度信號的改變，從而獲得薄膜樣品矯頑力、磁各異性等方面的信息；在法拉第效應的實驗中加入了控溫裝置，可在不同溫度下利用正交消光法檢測樣品的的費爾德常數。 應用該實驗儀主要完成以下實驗： 1．磁光克爾效應實驗：測量薄膜或者塊狀拋光鐵磁性樣品的克爾旋轉角，分析其磁學性質； 2．常溫法拉第效應實驗：測量不同材料的常溫費爾德常數； 3．變溫法拉第效應實驗：測量不同溫度情況下材料的菲爾德常數，分析溫度對材料磁滯旋光的影響； 4．法拉第效應譜線測量：測量不同光譜照射情況下材料的菲爾德常數（選用不同波長的激光器）。

簡介 在外加磁場的作用下，物質的光學性質會發生改變，這就是磁光效應。磁光效應主要包含磁光克爾效應、法拉第磁致旋光效應、科頓 - 穆頓磁致雙折射效應。本實驗系統利用一套可以進行自由組合的實驗裝置，通過搭建不同的測量光路來實現對這三種完全不同的磁光效應 的測量。具體實驗內容為：測量鎳薄膜的磁光克爾旋轉角、測量蒸餾水的法拉第旋光系數、測量磁流體的磁致雙折射（科頓 - 穆頓效應） 的 o 光與 e 光的折射率差，其中前兩部分作為基礎性實驗內容開展面上實驗，第三部分作為研究性實驗內容可供在現有實驗基礎上開展研 究性實驗。

利用修飾有線粒體靶向肽的氧化鐵磁納米粒子與修飾有β-環糊精的透明質酸構筑了一種超分子納米纖維。該超分子納米纖維可以經由光照或磁場（甚至包括很弱的地磁場）調控其形貌轉換。無論是體內還是體外條件下，由于透明質酸受體在腫瘤細胞表面過表達，該超分子納米纖維可以高效靶向腫瘤細胞，并且經過地磁場的導向聚集，誘導腫瘤細胞線粒體功能障礙和細胞間聚集，從而特異性抑制體內腫瘤細胞的侵襲和遷移。該超分子納米纖維可以作為一種方便的工具，不僅可以加深對動態或刺激響應性生物事件的理解，而且可以促進用于腫瘤治療的生物材料的設計和發展。

項目概況 針對小型化、集成化、高頻率和高運算速度的電子器件，應用磁流體的熱磁對流效應，把磁流體作為新一代高效傳熱冷卻技術用于高密度高功率電子器件設備中。 主要特點 1. 選擇合適的外加磁場和屏蔽技術。 2．溫度區內磁場梯度條件和粒子濃度的準確控制 3．磁流體微型熱管散熱過程的磁場的準確定位。 技術指標     建立適合電子器件密集環境下適用磁流體散熱技術及相應的磁場條件和屏蔽技術，提高了磁流體在磁場、熱場和重力場協同作用下的流動傳熱效果。促進節能環保技術的發展，達到節能減排的綠色材料應用。市場前景 目前該項目已通過現場的工業化證明，散熱效果好，能達到電子器件冷卻要求，滿足工業生產的需求，在生產過程中無污染，無三廢排放。該項目可應用于高密度、高功率電子器件密集環境下的散熱設備中，具有較好的經濟效益和社會效益。

項目針對軟磁復合材料長期存在的嚴重問題開展了深入研究，提出了在軟磁粉末基體表面原位生成高電阻率軟磁殼層，降低渦流損耗并保持高磁性能的技術思路，發明了多軟磁相核殼結構復合材料，構建了高性能軟磁合金新體系，制備出具有高磁通密度、高直流疊加等不同特性的系列軟磁復合材料。項目達到國際領先水平，獲得了系統的自主知識產權，授權發明專利 43 項，發表論文 50 余篇，推動我國軟磁復合材料產業進入了世界先進行列。

本發明公開了一種非晶軟磁復合材料的制備方法。該制備方法包含制備非晶薄帶、脆化退火、球磨制粉、鈍化處理、壓制成型、熱處理和固化步驟，所述的非晶軟磁復合材料的合金成分為鐵基非晶合金，該合金的組成以原子比表示滿足下式：Fe100-a-b-cTaMbDc，其中，15≤a≤30，0< b≤5，0< c≤3，T為選自Si、B或C中的一種或幾種，M為選自Mo、Zr、Y、Ni、Ti或Cr中的一種或幾種，D為選自稀土類元素中的一種或幾種。本發明公開的非晶軟磁復合材料的制備方法，工藝簡單、成本低，采用磷酸稀釋液進行鈍化，無需添加其他絕緣劑就可以形成均勻的絕緣層，所得軟磁復合材料磁導率高、損耗低，直流偏置特性優異。