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Al-Si 合金具有低膨脹系數(shù)，良好的耐磨性及鑄造性能，在內(nèi)燃機活塞、缸 體壓等發(fā)動機動力傳動件制造領(lǐng)域廣泛應用。過共晶 Al-Si 合金的微觀組織中 通常存在五瓣星狀、板片狀、八面體和其他復雜相貌的初晶 Si，這些分布在該 合金基體中的較粗大初晶 Si，嚴重割裂了合金基體，在外力作用下，合金中的 Si 相尖端和棱角部位易引起局部應力集中，從而明顯降低了合金的力學性能， 尤其是影響其塑性、強度、耐熱性和熱疲勞性能的提高。與此同時，在過共晶 Al-Si 合金中，初晶 Si 易出現(xiàn)集聚現(xiàn)象，嚴重降低了合金的各項性能。要改善 過共晶 Al-Si 合金的性能,必須同時對共晶 Si、初晶 Si 進行良好的細化處理，細 化、球化初晶 Si，才能使其得以廣泛應用。目前國內(nèi)外實際生產(chǎn)中通常采取加 磷（P）的方法，亦稱磷變質(zhì)（細化）處理。含磷變質(zhì)劑主要包括磷鹽或赤磷復 合變質(zhì)劑及含磷中間合金。其主要存在問題如下： (1)磷鹽或赤磷復合變質(zhì)劑：處理過程中產(chǎn)生大量有害氣體，環(huán)境污染嚴重， 效果不穩(wěn)定，廢品率高。 (2) Cu-P 中間合金：熔點高，加入后難熔化；密度大，易沉淀偏析。 基于上述行業(yè)背景，本課題組研制開發(fā)了一種應用于發(fā)動機活塞、壓鑄合 金熔體變質(zhì)處理的新型 Al-P 晶種合金

本發(fā)明之非晶鐵磷合金/V8C7復合鍍層，所述復合鍍層的基體材質(zhì)為非晶態(tài)Fe-P合金，F(xiàn)e 含量為復合鍍層的60-89wt%（優(yōu)選70-85wt%），P 含量為復合鍍層的10-30wt%（優(yōu)選12-22wt%），所述復合鍍層中含有固體微粒V8C7，含量為復合鍍層的1-10wt%（優(yōu)選3-7wt%）。復合鍍層可以含有各種不同的金屬或合金以及各種不同類型的微粒，其技術(shù)適用性和實用性寬廣，具有較強的可變性和可操作性，應用將日益廣泛。

目前在工業(yè)上廣泛采用的CVD技術(shù)制備硅膜，工藝和設(shè)備復雜，成本高，且在安全和環(huán)保環(huán)節(jié)上投入巨大。我們在國內(nèi)首創(chuàng)出了微晶硅薄膜的PVD法沉積工藝，在溫度低于300度的條件下，在單晶硅片和普通玻璃片上制備出不同結(jié)晶度的微晶硅薄膜和納米結(jié)構(gòu)硅薄膜，可以得到具有高度<111>方向取向生長的微晶硅薄膜，并實現(xiàn)了控制工藝的穩(wěn)定性和可重復性。利用磁控濺射技術(shù)成功實現(xiàn)微晶硅薄膜的制備是一項重大突破，從根本上克服了現(xiàn)有技術(shù)的缺點，具有綠色、高效、簡單等優(yōu)點。目前需要合作伙伴，把該實驗室技術(shù)放大到工業(yè)規(guī)模。

一種提高四針狀氧化鋅晶須抗菌性能的方法，其步驟是：A、將外觀為白色粉狀的四針狀氧化鋅晶須加入到酒石酸鉀鈉的水溶液中形成糊狀或懸濁液，攪拌10～30分鐘，所述的酒石酸鉀鈉和四針狀氧化鋅晶須的摩爾比為0.1～1∶100，；再在攪拌狀態(tài)下緩慢加入與酒石酸鉀鈉等摩爾量氯化銅的水溶液；之后，繼續(xù)攪拌30～60分鐘；最后，經(jīng)過濾、洗滌、烘干，得表面原位沉積有納米酒石酸銅的四針狀氧化鋅晶須復合物粉末；B、將復合物粉末在氫氣氣氛中升溫至270～300℃保溫15～60分鐘，冷卻至室溫，即得。該方法得到的粉末抗菌力強，4小時殺菌率為98.5％～99.9％；且成本低廉，使用中不變色、易于推廣。

本發(fā)明公開了一種通過施加低電平脈沖實現(xiàn)微納尺寸 GST 相變 材料非晶化率連續(xù)變化的控制方法，包括控制非晶化率連續(xù)單調(diào)增大 和連續(xù)單調(diào)減小的操作，通過利用兩個或兩個以上的連續(xù)脈沖的幅值、 寬度和間隔等三個參量綜合自適應變化精確控制焦耳熱產(chǎn)生，繼而實 現(xiàn) GST 相變材料晶化率的連續(xù)變化，具體包括步驟：對相變存儲單元 施加具有一定參量的兩個或兩個以上的連續(xù)脈沖；在連續(xù)脈沖的作用 下，相變材料獲得一定的熱量，使部分相變材

