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高穩定金屬膜電阻器用磁控濺射中高阻靶材及制備技術
成果與項目的背景及主要用途： Cr-Si 中高阻膜電阻器具有精度高、噪聲低、溫度系數小、耐熱性和穩定性 好等優點，在精密電子設備和混合集成電路中大量采用。對于濺射制備電阻膜來 說，靶材是至關重要的，它制約著金屬膜電阻器的電阻率、精度、可靠性、電阻 溫度系數（Temperature Coefficient of Resistance, TCR）等性能。電阻溫度系數 (TCR)是金屬膜電阻器的一個重要性能技術指標之一，較大的 TCR 在溫度變化時 會造成電阻值漂移，從而影響電阻器的精度和穩定性。目前國內外生產的金屬膜 電阻器用高阻靶材，其性能不能滿足低 TCR（≤25ppm/℃）要求。 技術原理與工藝流程簡介： 靶材煉制工藝如下圖所示所制備的靶材(382 mm ×128 mm ×14 mm)在濺射成電阻器薄膜后, 電阻溫度 系數小(≤25 ×10-6 / ℃), 電阻值高(要求不刻槽數量級為千歐, 刻槽后數量級為 兆歐)且穩定(隨時間變化小), 因此, 在本靶材研究中, 將選擇 Cr 、Si 作為高阻 靶材的主體材料。由于 C r 、Si 熔點高, 原子移動性低, 因此由其所組成的薄膜 穩定性高。通過在金屬 C r 中引入半導體材料 Si 來提高電阻器合金膜的阻值。 C r 是很好的吸收氣體的金屬元素, 在電阻器薄膜濺射過程中, 可通過通入微量 的氧來提高薄膜的電阻率, 同時調節電阻溫度系數。 技術指標如下： 溫度沖擊實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 過載實驗后 ΔR/R ≤±0 .5 %, 壽命實驗后 ΔR/R ≤±1 .0 %,電阻溫度系數 TCR ≤±20 ×10-6 / ℃。 應用領域： 集成電路、電子元器件 合作方式及條件：具體面議 2 半導體微環激光器 3 基光電集成電路 4 無線網絡與應用：協作無線網絡 5 移動通信—LTE 技術
天津大學
2021-04-11
一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制備方法
一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制備方法 發明專利/實用新型/：發明授權 簡介：本發明公開了一種單分散氧化鎵粉體及其高密度陶瓷靶材的制 備方法，其將純度為 99.99％以上的金屬鎵原料溶解于酸中，配制澄清 的鎵鹽溶液，加入沉淀劑產生沉淀物，將獲得的沉淀經洗滌、過濾、 干燥、煅燒制成單分散超細氧化鎵粉體；用合成的單分散氧化鎵粉體 作為原料，經模壓成型和冷等靜壓強化獲得氧化鎵生坯，將生坯放在 高溫爐
華中科技大學
2021-04-14
一種具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方法與設備
本發明公開了一種具有高粉末原料利用率的高能束增材制造方 法及設備。方法根據待成形金屬構件切片輪廓形狀確定成型缸的內部 結構，使各鋪粉層的金屬粉末盡量只處于待成形金屬構件切片輪廓形 狀對應的區域，以大幅度減少金屬粉末的用量，并提高高能束增材制 造的功效。設備包括一個或多個成型缸，該成型缸的內部結構與待成 形金屬構件切片輪廓形狀相匹配。本發明通過使用鑲塊以及與金屬構 件切片輪廓形狀相適應的異形基板，實現了針對不同金屬構件
華中科技大學
2021-04-14
一種用于高能束增材制造的溫度場主動調控系統及其控制方法
本發明公開了一種梯度溫度場主動調控系統及其控制方法，系 統由溫度場監控系統、加熱系統和控制系統；溫度場監控系統用于測 量成形區域 XOY 平面及四周的溫度場信息，將獲得的溫度場信息進行 量化處理后反饋給控制系統，加熱系統根據控制系統指令對成型缸的 底部和四周進行溫度場的分區獨立實時調節，以實現在加工過程中整 個加工區域的溫度場恒定，保證已加工區域與未加工區域處于合理的 溫度梯度，避免熱應力導致構件翹曲、變形、開裂。本
