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氮化鎵界面態起源
已有樣品/n基于超低溫的恒定電容深能級瞬態傅里葉譜表征了LPCVD-SiNx/GaN界面態，在70K低溫下探測到近導帶能級ELP (EC - ET = 60 meV)具有1.5 × 10-20 cm-2的極小捕獲界面。在國際上第一次通過高分辨透射電鏡在LPCVD-SiNx/GaN界面發現晶化的Si2N2O分量，并基于Si2N2O/GaN界面模型的第一性原理分析，證明了近導帶界面態主要來源于鎵懸掛鍵與其臨近原子的強相互作用。由于晶化的Si2N2O
中國科學院大學
2021-01-12
燙光機托布帶、燙光機毛毯帶
托布帶：克重4600g/㎡，厚度10mm
吸油氈：厚度10~20mm
適用于：人造毛皮行業，毛紡行業，燙光機、燙剪機以及各類進口、國產機械以上產品規格根據客戶需求均可定制。
上海蕓英工業皮帶有限公司
2025-01-09
分布式小型光伏電站系統設計仿真實訓
本仿真實訓要求學員根據常見60KW以下小型分布式光伏電站項目需求書要求，到現場進行測量、采集項目所需數據，然后回到辦公室使用設計軟件進行項目設計，并且做出系統分析結果、施工圖以及施工材料清單。
1.1. 場景設計
虛擬場景包括辦公設計場景，樓頂建筑場景；
場景模型主要包括：辦公室建筑模型、辦公家具、辦公設備、長度測量工具、方向測量工具、樓頂建筑模型等
設計軟件模擬包括：陰影陣列分析軟件、CAD制圖軟件、傾角分析軟件、系統分析模擬軟件
1.2. 互動設計
在辦公室里使用電腦了解項目需求書，根據提供的信息收集項目所在位置的地理與環境信息
到現場使用長度與方向測量工具測量設計所需數據
回辦公室使用各種專業設計軟件對該項目進行系統設計。
廣東順德宙思信息科技有限公司
2025-06-02
懸空氮化物薄膜LED
南京郵電大學
2021-04-14
分布式小型光伏電站系統施工建設仿真實訓
分布式小型光伏電站系統施工建設仿真實訓讓學員以現場施工工程師的身份根據提供的項目說明書、施工圖紙和材料到現場進行小型電站的模擬施工，提高學員的實踐能力和動手能力。
1.1. 場景設計
虛擬場景主要由廠戶樓頂施工場景組成；
場景模型主要包括：廠戶建筑模型、支架基礎樁、支架前后立柱、橫梁、側梁、接地扁鋼、晶硅光伏組件、邊壓塊、中間壓塊、接線盒、連接線、直流匯流箱、進線、出線、熔斷器盒、斷路器、避雷器、逆變器、PVC保護線管、五金螺絲螺母、安全帽、施工工具等
1.2. 互動設計
在施工場景看懂圖紙，檢查施工物料
根據提示到指定位置使用工具把支架、光伏組件、匯流箱、逆變器一一安裝起來
進行組件陣列間串聯和并聯接線
進行防雷焊接
施工完成后進行投切并網操作
場景植入VR太陽模塊，精準計算該項目所在位置的太陽位置，太陽高度角和方位角，在虛擬場景中全時仿真太陽產生的陰影。
廣東順德宙思信息科技有限公司
2025-06-02
自蔓延反應燒結氮化硅/氮化硼復相可加工陶瓷
