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一種在聚丙烯表面固定層狀雙氫氧化物的方法及其應用
本發明公開了一種在聚丙烯表面固定層狀雙氫氧化物的方法及其應用。首先在聚丙烯離心管中配制 多巴胺堿性溶液，常溫下渦旋預氧化，在 30-50°C水浴條件下反應 6~8h，形成聚多巴胺薄層;然后將 二價金屬離子、三價金屬離子和 CO(NH2)2 溶液加入經多巴胺修飾的離心管中，加熱反應后實現層狀雙 氫氧化物的制備及固定化，得到裝置的內表面具有聚多巴胺與層狀雙氫氧化
武漢大學
2021-04-14
一種銻陽極直接碳固體氧化物燃料電池電堆系統及制備方法
本發明公開了一種液態循環銻陽極管式直接碳固體氧化物燃料 電池電堆系統及其制備方法，屬于燃料電池領域。電池電堆系統包括 電池電堆、氧化銻收集池、燃料池、燃料加載裝置，電池電堆頂部設 置有電池電堆出口，并底部設置有電池電堆入口；氧化銻收集池頂部 設置與電池電堆出口相連通的氧化銻收集池入口，并其底部設置有供 氧化銻流出的氧化銻收集池出口；燃料池頂部設置有燃料加載裝置， 該頂部同時還設置有與氧化銻收集池出口相連通的燃料池入口
華中科技大學
2021-04-14
太陽能薄膜電池一種關鍵技術：磁控濺射制備微晶硅薄膜
目前在工業上廣泛采用的CVD技術制備硅膜，工藝和設備復雜，成本高，且在安全和環保環節上投入巨大。我們在國內首創出了微晶硅薄膜的PVD法沉積工藝，在溫度低于300度的條件下，在單晶硅片和普通玻璃片上制備出不同結晶度的微晶硅薄膜和納米結構硅薄膜，可以得到具有高度<111>方向取向生長的微晶硅薄膜，并實現了控制工藝的穩定性和可重復性。利用磁控濺射技術成功實現微晶硅薄膜的制備是一項重大突破，從根本上克服了現有技術的缺點，具有綠色、高效、簡單等優點。目前需要合作伙伴，把該實驗室技術放大到工業規模。
大連理工大學
2021-04-14
堿溶轉化法制備氧化鋅晶須
1. 痛點問題
目前含鋅產品以金屬鋅和普通氧化鋅為主，存在產品價廉、結構單一、附加值低等問題。受技術經濟條件限制，性能優異、附加值高的先進含鋅材料如氧化鋅晶須等，至今尚未得到大規模工業應用。在晶須氧化鋅制備方面，前人雖已做大量工作，但多以鋅鹽或鋅為原料，存在原料利用率和晶須制備效率低、副產物和廢水需處理等環境和經濟效益問題，制約了相關技術的產業化發展。
2. 解決方案
以普通鋅鹽為原料、無機堿水溶液為溶劑，在室溫條件下進行活化堿溶, 制得含活性氧化鋅的懸浮液，然后加入促溶劑和晶型控制劑, 在低溫水熱條件下, 通過溶解-定向結晶途徑制得純度大于98%、長徑比大于10的氧化鋅晶須。
合作需求
資金需求：
1）中試項目，100噸/年氧化鋅晶須，需投資1000-1500萬元；
2）示范生產項目，2000噸/年氧化鋅晶須，需投資1億元。
目標企業：
1）原料端，地方鋅冶煉廠、化工廠等企業；
2）市場端，塑料/橡膠/涂料/紡織公司、合金企業、新能源公司、精密器件、醫療企業等。
清華大學
2022-01-06
磁性金屬磷化物納米晶催化劑
汽油和柴油當中所含的硫和氮的化合物，會在燃燒過程中產生污染環境的硫氧化物和氮氧化物。目前的環境法規對液體燃料中的硫和氮的含量要求越來越低，因此，開發出適合于液體燃料脫硫、脫氮的催化劑是化工、環境領域的一個重要課題。而磁性金屬磷化物，例如磷化鎳，則是加氫脫硫( HDS) 和加氫脫氮( HDN)過程當中的首選催化劑。本項目通過一種較為簡單的化學液相方法來制備磁性金屬磷化物納米晶體材料（包括磷化鎳、磷化鐵、磷化鈷，以及它們的合金磷化物，與通常的制備方法相比，不需要用氫氣
廈門大學
2021-01-12
一種納米晶Cu2O薄膜的制備方法
“一種化學浴沉積擇優取向生長的納米晶Cu2O薄膜的制備方法”屬于半導體領域。現有方法一般對設備要求較高，需要比較復雜的程序，而最終難以控制成本，這會嚴重影響Cu2O薄膜的應用范圍。本發明提供的納米晶Cu2O薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：分別按照硫酸銅與檸檬酸三鈉的摩爾濃度比范圍為12∶8～12∶36，硫酸銅與抗壞血酸鈉的摩爾范圍為1∶3～5∶6，將抗壞血酸鈉、檸檬酸三鈉溶液依次加入硫酸銅溶液中，使充分絡合；調節溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴溫度中反應1.0h～3.