華中科技大學
2021-04-14
一種可回收重復使用的熱等靜壓用控型模芯、其制造方法及其 應用
本發明公開了一種可回收重復使用的熱等靜壓用控型模芯，包 括芯體、金屬導電層和隔離層，所述芯體由氧化鋁陶瓷制成；所述金 屬導電層由 Ag 制成；所述隔離層由 Fe 制成。本發明控型模芯可回收 重復使用，且控型精度高，采用易腐蝕材料隔離模芯與零件，成形后 僅腐蝕去除隔離層，分離模芯與零件，回收控型模芯；采用高溫強度 高的材料制備控型模芯，模芯在高溫高壓作用下變形小，成形零件精 度誤差相對較小。
華中科技大學
2021-04-14
一種內置PVC-FRP管高強混凝土芯柱的鋼管混凝土異形柱的制作方法
（專利號：ZL 201310543020.9） 簡介：本發明公開了一種內置PVC-FRP管高強混凝土芯柱的鋼管混凝土異形柱的制作方法，屬于土木工程技術領域。該組合柱的制作方法為：（1）制作PVC-FRP管；（2）在PVC-FRP管內綁扎鋼筋，澆筑混凝土，制成PVC-FRP管高強混凝土芯柱；（3）在PVC-FRP管高強混凝土芯柱外綁扎鋼筋，制作帶加勁肋的異形鋼管；（4）在PVC-FRP管高強混凝土芯柱和異形鋼管內澆筑混凝土，制成內置PVC-
安徽工業大學
2021-01-12
一種適用于增材制造的自支撐網狀結構拓撲優化設計方法
本發明屬于結構優化設計相關技術領域，其公開了一種適用于 增材制造的自支撐網狀結構拓撲優化設計方法，其包括以下步驟：(1) 利用 SIMP 材料密度-剛度插值模型，獲取[0，1]之間不同層次實體材 料的密度分布，同時得到宏觀材料布局形式及宏觀位移場；(2)構建基 于參數化水平集方法的優化模型，在宏觀材料布局優化的基礎上，針 對不同的中間密度單元進行微結構構型拓撲優化，并輸出最優細觀微 結構構型。上述方法將支撐結構與所設計結構自身相結合，融合了宏 觀材料布局優化及細觀微結構拓撲優化，避免了在增材制造成型
華中科技大學
2021-04-14
一種適用于增材制造的自支撐網狀結構拓撲優化設計方法
本發明屬于結構優化設計相關技術領域，其公開了一種適用于 增材制造的自支撐網狀結構拓撲優化設計方法，其包括以下步驟:(1) 利用 SIMP 材料密度-剛度插值模型，獲取[0，1]之間不同層次實體材 料的密度分布，同時得到宏觀材料布局形式及宏觀位移場;(2)構建基 于參數化水平集方法的優化模型，在宏觀材料布局優化的基礎上，針 對不同的中間密度單元進行微結構構型拓撲優化，并輸出最優細觀微 結構構型。上述方法將支撐結構與所設計結構自身相結合，融合了宏 觀材料布局優化及細觀微結構
華中科技大學
2021-04-14
一種基于(Ti,M)(C,N)固溶體粉的弱芯環結構新型金屬陶瓷材料
一種基于(Ti,M)(C,N)固溶體粉的弱芯環結構新型金屬陶瓷材料,其原料組分及各組分的重量百分數為10～20%的Co或/和Ni粉末,10～35%的第二類碳化物粉末和余量的(Ti,M)(C,N)固溶體粉,所述(Ti,M)(C,N)固溶體粉中M為W、Mo、V、Cr、Ta、Nb中的至少一種,所述第二類碳化物為WC、VxC(0
四川大學
2021-04-11
一種耦合變壓器型直流斷路器用空芯脈沖變壓器及其參數獲取 方法
本發明提供了一種耦合變壓器型直流斷路器用空芯脈沖變壓器 及其參數獲取方法，空芯脈沖變壓器包括原方繞組、副方繞組、原方 繞組高壓端、原方繞組低壓端、副方繞組高壓端、副方繞組低壓端、 副方繞組匝間絕緣膜、原方繞組匝間絕緣膜、主絕緣膜和絕緣支撐架； 副方繞組沿絕緣支撐架徑向繞制，副方繞組具有徑向電壓梯度，且副 方繞組的匝間絕緣由副方繞組匝間絕緣膜實現；副方繞組低壓端和原 方繞組低壓端之間采用主絕緣膜絕緣；原方繞組繞制在主絕緣膜外， 且原方繞組的匝間絕緣由原方繞組匝間絕緣膜實現。
華中科技大學
2021-04-14