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納米氮化釩粉體的制備方法
一種納米氮化釩粉體的制備方法，工藝步驟依次為：(1)前驅(qū)體的制備，以V2O5和草酸為原料，V2O5與草酸的重量比為1∶1～1∶3，將所述配比的V2O5和草酸放入反應(yīng)容器并加水，然后在常壓、40℃～70℃進(jìn)行攪拌，直到V2O5和草酸的還原反應(yīng)完成為止，還原反應(yīng)完成后，將所獲溶液蒸干即得到前驅(qū)體草酸氧釩；(2)前驅(qū)體的氨解，將所獲前驅(qū)體草酸氧釩放入加熱爐，在流動氨氣氛圍中加熱至600℃～750℃進(jìn)行氨解，保溫10分鐘～3小時后關(guān)閉加熱爐電源，保持爐內(nèi)氨氛圍，待分解產(chǎn)物冷卻至100℃以下取出，即獲得納米氮化釩粉體。
四川大學(xué)
2021-04-11
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氮化鋁薄膜和高頻濾波器
高效率制備高品質(zhì)氮化鋁薄膜，并研究應(yīng)用于 4G、5G 通信(智能手機(jī)和基站)的高頻濾波器。制備薄膜質(zhì)量高于現(xiàn)有工藝，制備效率提高十倍以上。作為制備濾波器的關(guān)鍵薄膜性能指標(biāo)，薄膜的取向性良好（XRD搖擺曲線半高寬2度左右）， 薄膜表面起伏小于 1 納米；薄膜制備效率比傳統(tǒng)工藝提高 10 倍以上
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)
2021-04-14
氮化鎵陶瓷薄膜電路的激光直寫
LPKF ProtoLaser R4可針對敏感基材實(shí)現(xiàn)高精度加工
樂普科（天津）光電有限公司
2022-06-22
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一種碳化硅/二氧化硅同軸納米電纜的制備方法
本發(fā)明涉及一種同軸納米電纜的制備方法領(lǐng)域，具體為碳化硅/二氧化硅（內(nèi)芯/外 層）同軸納米電纜的制備方法領(lǐng)域。本發(fā)明中碳化硅/二氧化硅（內(nèi)芯/外層）同軸納米 電纜的制備方法如下：將硅油、硅脂或硅氧烷置于剛玉坩堝或剛玉舟內(nèi)，將剛玉坩堝或 剛玉舟放在耐高溫板上面，然后把耐高溫板推入高溫爐，排出爐內(nèi)氧氣，并以 6－15sccm 的速率通入惰性氣體保護(hù)，以 5－15℃/min 的速度將爐溫升到 1000－1100℃，保溫 1－ 5 小時后自然降到室溫。利用本發(fā)明所說的方法生成產(chǎn)物均為碳化硅/二氧化硅（內(nèi)芯/ 外層）同軸納米電纜，且長度比現(xiàn)有的方法制備的提高了 2 個量級，是迄今為止報道的 最長的納米電纜，且制備方法簡單，原料便宜易得，設(shè)備要求簡化，成本低，產(chǎn)率高。
同濟(jì)大學(xué)
2021-04-11
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氮化鎵高壓電力電子器件
已有樣品/n基于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料體系，通過采用導(dǎo)電機(jī)制融合和能帶分區(qū)調(diào)控的先進(jìn)技術(shù)路線改變傳統(tǒng)氮化鎵肖特基二極管正向電壓與反向電流等參數(shù)之間的經(jīng)典調(diào)控規(guī)律，采用無損傷工藝，提升了器件的均勻性和可靠性，進(jìn)一步提升了氮化鎵肖特基二極管的性能。測試結(jié)果達(dá)到1700V反向耐壓，正向開啟電壓達(dá)到0.38V以及高防浪涌能力，為肖特基二極管器件市場提供了一種新選擇。
