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本發(fā)明公開了一種 IC 芯片安全剝離裝置，包括安裝板、位置調(diào)整機(jī)構(gòu)、滑臺機(jī)構(gòu)、頂針機(jī)構(gòu)以及真空發(fā)生器；所述頂針機(jī)構(gòu)包括：套筒，安裝于滑臺上；直線電機(jī)，安裝于套筒內(nèi)，其控制端連接外部控制中心的輸出端；直線傳動機(jī)構(gòu)，安裝于套筒內(nèi)，其下端與直線電機(jī)的輸出軸相接；力傳感器，安裝于直線電機(jī)的輸出軸和直線傳動機(jī)構(gòu)之間，其信號輸出端連接外部控制中心的輸入端；頂針座，安裝于套筒頂部，其表面開有氣孔，通過該氣孔與真空器氣管連接；頂針夾持件，安裝于頂針座內(nèi)，與直線傳動機(jī)構(gòu)的上端相接；頂針，被頂針夾持件夾持。本發(fā)明采用閉

本發(fā)明公開了一種紅外液晶相控陣芯片。該芯片包括電控液晶調(diào)相微柱陣列；其包括液晶材料層，依次設(shè)置在液晶材料層上表面的液晶初始取向?qū)印㈦姼綦x層、圖形化電極層、基片和紅外增透膜，以及依次設(shè)置在液晶材料層下表面的液晶初始取向?qū)印㈦姼綦x層、公共電極層、基片和紅外增透膜；圖形化電極層由陣列分布的子電極構(gòu)成，每個子電極均由正方形或長方形導(dǎo)電膜構(gòu)成；電控液晶調(diào)相微柱陣列被劃分成陣列分布的電控液晶調(diào)相微柱，其與子電極一一對應(yīng)，單個

公司產(chǎn)權(quán)保護(hù)，芯片加密問題。

成果與項目的背景及主要用途： 人類通過視覺系統(tǒng)獲取的信息占獲取信息總量的 80%以上，如果說計算機(jī)相當(dāng)于人類的大腦，那么圖像傳感器則相當(dāng)于人類的眼睛。圖像傳感器作為圖像信息獲取最重要和最基本的技術(shù)在信息世界中將占據(jù)著極其重要的地位。半導(dǎo)體圖像傳感器相比傳統(tǒng)的膠片成像具有可實時處理和顯示、數(shù)字輸出、便于儲存和管理等諸多優(yōu)勢，正在迅速成為圖像傳感器發(fā)展的主導(dǎo)力量。CMOS 圖像傳感器相對于 CCD 圖像傳感器具有單片集成、低功耗、低成本、體積小、圖像信息可隨機(jī)讀取等一系列優(yōu)點。在手機(jī)拍照、PC 攝像、機(jī)器視覺、視頻監(jiān)控等諸多領(lǐng)域已經(jīng)取代了 CCD 圖像傳感器。 技術(shù)原理與工藝流程簡介： （1）時間延遲積分型 CMOS 圖像傳感器芯片通過 0.18µm 1P4M CMOS 工藝完成了對最高 128 級線陣長度為 1024 像素的TDI 型 CMOS 圖像傳感器芯片的設(shè)計、投片和測試工作。 （2）具有緊湊讀出的多次積分動態(tài)范圍擴(kuò)展 CMOS 圖像傳感器提出了一種通過多次積分?jǐn)U展動態(tài)范圍的方法，采用緊湊讀出方式，以降低對對讀出電路的工作速度要求。成功流片 128×128 陣列原型，動態(tài)范圍可以擴(kuò)展39dB,像素讀出時間相對于滾筒是曝光增加了 3 倍。 應(yīng)用前景分析及效益預(yù)測： 該領(lǐng)域開始向著高清專業(yè)攝像、高精度工業(yè)和醫(yī)療成像、抗輻射太空成像等專業(yè)高端領(lǐng)域邁進(jìn)。CCD 傳感器的衰退之勢難以挽回，CMOS 將在未來幾年保持優(yōu)勢地位。2015 年，CMOS 出貨量將達(dá)到 36 億個，份額達(dá) 97%；而 CCD 出貨量將下降到只有 9520 萬個，占 3%份額。 應(yīng)用領(lǐng)域： CMOS 圖像傳感器廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類、工業(yè)和科技等各個領(lǐng)域。民用領(lǐng)域：拍照手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、可視門鏡、攝像機(jī)、汽車防盜等；工業(yè)領(lǐng)域：生產(chǎn)監(jiān)控、安全監(jiān)控等。 技術(shù)轉(zhuǎn)化條件： 四十平方米以上的辦公用房，電腦、工作站若干，相應(yīng)軟件。也可以和 RFID天線制造單位，卡片封裝單位共同合作。 合作方式及條件：根據(jù)具體情況面議

