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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
科學(xué)院大學(xué).jpg){kind=logo}
氮化鎵界面態(tài)起源
已有樣品/n基于超低溫的恒定電容深能級(jí)瞬態(tài)傅里葉譜表征了LPCVD-SiNx/GaN界面態(tài)，在70K低溫下探測(cè)到近導(dǎo)帶能級(jí)ELP (EC - ET = 60 meV)具有1.5 × 10-20 cm-2的極小捕獲界面。在國(guó)際上第一次通過(guò)高分辨透射電鏡在LPCVD-SiNx/GaN界面發(fā)現(xiàn)晶化的Si2N2O分量，并基于Si2N2O/GaN界面模型的第一性原理分析，證明了近導(dǎo)帶界面態(tài)主要來(lái)源于鎵懸掛鍵與其臨近原子的強(qiáng)相互作用。由于晶化的Si2N2O
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
燙光機(jī)托布帶、燙光機(jī)毛毯帶
托布帶：克重4600g/㎡，厚度10mm
吸油氈：厚度10~20mm
適用于：人造毛皮行業(yè)，毛紡行業(yè)，燙光機(jī)、燙剪機(jī)以及各類進(jìn)口、國(guó)產(chǎn)機(jī)械以上產(chǎn)品規(guī)格根據(jù)客戶需求均可定制。
上海蕓英工業(yè)皮帶有限公司
2025-01-09
分布式小型光伏電站系統(tǒng)設(shè)計(jì)仿真實(shí)訓(xùn)
本仿真實(shí)訓(xùn)要求學(xué)員根據(jù)常見(jiàn)60KW以下小型分布式光伏電站項(xiàng)目需求書(shū)要求，到現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行測(cè)量、采集項(xiàng)目所需數(shù)據(jù)，然后回到辦公室使用設(shè)計(jì)軟件進(jìn)行項(xiàng)目設(shè)計(jì)，并且做出系統(tǒng)分析結(jié)果、施工圖以及施工材料清單。
1.1. 場(chǎng)景設(shè)計(jì)
虛擬場(chǎng)景包括辦公設(shè)計(jì)場(chǎng)景，樓頂建筑場(chǎng)景；
場(chǎng)景模型主要包括：辦公室建筑模型、辦公家具、辦公設(shè)備、長(zhǎng)度測(cè)量工具、方向測(cè)量工具、樓頂建筑模型等
設(shè)計(jì)軟件模擬包括：陰影陣列分析軟件、CAD制圖軟件、傾角分析軟件、系統(tǒng)分析模擬軟件
1.2. 互動(dòng)設(shè)計(jì)
在辦公室里使用電腦了解項(xiàng)目需求書(shū)，根據(jù)提供的信息收集項(xiàng)目所在位置的地理與環(huán)境信息
到現(xiàn)場(chǎng)使用長(zhǎng)度與方向測(cè)量工具測(cè)量設(shè)計(jì)所需數(shù)據(jù)
回辦公室使用各種專業(yè)設(shè)計(jì)軟件對(duì)該項(xiàng)目進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
廣東順德宙思信息科技有限公司
2025-06-02
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懸空氮化物薄膜LED
南京郵電大學(xué)
2021-04-14
分布式小型光伏電站系統(tǒng)施工建設(shè)仿真實(shí)訓(xùn)
分布式小型光伏電站系統(tǒng)施工建設(shè)仿真實(shí)訓(xùn)讓學(xué)員以現(xiàn)場(chǎng)施工工程師的身份根據(jù)提供的項(xiàng)目說(shuō)明書(shū)、施工圖紙和材料到現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行小型電站的模擬施工，提高學(xué)員的實(shí)踐能力和動(dòng)手能力。
1.1. 場(chǎng)景設(shè)計(jì)
虛擬場(chǎng)景主要由廠戶樓頂施工場(chǎng)景組成；
場(chǎng)景模型主要包括：廠戶建筑模型、支架基礎(chǔ)樁、支架前后立柱、橫梁、側(cè)梁、接地扁鋼、晶硅光伏組件、邊壓塊、中間壓塊、接線盒、連接線、直流匯流箱、進(jìn)線、出線、熔斷器盒、斷路器、避雷器、逆變器、PVC保護(hù)線管、五金螺絲螺母、安全帽、施工工具等
1.2. 互動(dòng)設(shè)計(jì)
在施工場(chǎng)景看懂圖紙，檢查施工物料
根據(jù)提示到指定位置使用工具把支架、光伏組件、匯流箱、逆變器一一安裝起來(lái)
進(jìn)行組件陣列間串聯(lián)和并聯(lián)接線
進(jìn)行防雷焊接
施工完成后進(jìn)行投切并網(wǎng)操作
場(chǎng)景植入VR太陽(yáng)模塊，精準(zhǔn)計(jì)算該項(xiàng)目所在位置的太陽(yáng)位置，太陽(yáng)高度角和方位角，在虛擬場(chǎng)景中全時(shí)仿真太陽(yáng)產(chǎn)生的陰影。
廣東順德宙思信息科技有限公司
2025-06-02
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自蔓延反應(yīng)燒結(jié)氮化硅/氮化硼復(fù)相可加工陶瓷