中國科學(xué)院大學(xué)
2021-01-12
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碳化硅紫外光電探測器
現(xiàn)今，高響應(yīng)度光電倍增管(PMT)為最廣泛應(yīng)用于微弱紫外信號的探測器，然而由于其體積大、易損壞、需要高精度高壓電源、無法實(shí)現(xiàn)陣列探測和價格高等因素的制約，研制碳化硅紫外雪崩光電探測器取代光電倍增管已經(jīng)成為近年來國際上光電探測領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。與光電倍增管相比，碳化硅紫外光電探測器具有體積小、可制作焦平面陣列探測、結(jié)構(gòu)簡單、可在室溫下工作、成本低等優(yōu)點(diǎn)。隨著碳化硅材料和其器件制備技術(shù)的不斷發(fā)展，其紫外光電探測器性能指標(biāo)有望達(dá)到甚至超過光電倍增管。本研究小組已就肖特基勢
廈門大學(xué)
2021-01-12
二氧化硅拋光液
該產(chǎn)品是一種堿性氧化硅分散體，具有極強(qiáng)的潤滑性，即使凝結(jié)也不受影響。精度最高的膠質(zhì)硅產(chǎn)品適用于精密五金、硅、藍(lán)寶石和其他多種氧化晶體。與去離子水的推薦稀釋比為1:1，PH值為9.5-11.5，與#450瀝青或LP聚胺脂拋光皮搭配使用。
山東麥豐新材料科技股份有限公司
2021-09-01
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關(guān)于氮化物半導(dǎo)體摻雜研究的進(jìn)展
采用紅外光譜和拉曼光譜技術(shù)，克服了GaN中強(qiáng)烈的剩余射線帶相關(guān)反射區(qū)導(dǎo)致的測量難題，實(shí)驗(yàn)中觀察到半絕緣GaN中與C有關(guān)的兩個局域振動模，并結(jié)合第一性原理計算，給出了C雜質(zhì)在GaN中替代N位的直接證據(jù)，解決了這一長期存在的爭議問題。該成果對于理解和認(rèn)識C雜質(zhì)在AlN、BN、ZnO等其他六方對稱化合物半導(dǎo)體材料中的摻雜行為亦具有重要的參考價值。
北京大學(xué)
2021-04-11
成分振蕩金屬氮化物涂層的制備方法
本發(fā)明屬于表面工程技術(shù)的應(yīng)用，具體是成分振蕩金屬氮化物涂層的制備方法，在等離子體偏壓反濺清洗過的表面平整的基片上，以反應(yīng)濺射工藝模式在基片表面沉積成分振蕩金屬氮化物涂層，沉積過程中，通過改變N2氣與Ar氣的分流量或分氣壓來控制濺射氣體中N2氣與Ar氣的含量比，且N2氣與Ar氣的含量比變化曲線隨涂層沉積時間呈現(xiàn)出周期性變化規(guī)律。本發(fā)明制得的涂層中N元素的含量比沿涂層生長方向的分布具有振蕩特征；涂層是由多個亞層組成的多層結(jié)構(gòu)，而每一亞層中N元素含量比的變化呈現(xiàn)梯度分布特征，該涂層具有梯度化與多層化的雙重復(fù)合結(jié)構(gòu)特征。
四川大學(xué)
2016-09-29
乳白色 大粒徑硅溶膠 50%含量二氧化硅溶液 源廠發(fā)貨
大粒徑硅溶膠以其獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)，在涂料、建材、電子、陶瓷、橡膠、紙張、紡織、環(huán)境保護(hù)及化妝品等多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用前景。隨著科技的不斷進(jìn)步和生產(chǎn)工藝的改進(jìn)，大粒徑硅溶膠的應(yīng)用范圍和潛力將進(jìn)一步拓展，為各行業(yè)的發(fā)展提供更為強(qiáng)大的支持。
東莞市惠和永晟納米科技有限公司
2025-03-27