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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺
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薄膜材料生長系統(tǒng)
集成電路產(chǎn)業(yè)需要大量高端薄膜生長設(shè)備，上個(gè)世紀(jì)80年代，MBE作為一種尖端技術(shù)，國外就對中國進(jìn)行了技術(shù)封鎖，禁運(yùn)中國。甚至在今天，MBE仍然屬于美國對中國出口的管制類產(chǎn)品，每一臺都要經(jīng)過復(fù)雜的審批過程。
南京大學(xué)
2021-04-10
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柔性透明導(dǎo)電薄膜
中試階段/n透明導(dǎo)電薄膜是平臺式材料，是光電產(chǎn)業(yè)上游重要產(chǎn)品。柔性透明導(dǎo)電薄膜可以用于大尺寸柔性觸控，柔性顯示與照明、薄膜太陽能電池，可穿戴設(shè)備等戰(zhàn)略性新興柔性光電子產(chǎn)業(yè)，解決陶瓷基透明電極面臨主要成分的資源短缺和固有的脆性等不利因素，在相關(guān)領(lǐng)域取代ITO薄膜及金屬網(wǎng)格。本項(xiàng)目開發(fā)從材料到薄膜加工工藝的全鏈條技術(shù)，開發(fā)一系列面向不同光電器件需求的產(chǎn)品。目前，團(tuán)隊(duì)通過第三方機(jī)構(gòu)認(rèn)證的樣品透過率導(dǎo)電性耐彎折特性處于國際先進(jìn)水平。目前，正在進(jìn)行小試階段的研發(fā)工作，高純原料和部分裝備可國產(chǎn)化。
華中科技大學(xué)
2021-01-12
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薄膜加工技術(shù)
研究團(tuán)隊(duì)在薄膜研究方面，前期工作主要集中在:1)高性能透明導(dǎo)電薄膜 研發(fā)。所制備的液晶光學(xué)窗口元件實(shí)現(xiàn)可見區(qū)平均透過率大于 90%，明視覺反射 率分別為:8 度 0.24%，15 度 0.21%，30 度 0.27%;方塊電阻低于 13 歐姆，理論 電磁屏蔽能力優(yōu)于 24dB，經(jīng)用戶確認(rèn)，性能指標(biāo)處于國內(nèi)領(lǐng)先，達(dá)到國際先進(jìn) 水平。填補(bǔ)了高性能透明導(dǎo)電薄膜研發(fā)的空白，打破了西方國家在該領(lǐng)域的技術(shù) 壟斷。該研究工作為透明導(dǎo)電薄膜關(guān)鍵元件在國防軍工產(chǎn)品的裝備應(yīng)用提供理論 依據(jù)和技術(shù)支撐。2)1064 帶通
上海理工大學(xué)
2021-01-12
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氮化鎵高壓電力電子器件
已有樣品/n基于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料體系，通過采用導(dǎo)電機(jī)制融合和能帶分區(qū)調(diào)控的先進(jìn)技術(shù)路線改變傳統(tǒng)氮化鎵肖特基二極管正向電壓與反向電流等參數(shù)之間的經(jīng)典調(diào)控規(guī)律，采用無損傷工藝，提升了器件的均勻性和可靠性，進(jìn)一步提升了氮化鎵肖特基二極管的性能。測試結(jié)果達(dá)到1700V反向耐壓，正向開啟電壓達(dá)到0.38V以及高防浪涌能力，為肖特基二極管器件市場提供了一種新選擇。
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
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氮化硅超細(xì)粉流態(tài)化制備技術(shù)
氮化硅陶瓷是一種耐高溫耐磨材料，廣泛用于冶金、化工、能源等領(lǐng)域，氮化硅粉是制備氮化硅的原材料。實(shí)驗(yàn)室提出了一種流態(tài)化直接氮化制備超細(xì)粉方法，可低成本生產(chǎn)晶相和非晶相氮化硅粉。
北京科技大學(xué)
2021-04-13
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多元氧化物納米薄膜及薄膜晶體管
北京工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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Li/CFx電池及氟化碳材料
成功研制了不同種類的氟化碳材料，以滿足不同需求的鋰/氟化碳電池。并且已申報(bào)發(fā)明專利的固液串聯(lián)反應(yīng)模式，在原有普通鋰/氟化碳電池的基礎(chǔ)上，可以使電池的比能量再提高15%。技術(shù)成熟，可直接用于實(shí)際生產(chǎn)。
廈門大學(xué)
2021-04-11
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濕法刻蝕鎳酸鑭薄膜和鐵電薄膜/鎳酸鑭復(fù)合薄膜的腐蝕液及其制備方法
一種濕法刻蝕鎳酸鑭薄膜和鐵電薄膜/鎳酸鑭復(fù)合薄膜的腐蝕液，由雙氧水、硝酸、氫氟酸和純凈水配制而成，純凈水、雙氧水、硝酸、氫氟酸的體積比為：純凈水∶雙氧水∶硝酸∶氫氟酸＝1∶2～3∶0.5～1.0∶0.06～0.12。所述腐蝕液的制備方法，按上述配方在常溫、常壓下將計(jì)量好的純凈水與雙氧水混合均勻，然后加入計(jì)量好的硝酸并混合均勻，繼后加入計(jì)量好的氫氟酸并混合均勻。所述腐蝕液可干凈、徹底地一次性去除SiO2 和/或Pt表面的LNO薄膜或LNO復(fù)合薄膜，得到邊緣清晰、側(cè)蝕比小的刻蝕圖形。
四川大學(xué)
2021-04-11
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關(guān)于氮化物半導(dǎo)體摻雜研究的進(jìn)展
采用紅外光譜和拉曼光譜技術(shù)，克服了GaN中強(qiáng)烈的剩余射線帶相關(guān)反射區(qū)導(dǎo)致的測量難題，實(shí)驗(yàn)中觀察到半絕緣GaN中與C有關(guān)的兩個(gè)局域振動(dòng)模，并結(jié)合第一性原理計(jì)算，給出了C雜質(zhì)在GaN中替代N位的直接證據(jù)，解決了這一長期存在的爭議問題。該成果對于理解和認(rèn)識C雜質(zhì)在AlN、BN、ZnO等其他六方對稱化合物半導(dǎo)體材料中的摻雜行為亦具有重要的參考價(jià)值。
北京大學(xué)
2021-04-11
成分振蕩金屬氮化物涂層的制備方法
本發(fā)明屬于表面工程技術(shù)的應(yīng)用，具體是成分振蕩金屬氮化物涂層的制備方法，在等離子體偏壓反濺清洗過的表面平整的基片上，以反應(yīng)濺射工藝模式在基片表面沉積成分振蕩金屬氮化物涂層，沉積過程中，通過改變N2氣與Ar氣的分流量或分氣壓來控制濺射氣體中N2氣與Ar氣的含量比，且N2氣與Ar氣的含量比變化曲線隨涂層沉積時(shí)間呈現(xiàn)出周期性變化規(guī)律。本發(fā)明制得的涂層中N元素的含量比沿涂層生長方向的分布具有振蕩特征；涂層是由多個(gè)亞層組成的多層結(jié)構(gòu)，而每一亞層中N元素含量比的變化呈現(xiàn)梯度分布特征，該涂層具有梯度化與多層化的雙重復(fù)合結(jié)構(gòu)特征。
四川大學(xué)
2016-09-29