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西安智多晶微電子有限公司，成立于2012年，總部位于西安，北京設(shè)立有EDA軟件研究中心。創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)擁有三十多年豐富的FPGA設(shè)計(jì)制造經(jīng)驗(yàn)，曾就職于海外該領(lǐng)域領(lǐng)先企業(yè)，并擔(dān)任多個(gè)專業(yè)方向技術(shù)帶頭人。核心團(tuán)隊(duì)來(lái)自于國(guó)內(nèi)各知名院校和優(yōu)秀的FPGA研發(fā)團(tuán)隊(duì)，是國(guó)內(nèi)目前集硬軟件設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售最具競(jìng)爭(zhēng)力的高科技企業(yè)。公司專注可編程邏輯電路器件技術(shù)的研發(fā)，并為系統(tǒng)制造商提供高集成度、高性價(jià)比的可編程邏輯器件、可編程邏輯器件IP核、相關(guān)軟件設(shè)計(jì)工具以及系統(tǒng)解決方案。賦能產(chǎn)業(yè)，“芯”系未來(lái)，是智多晶的奮斗愿景，團(tuán)隊(duì)致力于在LED驅(qū)動(dòng)、視頻監(jiān)控、圖像處理、工業(yè)控制、4G/5G通信網(wǎng)絡(luò)、數(shù)據(jù)中心等各行業(yè)應(yīng)用充分發(fā)揮FPGA的方案優(yōu)勢(shì)，以市場(chǎng)和客戶為導(dǎo)向，幫助合作伙伴提升其核心競(jìng)爭(zhēng)力。公司目前已實(shí)現(xiàn)55nm、40nm工藝中密度FPGA的量產(chǎn)，并針對(duì)性推出了內(nèi)嵌Flash、SDRAM等集成化方案產(chǎn)品，截至2018年已批量發(fā)貨2KK片。通過嚴(yán)謹(jǐn)科學(xué)的設(shè)計(jì)，360度圍繞客戶的技術(shù)支持及服務(wù)，以及貫穿全流程的高標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試管理，我們正在為更多的行業(yè)合作伙伴提供最符合需求的高性價(jià)比FPGA整體解決方案。點(diǎn)擊上方按鈕聯(lián)系科轉(zhuǎn)云平臺(tái)進(jìn)行溝通對(duì)接！

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隨著光伏產(chǎn)業(yè)的高速的發(fā)展，硅錠切割產(chǎn)生的切割廢料也將出現(xiàn)井噴式的增長(zhǎng)。僅2012年一年，我國(guó)就用了23萬(wàn)噸的多晶硅，產(chǎn)生了近25萬(wàn)噸的粒度≤5mm的二次切割廢料(SiC和Si)，回收廠家院內(nèi)廢料堆積如山，粉塵飛揚(yáng)，環(huán)境惡劣。而粒度≤5mm的二次切割廢料(SiC和Si)中的SiC和晶體Si粉都是通過高能耗、高成本制備出來(lái)的，所以如能將這些廢料得以回收利用，不僅減少了環(huán)境污染，也會(huì)產(chǎn)生出巨大的經(jīng)濟(jì)效益。特別是如能將二次廢料中價(jià)值最高的晶體硅粉得以回收并再用于制造太陽(yáng)能多晶硅，這對(duì)我國(guó)減少多晶硅的進(jìn)口是有重要意義的，所以說(shuō)，從晶體硅切割廢料中回收多晶硅是今后一個(gè)重要的發(fā)展方向。 （1）本項(xiàng)目可從多晶硅切割廢料中提取出太陽(yáng)能級(jí)多晶硅，其技術(shù)含量高、生產(chǎn)成本低、能耗小。生產(chǎn)的多晶硅可以替代國(guó)外進(jìn)口產(chǎn)品，減少我國(guó)多晶硅的進(jìn)口量，這對(duì)降低光伏能源成本，實(shí)現(xiàn)光伏能源的普及有重要意義。 (2) 本項(xiàng)目同時(shí)生產(chǎn)的副產(chǎn)品碳化硅制品的最大特點(diǎn)耐高溫和耐磨性等性能遠(yuǎn)好于同類產(chǎn)品，且價(jià)格遠(yuǎn)優(yōu)于國(guó)內(nèi)同類產(chǎn)品，因此該副產(chǎn)品有著廣闊的市場(chǎng)前景，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng)。該副產(chǎn)品作為耐火材料可廣泛應(yīng)用于冶金、陶瓷、能源、化工等行業(yè)。如鋼鐵廠高爐的爐窯內(nèi)襯和鋼包內(nèi)襯、電解鋁廠鋁電解槽的側(cè)部、火法煉鋅的罐體的內(nèi)襯等；如陶瓷行業(yè)所用窯爐內(nèi)所用的窯板和棚板等。 (3) 產(chǎn)品附加值高：由于本項(xiàng)目所用原料主要是來(lái)源于光伏行業(yè)產(chǎn)生的切割廢料，原料的來(lái)源豐富且價(jià)格便宜，產(chǎn)品的科技含量高，生產(chǎn)成本低，故產(chǎn)品的附加值高。本項(xiàng)目擁有CN103086378A, CN101941699A, CN102275925A, CN102241399A, CN101724902A, CN101671022B等多項(xiàng)專利。