本項目以制備超快高儲能柔性器件為導(dǎo)向，建立基于界面納米復(fù)合材料的新技術(shù)。通過水熱法和電化學(xué)方法在柔性導(dǎo)電基底上構(gòu)建納米陣列/金摻雜二氧化錳的三維納米復(fù)合電極，作為正極；通過水熱法和熱處理法在柔性導(dǎo)電基底上生長多孔氧化鐵納米復(fù)合材料，作為負(fù)極，組裝全固態(tài)薄膜器件。利用納米復(fù)合材料的多方面優(yōu)勢加速電子/離子在活性材料中的傳遞，進(jìn)而達(dá)到超快高儲能的目的。基于納米復(fù)合材料的全固態(tài)薄膜器件可展現(xiàn)出超快充電能力（10 V/s），比常規(guī)電容器的充電時間快10-100倍。這是國際上基于金屬氧化物贗電容薄膜型超級電容器研究領(lǐng)域的一個重大突破。此外，本項目以開發(fā)超快超柔儲能器件為導(dǎo)向，開發(fā)了一種熱力學(xué)誘導(dǎo)自發(fā)組裝和原位摻雜結(jié)合碳熱還原的方法來實現(xiàn)石墨烯納米篩粉體和薄膜的宏觀可控制備，解決了傳統(tǒng)石墨烯材料縱向物質(zhì)傳輸差的局限。通過控制碳熱溫度，可以調(diào)節(jié)石墨烯納米篩表面的孔密度，即孔徑大小可控（10~100 nm）。與傳統(tǒng)石墨烯薄膜電極相比，石墨烯納米篩表面豐富的孔結(jié)構(gòu)使得其作為電極材料時擁有更大的比表面積，而且電解質(zhì)離子可以在垂直于平面的軸向上傳遞，縮短了離子傳輸路徑。

利于層狀納米材料比表面積大的特點，在碳基柔性襯底上制備了高性能柔性 超級電容器，及葡萄糖傳感器。超級電容器的能量密度最大為50.2Whkg-1,功 率密度為8002 W kg-1 at 17.6 Wh kg-1,充電1分鐘能點亮兩只綠色LED燈3 到5分鐘。性能處于國際先進(jìn)水平，成果先后發(fā)表于JALC0M , 714(2017) 63-70； 763 (2018) 926-934 等。

傳統(tǒng)觸控傳感器使用IT0透明導(dǎo)電膜，IT0透明導(dǎo)電膜存在工藝復(fù)雜（中國 目前以從日本進(jìn)口為主，國內(nèi)尚不能高品質(zhì)自主生產(chǎn)）、價格高昂（IT0核心材 料鋼為稀有金屬）、不能彎折等缺點，基于智能交互設(shè)備數(shù)量的急劇增加、交互 場景、方式需求增加等原因，觸控行業(yè)一直在積極尋找替代IT0的新型材料。 重慶大學(xué)能源與動力工程學(xué)院孫寬研究員團(tuán)隊，通過多年在導(dǎo)電材料領(lǐng)域的深入 研究，使用有機(jī)聚合物作為基礎(chǔ)導(dǎo)電材料，在低溫環(huán)境下涂布制作出了柔性透明 導(dǎo)電膜。這種新型柔性導(dǎo)電膜不僅擁有與IT0同等的光電表現(xiàn)，比IT0成本更低,而且具備強(qiáng)柔性的優(yōu)勢，可在觸控產(chǎn)業(yè)鏈里對IT0進(jìn)行有效替代，為未來智能設(shè) 備創(chuàng)造更多的觸控形態(tài)和交互方式。

一種Si-Mn-O玻璃態(tài)物質(zhì)中控制Si-Mn形核、生長的動力學(xué)方法，實現(xiàn)了毫米級長度的Mn5Si3 @SiO2柔性納米電纜（圖1）。單根納米線中，不論殼層厚度、還是電芯尺寸均表現(xiàn)出令人吃驚的均勻性（尺寸波動<4%），同時展現(xiàn)出極好的柔性與自支撐特性，不同彎曲程度下電阻幾乎沒有任何變化。統(tǒng)計電阻率數(shù)值為1.28 - 3.84×10-6 Ωm，最大耐受電流為1.22 - 3.54×107 A cm-2，分別為同等測試條件下同等尺寸銀納米線的10倍與1/3。這樣一根導(dǎo)線在300℃的溫度下，24小時的測試時間內(nèi)，電阻率保持不變，證明其能夠長時間在高溫環(huán)境中正常工作。 在1 mol/L的HCl溶液中模擬強(qiáng)酸性環(huán)境，發(fā)現(xiàn)I-V特性幾乎和空氣環(huán)境中一致；在較長的一段時間內(nèi)，原位監(jiān)測導(dǎo)線在溶液中的電學(xué)特性變化，發(fā)現(xiàn)性能并無衰退。進(jìn)一步，在溶液中外加矩形波電場，模擬復(fù)雜的外部干擾信號，導(dǎo)線僅由于電容效應(yīng)發(fā)生十分微小的電阻變化。另外，同樣考察了其耐氧化特性，放在30%雙氧水溶液中20小時，電阻未發(fā)生明顯變化。上述實驗數(shù)據(jù)充分證明所設(shè)計的復(fù)合納米電纜能夠在高溫、酸性及強(qiáng)氧化性等極端環(huán)境下正常工作，同時能夠抵抗復(fù)雜的電場信號干擾。

山東大學(xué)燃煤污染物減排國家工程實驗室開發(fā)的柔性電極濕式靜電除塵技 術(shù)，利用靜電除塵原理，采用新型耐酸堿腐蝕性優(yōu)良的柔性陽極材料，整套裝 置細(xì)顆粒物去除效率 83~87%，協(xié)同脫除酸霧>80%，水霧>95%，汞>70%，系 統(tǒng)可靠，零堿耗、零水耗、零廢水、無腐蝕，適用于鈣法\氨法脫硫和硫酸脫氨 尾氣治理。經(jīng)過以中國工程院秦裕琨院士為主任、任陣海院士為副主任的鑒定 委員會鑒定，為國內(nèi)唯一擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的濕式靜電除塵技術(shù)，成果達(dá) 國際領(lǐng)先水平。