北京科技大學(xué)特種陶瓷研究室開(kāi)發(fā)出一種自蔓延反應(yīng)燒結(jié)氮化硅/氮化硼復(fù)相可加工陶瓷材料，其應(yīng)用前景極其廣闊。 Si和N2合成Si3N4反應(yīng)的絕熱燃燒溫度高，體積有所增加，生成棒狀的b-Si3N4相相互交叉，提高了自蔓延反應(yīng)燒結(jié)氮化硅多孔陶瓷的強(qiáng)度，但氮化硅加工性能差。h-BN陶瓷可加工性能好，但燒結(jié)性能差。本項(xiàng)目利用h-BN相在氮化硅陶瓷中形成弱界面，當(dāng)加工時(shí)，弱界面上會(huì)形成微裂紋，并沿弱界面發(fā)生偏轉(zhuǎn)，耗散裂紋擴(kuò)展的能量使裂紋擴(kuò)展終止；當(dāng)載荷繼續(xù)上升時(shí)，在下層的弱結(jié)合界面處將產(chǎn)生新的臨界裂紋再擴(kuò)展；如此反復(fù)，使裂紋成為跳躍式階梯狀擴(kuò)展，斷裂漸次發(fā)生而非瞬間脆斷，使氮化硅/氮化硼多孔陶瓷材料具有了好的可加工性能。 本項(xiàng)目原料中采用了一定比例的Si粉，比完全以Si3N4粉為原料的普通燒結(jié)工藝節(jié)約了原料成本。產(chǎn)品的基本工藝為自蔓延高溫合成（燃燒合成）工藝，在氣體高壓反應(yīng)器中進(jìn)行，燒結(jié)所需要的能量完全由原料自身放熱提供，與其他制備方法（常壓燒結(jié)、熱壓燒結(jié)、反應(yīng)燒結(jié)）相比較，不需要高溫?zé)Y(jié)爐長(zhǎng)時(shí)間燒結(jié)，大大節(jié)省了能源。本項(xiàng)目工藝簡(jiǎn)單，燒結(jié)速度快，效率高。可制作復(fù)雜形狀一維，二維的大尺寸陶瓷材料。抗彎強(qiáng)度已做到188MPa，材料可加工性能優(yōu)良。 已獲中國(guó)發(fā)明專利《ZL 200610089013.6自蔓延反應(yīng)燒結(jié)Si3N4/BN復(fù)相可加工陶瓷的方法》。
北京科技大學(xué)
2021-04-11
農(nóng)業(yè)大學(xué).jpg){kind=logo}
基于深度學(xué)習(xí)的光伏并網(wǎng)系統(tǒng)電能質(zhì)量預(yù)測(cè)及調(diào)控策略研究
本成果圍繞光伏并網(wǎng)系統(tǒng)電能質(zhì)量展開(kāi)。基于深度學(xué)習(xí)算法，研究諧波等電能質(zhì)量指標(biāo)變化規(guī)律，運(yùn)用特征提取技術(shù)處理時(shí)序數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)電能質(zhì)量預(yù)測(cè)。研發(fā)基于態(tài)勢(shì)感知的電能質(zhì)量調(diào)控裝置，總諧波補(bǔ)償率不小于 90%，補(bǔ)償次數(shù) 2 - 50 次。成果形式包括研究報(bào)告、調(diào)控裝置示范應(yīng)用，申請(qǐng)發(fā)明專利 3 項(xiàng)，發(fā)表論文 3 篇。應(yīng)用場(chǎng)景涵蓋光伏電站、配電網(wǎng)等，可提升電網(wǎng)可靠性與經(jīng)濟(jì)性，減少設(shè)備損耗、優(yōu)化調(diào)控策略、降低棄光率，為新能源消納提供支撐。
沈陽(yáng)農(nóng)業(yè)大學(xué)
2025-05-21
高性能氮化鎵基電子材料
已有樣品/n中科院半導(dǎo)體所是國(guó)內(nèi)最早開(kāi)展 GaN 基電子材料研發(fā)的單位，并一直在該領(lǐng)域起著引領(lǐng)、 示范和帶動(dòng)作用。經(jīng)過(guò)盡二十年的自主創(chuàng)新，攻克了 2 英寸和3英寸藍(lán)寶石、碳化硅和硅襯底上GaN 基電子材料外延生長(zhǎng)的關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問(wèn)題，在高阻 GaN 外延材料、高遷移率 GaN 外延材料、高遷移率 AlGaN/GaN 異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)材料等方面形成了系統(tǒng)的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，設(shè)計(jì)并研制出了多種具有特色的 AlGaN/GaN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)電子材料，并實(shí)現(xiàn)了批量供片。市場(chǎng)預(yù)期：該技術(shù)是采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
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一種氮化硅或氮化硅/碳化硅復(fù)合粉體的制備方法
小試階段/n本發(fā)明專利采用一種新的合成方法制備了氮化硅或氮化硅/碳化硅粉體。與傳統(tǒng)制備方法相比，此工藝簡(jiǎn)單，成本低，具有較大的市場(chǎng)前景，為非氧化物耐火材料原料的生產(chǎn)提供了一個(gè)新的思路。
武漢科技大學(xué)
2021-01-12
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納米氮化釩粉體的制備方法
一種納米氮化釩粉體的制備方法，工藝步驟依次為：(1)前驅(qū)體的制備，以V2O5和草酸為原料，V2O5與草酸的重量比為1∶1～1∶3，將所述配比的V2O5和草酸放入反應(yīng)容器并加水，然后在常壓、40℃～70℃進(jìn)行攪拌，直到V2O5和草酸的還原反應(yīng)完成為止，還原反應(yīng)完成后，將所獲溶液蒸干即得到前驅(qū)體草酸氧釩；(2)前驅(qū)體的氨解，將所獲前驅(qū)體草酸氧釩放入加熱爐，在流動(dòng)氨氣氛圍中加熱至600℃～750℃進(jìn)行氨解，保溫10分鐘～3小時(shí)后關(guān)閉加熱爐電源，保持爐內(nèi)氨氛圍，待分解產(chǎn)物冷卻至100℃以下取出，即獲得納米氮化釩粉體。
四川大學(xué)
2021-04-11