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錦正茂 硅二極管DT640-BC型裸片溫度計小型溫度傳感器1.4K-500K
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨的標(biāo)定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨特的優(yōu)勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；
※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應(yīng)時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-08-05
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西安交大科研人員在多波長高性能二硫化鉬場效應(yīng)晶體管光電探測器的研究取得新進展
近日，西安交通大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院電子陶瓷與器件教育部重點實驗室任巍教授和牛剛教授團隊利用機械剝離獲得少層二硫化鉬材料制備具有背柵結(jié)構(gòu)和納米級溝道長度的光電晶體管，實現(xiàn)了較高探測率(＞1013Jones)和響應(yīng)率(＞103A/W)。
西安交通大學(xué)
2023-02-02
技術(shù)需求：工業(yè)級SLA打印機二極管泵浦固體激光Nd:YVO4波長的控制研發(fā)控制程序的編程研發(fā)
工業(yè)級SLA打印機二極管泵浦固體激光Nd:YVO4波長的控制研發(fā)控制程序的編程研發(fā)
臨沂拓普三維科技有限公司
2021-08-24
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化學(xué)學(xué)院劉志偉課題組報道d-f躍遷稀土發(fā)光配合物在單發(fā)光層白光有機發(fā)光二極管中的應(yīng)用
近日，劉志偉在Light: Science & Applications雜志上發(fā)表了題為“Lanthanide complexes with d-f transition: new emitters for single-emitting-layer white organic light-emitting diodes”的論文，該工作合成了具有d-f躍遷發(fā)光性質(zhì)的天藍光發(fā)射的鈰(III)配合物Ce-TBO2Et和橙紅光發(fā)射的銪(II)配合物Eu(Tp2Et)2，利用兩種發(fā)光材料構(gòu)建的SEL-WOLEDs發(fā)光效率高且發(fā)光顏色穩(wěn)定。研究表明，主體材料不參與傳能過程且低能量的橙紅光材料的質(zhì)量摻雜濃度可高達5wt%，體現(xiàn)了d-f躍遷稀土發(fā)光配合物應(yīng)用于SEL-WOLEDs時可簡化傳能過程和器件制備工藝的優(yōu)勢。
北京大學(xué)
2023-08-22
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云南大學(xué)化學(xué)科學(xué)與工程學(xué)院陳建華副研究員在Nature Materials發(fā)表有效免疫應(yīng)力影響的可拉伸有機電化學(xué)晶體管文章
該項研究成果指出了一種能有效免疫復(fù)雜應(yīng)力影響的可拉伸OECT及其傳感器的新方法，通過結(jié)合有序蜂窩狀半導(dǎo)體聚合物制備方法與雙向預(yù)拉伸技術(shù)，成功研制了最高可拉伸至140%的OECT，且其輸出特性在可拉伸范圍內(nèi)保持了高度穩(wěn)定。
云南大學(xué)
2022-06-09
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《自然·通訊》報道西安電子科技大學(xué)郝躍院士團隊研制出國際最高功率優(yōu)值13.2 GW/cm2氧化鎵二極管并首次在氧化鎵中實現(xiàn)空穴超注入效應(yīng)
近期，西安電子科技大學(xué)郝躍院士團隊張進成教授、周弘教授等在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵功率器件研究方面取得重要進展，研制出一種新型的空穴超注入p-NiO/n-Ga2O3半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)二極管。
西安電子科技大學(xué)
2022-08-30