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       DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測(cè)量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對(duì)高而易于測(cè)量等特點(diǎn)。所有此款溫度計(jì)都較好地遵循一個(gè)電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨(dú)的標(biāo)定。       DT640-BC型裸片溫度計(jì)，相比市場(chǎng)上的其它溫度計(jì)，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時(shí)間更短的特點(diǎn)。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時(shí)間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。    您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 特點(diǎn)： ※ 激勵(lì)電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；  ※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性； ※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝； ※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測(cè)量精度； ※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線； ※ 多種可選封裝方式。 您也可以直接登錄淘寶網(wǎng)首頁(yè)搜索“錦正茂科技”，可以看到我們的淘寶店鋪，聯(lián)系更加方便！ 參數(shù)： ※ 溫度范圍：3K~500K； ※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640 ※ 推薦激勵(lì)電流：10µA±0.1%； ※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。 ※ 反向電壓高達(dá)：75V； ※ 損壞前電流高達(dá)：長(zhǎng)時(shí)間200mA 或瞬間1A； ※ 推薦激勵(lì)下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K； ※ BC封裝響應(yīng)時(shí)間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K； ※ 輻射影響：只推薦在低輻射場(chǎng)合下使用； ※ 磁場(chǎng)影響：不推薦在磁場(chǎng)環(huán)境下使用。 ???????

羅正錢教授團(tuán)隊(duì)采用少模Pr/Yb共摻雙包層ZBLAN光纖作為可見(jiàn)光增益介質(zhì)，構(gòu)建基于非線性偏轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)（NPR）技術(shù)的鎖模激光腔，利用腔內(nèi)空間濾波效應(yīng)和NPR可飽和吸收效應(yīng)補(bǔ)償階躍折射率光纖中超大的模間色散，從而平衡了各橫模之間的走離效應(yīng)，首次實(shí)現(xiàn)了可見(jiàn)光波段的時(shí)空鎖模光纖激光。

簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開了一種煙道飛灰等速取樣器及基于BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的煙道飛灰等速取樣系統(tǒng)和控制方法，屬于煙道飛灰檢測(cè)領(lǐng)域。煙道飛灰等速取樣器，包括取樣嘴、取樣管、旋風(fēng)分離器和取樣瓶，還包括引射管、調(diào)節(jié)嘴和排氣管，一種基于BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)煙道飛灰等速取樣系統(tǒng)，包括取樣器、PLC控制器、執(zhí)行器、壓力傳感器和BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模塊；一種基于BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的煙道飛灰等速取樣系統(tǒng)的控制方法基于BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)煙道飛灰等速取樣，使用了大量實(shí)時(shí)測(cè)得的數(shù)據(jù)來(lái)預(yù)測(cè)接近實(shí)際的煙道靜壓，解決了等速采樣的滯后性問(wèn)題，提高取樣的準(zhǔn)確性，具有計(jì)算誤差小，數(shù)據(jù)處理能力強(qiáng)，設(shè)計(jì)成本低的優(yōu)點(diǎn)。

李朝暉教授、張斌副教授團(tuán)隊(duì)自主開發(fā)了GeSbS硫系玻璃的片上集成光子平臺(tái)，該平臺(tái)具有低損耗、高光學(xué)非線性和高拉曼增益、可實(shí)現(xiàn)靈活的色散調(diào)控、硅基片上集成等特點(diǎn)，非常適合于實(shí)現(xiàn)可調(diào)諧的片上拉曼激光器。

近日，西安交通大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院電子陶瓷與器件教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室任巍教授和牛剛教授團(tuán)隊(duì)利用機(jī)械剝離獲得少層二硫化鉬材料制備具有背柵結(jié)構(gòu)和納米級(jí)溝道長(zhǎng)度的光電晶體管，實(shí)現(xiàn)了較高探測(cè)率(＞1013Jones)和響應(yīng)率(＞103A/W)。