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本項(xiàng)目結(jié)合計(jì)算機(jī)視覺、自然語言處理、內(nèi)鏡影像學(xué)、早期腫瘤診療學(xué)技術(shù)，創(chuàng)建消化道腫瘤內(nèi)鏡下智能早診早篩體系，大幅提高內(nèi)鏡檢查質(zhì)量和消化道腫瘤早診早篩水平。 一、項(xiàng)目分類 顯著效益成果轉(zhuǎn)化 二、成果簡介 消化道腫瘤是嚴(yán)重威脅全球人群健康的重大疾病。早診早治是改善患者生存率的重要策略，然而，項(xiàng)目組多年流行病學(xué)研究揭示，我國消化道早期腫瘤檢出率低、漏診誤診率高，檢查質(zhì)量參差不齊，嚴(yán)重危害患者生命。 基于此，本項(xiàng)目結(jié)合計(jì)算機(jī)視覺、自然語言處理、內(nèi)鏡影像學(xué)、早期腫瘤診療學(xué)技術(shù)，創(chuàng)建消化道腫瘤內(nèi)鏡下智能早診早篩體系，大幅提高內(nèi)鏡檢查質(zhì)量和消化道腫瘤早診早篩水平。具體為：1）首創(chuàng)消化內(nèi)鏡全局智能監(jiān)測與無盲區(qū)掃查技術(shù)，開辟內(nèi)鏡質(zhì)控新路徑。使胃鏡檢查盲區(qū)率降低45%、腸鏡檢查合格率提高1.78倍、腺瘤檢出率提高1.12倍，確立我國在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位；2）發(fā)明“邏輯擬人化”消化道高危病灶動態(tài)探查方法，使胃瘤變漏診率降低78%，推動智能內(nèi)鏡臨床應(yīng)用；3）創(chuàng)建實(shí)時(shí)監(jiān)測與智能反饋內(nèi)鏡檢查質(zhì)量方法，使醫(yī)生胃癌前狀態(tài)檢出率提高1.33倍，腸腺瘤檢出率提高0.88倍，顯著提高消化內(nèi)鏡檢查質(zhì)量；4）研制消化內(nèi)鏡人工智能輔助診斷主機(jī)，實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)動態(tài)多模態(tài)預(yù)測，系統(tǒng)延遲小于 48ms，全面滿足臨床需求。 在消化內(nèi)鏡人工智能領(lǐng)域發(fā)表論文影響因子排名世界第一，引領(lǐng)研究方向，共發(fā)表相關(guān)研究論文52篇，其中中華系列論文25篇，SCI論文27篇，影響因子9分及以上21篇，單篇最高45分。制定專家共識及行業(yè)指南3項(xiàng)、國家專業(yè)醫(yī)療質(zhì)量控制指標(biāo)18項(xiàng)。該項(xiàng)目獲批國家發(fā)明專利34項(xiàng)，成功轉(zhuǎn)化發(fā)明專利14項(xiàng)，所孵化產(chǎn)品獲國家醫(yī)療器械創(chuàng)新審批，獲中國、歐盟II類注冊認(rèn)證共7項(xiàng)。在中德500余家三甲及基層醫(yī)院落地應(yīng)用，覆蓋近2000萬人；技術(shù)相關(guān)應(yīng)用直接經(jīng)濟(jì)效益達(dá)5億元，社會經(jīng)濟(jì)效益顯著。 獲2021年湖北省技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)、2021年歐洲消化疾病周國家學(xué)術(shù)獎(jiǎng)、2020年中國十佳消化道領(lǐng)域臨床研究獎(jiǎng)等。樊代明院士和李兆申院士評價(jià)該成果極大推動我國消化道早癌防治事業(yè)的發(fā)展。

本發(fā)明涉及用于同時(shí)檢測Cu2+,Pb2+,Cd2+的陣列式薄膜傳感器及基制備方法,以p型或n型Si片作基底,在基底上依次為SiO2層,對Cu2+,Pb2+,Cd2+敏感的三種薄膜;該薄膜傳感器是通過激光脈沖沉積技術(shù)在SiO2表面上制備三種敏感薄膜,采用激光沉積技術(shù)把三個(gè)敏感材料分別制備在SiO2表面上,最后形成三種陣列式薄膜傳感器.它對溶液中的Cu2+,Pb2+,Cd2+具有選擇性,能檢測出Cu2+,Pb2+,Cd2+的含量.本發(fā)明可在江河湖泊,生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域(如血液,體液),工業(yè)廢水,中藥,蔬菜,水果,茶葉等領(lǐng)域中對Cu2+,Pb2+,Cd2+同時(shí)進(jìn)行定性和定量檢測.