北京科技大學特種陶瓷研究室開發出一種自蔓延反應燒結氮化硅/氮化硼復相可加工陶瓷材料，其應用前景極其廣闊。 Si和N2合成Si3N4反應的絕熱燃燒溫度高，體積有所增加，生成棒狀的b-Si3N4相相互交叉，提高了自蔓延反應燒結氮化硅多孔陶瓷的強度，但氮化硅加工性能差。h-BN陶瓷可加工性能好，但燒結性能差。本項目利用h-BN相在氮化硅陶瓷中形成弱界面，當加工時，弱界面上會形成微裂紋，并沿弱界面發生偏轉，耗散裂紋擴展的能量使裂紋擴展終止；當載荷繼續上升時，在下層的弱結合界面處將產生新的臨界裂紋再擴展；如此反復，使裂紋成為跳躍式階梯狀擴展，斷裂漸次發生而非瞬間脆斷，使氮化硅/氮化硼多孔陶瓷材料具有了好的可加工性能。 本項目原料中采用了一定比例的Si粉，比完全以Si3N4粉為原料的普通燒結工藝節約了原料成本。產品的基本工藝為自蔓延高溫合成（燃燒合成）工藝，在氣體高壓反應器中進行，燒結所需要的能量完全由原料自身放熱提供，與其他制備方法（常壓燒結、熱壓燒結、反應燒結）相比較，不需要高溫燒結爐長時間燒結，大大節省了能源。本項目工藝簡單，燒結速度快，效率高。可制作復雜形狀一維，二維的大尺寸陶瓷材料。抗彎強度已做到188MPa，材料可加工性能優良。 已獲中國發明專利《ZL 200610089013.6自蔓延反應燒結Si3N4/BN復相可加工陶瓷的方法》。
北京科技大學
2021-04-11
基于深度學習的光伏并網系統電能質量預測及調控策略研究
本成果圍繞光伏并網系統電能質量展開。基于深度學習算法，研究諧波等電能質量指標變化規律，運用特征提取技術處理時序數據，實現電能質量預測。研發基于態勢感知的電能質量調控裝置，總諧波補償率不小于 90%，補償次數 2 - 50 次。成果形式包括研究報告、調控裝置示范應用，申請發明專利 3 項，發表論文 3 篇。應用場景涵蓋光伏電站、配電網等，可提升電網可靠性與經濟性，減少設備損耗、優化調控策略、降低棄光率，為新能源消納提供支撐。
沈陽農業大學
2025-05-21
高性能氮化鎵基電子材料
已有樣品/n中科院半導體所是國內最早開展 GaN 基電子材料研發的單位，并一直在該領域起著引領、 示范和帶動作用。經過盡二十年的自主創新，攻克了 2 英寸和3英寸藍寶石、碳化硅和硅襯底上GaN 基電子材料外延生長的關鍵科學技術問題，在高阻 GaN 外延材料、高遷移率 GaN 外延材料、高遷移率 AlGaN/GaN 異質結結構材料等方面形成了系統的自主知識產權，設計并研制出了多種具有特色的 AlGaN/GaN 異質結構電子材料，并實現了批量供片。市場預期：該技術是采用金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）
中國科學院大學
2021-01-12
一種氮化硅或氮化硅/碳化硅復合粉體的制備方法
小試階段/n本發明專利采用一種新的合成方法制備了氮化硅或氮化硅/碳化硅粉體。與傳統制備方法相比，此工藝簡單，成本低，具有較大的市場前景，為非氧化物耐火材料原料的生產提供了一個新的思路。
武漢科技大學
2021-01-12
納米氮化釩粉體的制備方法
一種納米氮化釩粉體的制備方法，工藝步驟依次為：(1)前驅體的制備，以V2O5和草酸為原料，V2O5與草酸的重量比為1∶1～1∶3，將所述配比的V2O5和草酸放入反應容器并加水，然后在常壓、40℃～70℃進行攪拌，直到V2O5和草酸的還原反應完成為止，還原反應完成后，將所獲溶液蒸干即得到前驅體草酸氧釩；(2)前驅體的氨解，將所獲前驅體草酸氧釩放入加熱爐，在流動氨氣氛圍中加熱至600℃～750℃進行氨解，保溫10分鐘～3小時后關閉加熱爐電源，保持爐內氨氛圍，待分解產物冷卻至100℃以下取出，即獲得納米氮化釩粉體。
四川大學
2021-04-11