安徽建筑大學
2021-01-12
一種防腐耐磨鐵基非晶薄膜及其制備方法
本發明公開了一種防腐耐磨鐵基非晶薄膜及其制備方法，其包 括的成分及該成分的原子百分比含量分別為：14.0～22.0at.％Cr，6.0～ 16.0at.％Mo，4.0～7.0at.％B，4.0～20.0at.％C，0.0～3.0at.％W 以及余 量的 Fe。其制備方法包含 S1 制備單一合金靶材；S2 選擇襯底材料， 將襯底表面進行平整化，然后清洗并吹干待用；S3 進行磁控濺射，其 中，背景真空度值不高于 5x10<sup
華中科技大學
2021-04-14
用于研究熔融電解質中電活性氧化物電化學行為的電解池
本發明涉及一種用于研究熔融電解質中電活性氧化物電化學行為的電解池。其技術方案是：電解池包括ZrO2管(3)、參比電極(15)、輔助電極(1)和固態工作電極(2)；ZrO2管(3)封閉端內裝有熔融電解質，在ZrO2管(3)封閉端的外表面由下到上依次環繞燒結有輔助電極(1)和參比電極(15)，輔助電極(1)的上邊界與ZrO2管(3)內的熔融電解質液面平齊，參比電極(15)緊鄰輔助電極(1)上邊界位置，固態工作電極(2)的下端插入熔融電解質中；參比電極引線(4)一端、輔助電極引線(7)一端和固態工作電極引線(8)一端與參比電極(15)、輔助電極(1)和固態工作電極(2)對應連接。本發明具有結構簡單、操作容易、抗干擾能力強和測試結果更穩定可靠的特點。
（注：本項目發布于2014年）
武漢科技大學
2021-01-12
晶圓級二維半導體單晶薄膜外延生長的研究
主流硅基芯片CMOS（互補金屬氧化物半導體）技術正面臨短溝道效應等物理規律和制造成本的限制，需要開發基于新材料和新原理的晶體管技術來延續摩爾定律。高遷移率二維半導體因其超薄的平面結構和獨特的電子學性質，有望成為“后摩爾時代”高性能電子器件和數字集成電路的理想溝道材料，進一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對溝道材料的苛刻要求，二維半導體單晶薄膜的大面積制備尤為關鍵與重要。然而，現有二維半導體材料體系（過渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現實要求，因此亟需實現晶圓級二維半導體單晶薄膜制備技術的突破。 該研究瞄準二維半導體材料的晶圓級單晶制備，率先實現了同時具有高電子遷移率、合適帶隙、環境穩定的二維半導體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長。他們基于自主設計搭建的雙溫區化學氣相沉積系統，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現出優異的材料和電學均勻性，可被用于批量構筑高性能場效應晶體管。基于晶圓級二維Bi2O2Se單晶薄膜的標準頂柵型場效應晶體管展現了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開關比（>105）和較高的開態電流（45μA/μm）。相關成果發表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大學
2021-04-11
一種超硬非晶碳薄膜的制備裝置和工藝
項目為一種超硬的非晶四面體碳（ta-c）薄膜的制備裝置和工藝，該薄膜具有極好的物理化學特性，在碳基薄膜中，是目前國際上公認的SP3鍵含量最高，超過85%，特性最接近天然金剛石的薄膜，硬度達到HV≥85Gpa，可見光和紅外光透明，透光率達97%，吸收紫外光，達98%，薄膜均勻性好，薄膜平整度達0.2nm，摩擦系數≤0.08，電阻率達（1012Ω·cm），擊穿電壓3.5×106，（），熱導率18（）,密度3.5（g/cm3），薄膜致密耐腐蝕作用極好。 該項目可用于高精度專有刀具、模具和摩擦滑動部件，提高使用壽命，減小摩擦，如手術和美容刀具、絲錐、PCB鉆、拉絲模、沖壓模具、壓縮機滑塊，滑動環等；用于視窗、鏡片和傳感器表面，可防止劃傷，增強散熱，利于紅外光傳遞，等；用于激光透鏡，可提高損傷閾值；用于射線輻射測量傳感器，可抗射線輻射損傷，提高測量的靈敏度。
西安交通大學
2021-04-11