本發(fā)明公開了一種用于薄膜太陽能電池的碳基光子晶體背反射器，由兩種結(jié)構(gòu)不同的光子晶體疊加構(gòu)成，其結(jié)構(gòu)為[A/B]mAE[C/D]nC，其中A；B；C；D；E的厚度分別為d1=50nm，d2=100nm，d3=70nm，d4=140nm，d5=120nm，m；n為兩種光子晶體的周期數(shù)，m取3，n取4。其制備方法是：RF-PECVD法在普通載玻片上交替沉積a-Si:H和a-C薄膜。本發(fā)明的碳基光子晶體背反射器，具有一維光子晶體全角反射，可實(shí)現(xiàn)600—1300nm光波段平均75%的反射率，增加光波在太陽能電池吸收層中的傳播光程，提高光子利用效率，增加光電流密度和光電轉(zhuǎn)換效率。制備工藝簡單。

本發(fā)明公開了一種基于開槽結(jié)構(gòu)的四分之一模基片集成波導(dǎo)濾波器，包括四分之一模基片集成波導(dǎo)弧形腔，四分之一模基片集成波導(dǎo)弧形腔通過基片集成波導(dǎo)圓形腔沿任意兩條相互垂直的磁壁分割得到，四分之一模基片集成波導(dǎo)弧形腔包括介質(zhì)基片，介質(zhì)基片的上表面設(shè)有上金屬層，介質(zhì)基片的下表面設(shè)有下金屬層，介質(zhì)基片中沿四分之一模基片集成波導(dǎo)弧形腔的周向均勻分布有貫穿上金屬層和下金屬層的金屬通孔。本發(fā)明相對于傳統(tǒng)的基片集成波導(dǎo)圓形腔有效實(shí)現(xiàn)了小型化。并且，相對于傳統(tǒng)的多層結(jié)構(gòu)，本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，加工方便。此外，相對于傳統(tǒng)的微帶結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的濾波器品質(zhì)因數(shù)高，損耗小。

本發(fā)明公開了一種基于多核處理器的高速印花機(jī)圖像數(shù)據(jù)旋轉(zhuǎn)處理系統(tǒng)，包括數(shù)據(jù)接收設(shè)備、數(shù)據(jù)解析處理設(shè)備、數(shù)據(jù)傳輸通道和數(shù)據(jù)輸出設(shè)備。本發(fā)明還公開了一種基于多核處理器的高速印花機(jī)圖像數(shù)據(jù)旋轉(zhuǎn)處理方法，其通過以太網(wǎng)接口接收數(shù)據(jù)，利用處理器的多個(gè)核并行處理數(shù)據(jù)，由FPGA實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的輸出。相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明系統(tǒng)及方法能夠大大提高數(shù)據(jù)的旋轉(zhuǎn)效率以及吞吐量，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)碼印花機(jī)的高效能產(chǎn)出。

本發(fā)明公開了一種基于多核處理器的高速印花機(jī)圖像數(shù)據(jù)旋轉(zhuǎn)處理系統(tǒng)，包括數(shù)據(jù)接收設(shè)備、數(shù)據(jù)解析處理設(shè)備、數(shù)據(jù)傳輸通道和數(shù)據(jù)輸出設(shè)備。本發(fā)明還公開了一種基于多核處理器的高速印花機(jī)圖像數(shù)據(jù)旋轉(zhuǎn)處理方法，其通過以太網(wǎng)接口接收數(shù)據(jù)，利用處理器的多個(gè)核并行處理數(shù)據(jù)，由FPGA實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的輸出。相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明系統(tǒng)及方法能夠大大提高數(shù)據(jù)的旋轉(zhuǎn)效率以及吞吐量，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)碼印花機(jī)的高效能產(chǎn)出。

本發(fā)明公開一種帶水合反應(yīng)器的復(fù)合吸收劑循環(huán)捕捉CO2的裝置及方法，該裝置包括煅燒?還原反應(yīng)器(1)、冷凝器(2)、水合反應(yīng)器(3)、空氣反應(yīng)器(4)、碳酸化反應(yīng)器(5)、換熱器(6)以及各部分之間的連接管道；該循環(huán)捕捉CO2的方法為：鈣銅基復(fù)合吸收劑中的Ca(OH)2和CaO與進(jìn)入碳酸化反應(yīng)器的煙氣反應(yīng)，捕捉CO2；固體產(chǎn)物在煅燒?還原反應(yīng)器中與通入其中的CH4反應(yīng)，產(chǎn)生高濃度CO2；部分反應(yīng)后的固體進(jìn)入水合反應(yīng)器改善孔隙結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)反應(yīng)活性；活化后的復(fù)合吸收劑進(jìn)入空氣反應(yīng)器完成銅基載氧體的再生。本發(fā)明使用鈣循環(huán)耦合化學(xué)鏈工藝實(shí)現(xiàn)了低能耗捕捉煙氣中的CO2，同時(shí)借助水合反應(yīng)抑制吸收劑碳酸化性能衰退。

本發(fā)明公開了一種高靈敏的ZnO/AlN核鞘納米棒陣列紫外光探測器的制備方法，包括如下步驟：在藍(lán)寶石襯底上生長ZnO納米棒陣列；采用磁控濺射法在ZnO納米棒上濺射不同厚度的AlN鞘層薄膜；采用濺射法或者電子束蒸鍍分別在ZnO/AlN核鞘納米棒陣列兩端制備具有歐姆接觸的金屬電極，構(gòu)成完整的器件。本發(fā)明通過簡單的磁控濺射方法，控制濺射時(shí)間，在ZnO納米棒上生長不同厚度、表面光滑均一的AlN鞘層薄膜，制備的ZnO/AlN核鞘光探測器件不僅具有更好的紫外光響應(yīng)，在360nm紫外光照射下，電壓為5V時(shí)，明暗電流比為5.5×103，提高了一個(gè)數(shù)量級，同時(shí)具有更快速的響應(yīng)和恢復(fù)時(shí)間，分別是0.883和0.956s。