本發(fā)明公開了一種用于多晶硅鑄錠爐的隔熱塊，設(shè)置在多晶硅鑄錠爐的坩堝底部外周，用于坩堝加熱或冷卻多晶硅過程中的隔熱保溫，該隔熱塊為中空方形筒體結(jié)構(gòu)，筒體筒壁為中空夾層結(jié)構(gòu)，其中內(nèi)壁用于包覆設(shè)置在坩堝底部的熱交換塊外周壁面，且該內(nèi)壁與所述熱交換塊外周壁面具有間隙，所述外壁用于與設(shè)置在坩堝外圍的豎直隔熱板固定接觸，所述坩堝中心線、熱交換塊中心線以及隔熱塊中心線重合，且所述隔熱塊頂部低于熱交換塊頂部。本發(fā)明還公開了具有

一種磷鍺鋅多晶體的合成方法,工藝采用兩溫區(qū)實(shí)時(shí)溫度監(jiān)控、磷氣相輸運(yùn)和機(jī)械振蕩、溫度振蕩相結(jié)合的新方法,原料采用高純度的ZN、GE、P,配料的摩爾比為鋅∶鍺∶磷=1∶1∶2,磷的加入量在按上述摩爾比計(jì)算出的重量基礎(chǔ)上增加0.05～0.1%。合成工藝步驟:①坩堝的清洗與干燥;②裝料;③合成。合成所采用的坩堝由本體和進(jìn)料管構(gòu)成,本體為兩端封閉的石英玻璃管,本體的一端為A,另一端為B,在距本體B端端部的長(zhǎng)度為X處設(shè)置有凹槽,該凹槽的深度H為本體內(nèi)徑D的1/2～2/3,進(jìn)料管相貫在距本體B端端部長(zhǎng)度為X的部段內(nèi),其進(jìn)料口與凹槽槽口方向相反,其軸線與本體軸線的夾角Β為45°～70°。

該項(xiàng)目針對(duì)多晶硅太陽(yáng)能光伏電池成套設(shè)備中太陽(yáng)能光伏電池絲網(wǎng)印刷、自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)、燒結(jié)系統(tǒng)、自動(dòng)分揀系統(tǒng)等高端設(shè)備進(jìn)行研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，形成了晶硅太陽(yáng)能光伏電池生產(chǎn)線和成套設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)能力，打破了國(guó)外相關(guān)高端設(shè)備的壟斷局面，為我省相關(guān)產(chǎn)業(yè)的良性發(fā)展提供技術(shù)支撐。該成套設(shè)備具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán),聯(lián)合體已擁有發(fā)明專利8件,實(shí)用新型專利21件。 該項(xiàng)目的特色與創(chuàng)新之處主要體現(xiàn)在如下幾個(gè)方面：1）基于視覺的高速精密定位理論與技術(shù)；2）有效降低破損率的高速、高精度印刷技術(shù)；3）均勻熱場(chǎng)形成技術(shù)