本項目針對礦井瓦斯爆炸早期探測與抑制的技術(shù)難題，采用實驗與光譜分析方法，得到了瓦斯爆炸感應器內(nèi)自由基變化的光學特征及其辨識方法，并以此為基礎(chǔ)，利用量子化學軟件分析瓦斯爆炸微觀動力學過程，得出了瓦斯爆炸感應器內(nèi)的關(guān)鍵基元反應、自由基和其圍觀動力學參數(shù)，以及微觀反應與宏觀現(xiàn)象的關(guān)系，為瓦斯爆炸抑爆技術(shù)提供理論支持，受到國內(nèi)相關(guān)研究人員的普遍認可。項目成果在國內(nèi)外重要期刊發(fā)表學術(shù)論文13篇（9篇已刊出，4篇已錄用），其中SCI源刊1篇，EI源刊5篇（2篇已收錄），CA收錄2篇，CSCD收錄及中文核心期刊5篇，完成碩士學位論文2篇。

我校物理與材料科學學院新組建的天體物理團隊，與中國科學院國家天文臺合作，在太陽暗條感應爆發(fā)研究領(lǐng)域取得新進展。 太陽暗條是懸浮于太陽高溫稀薄大氣中冷而密的等離子體。暗條爆發(fā)是觸發(fā)太陽耀斑和日冕物質(zhì)拋射等嚴重影響近地空間環(huán)境太陽爆發(fā)事件的重要誘因。多個暗條間的感應爆發(fā)是一種常見的暗條爆發(fā)形式，但是，由于高質(zhì)量觀測數(shù)據(jù)積累有限等客觀條件的限制，對于此類暗條爆發(fā)完整過程的觀測報道較為罕見，因此，相應的物理圖像也難以獲得直接的觀測證據(jù)支持。近期，安徽大學物理與材料科學學院天體物理團隊張軍、宋志平、汪鵬和中國科學院國家天文臺侯義軍、李婷等人綜合利用空基和地基太陽觀測數(shù)據(jù)，并借助非線性無力場外推方法，對一個典型暗條感應爆發(fā)事件的完整物理過程進行了詳細研究。從感應爆發(fā)發(fā)生前的磁場位型、發(fā)生時的觀測特征和發(fā)生后的磁場重構(gòu)等角度構(gòu)建一個完備的演化證據(jù)鏈條，揭示了暗條感應爆發(fā)過程的完整物理圖像，并指出發(fā)生在兩個暗條上覆磁場間的外部磁重聯(lián)及其造成的上覆磁場重構(gòu)觸發(fā)了暗條間的感應爆發(fā)。

1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統(tǒng) 針對高壓IGBT器件內(nèi)部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統(tǒng)（如圖1所示），可實現(xiàn)電壓波形參數(shù)、溫度和氣壓的靈活調(diào)控，用于研究電壓類型（交、直流、重復方波電壓）、波形參數(shù)、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關(guān)參數(shù)：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調(diào)，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯(lián)均流實驗系統(tǒng) 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯(lián)均流實驗系統(tǒng)（如圖3所示），平臺具有靈活調(diào)節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數(shù)、寄生參數(shù)以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關(guān)斷過程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究，以及瞬態(tài)電流不均衡調(diào)控方法的研究；平臺相關(guān)參數(shù)：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯(lián)均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統(tǒng) 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰(zhàn)。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環(huán)測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環(huán)測試，最多可實現(xiàn)12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數(shù)、壓力均獨立可調(diào)，功率循環(huán)周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結(jié)溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現(xiàn)漏電流和閾值電壓的實時在線監(jiān)測，最多可實現(xiàn)32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內(nèi)部并聯(lián)多芯片電流及結(jié)溫測量方法及實現(xiàn) 高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部芯片瞬態(tài)電流及結(jié)溫測量是器件多物理量均衡調(diào)控及狀態(tài)監(jiān)測的基本手段，針對器件內(nèi)部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現(xiàn)了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結(jié)構(gòu)設(shè)計，設(shè)計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現(xiàn)臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)芯片結(jié)溫測量，提出了壓接型IGBT器件結(jié)溫分布測量的時序溫敏電參數(shù)法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結(jié)溫的測量，進而等效獲得一個周期內(nèi)各IGBT芯片的結(jié)溫分布。在此基礎(chǔ)上，完成了集成于高壓大功率器件內(nèi)部的多芯片并聯(lián)電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數(shù)測量驅(qū)動板的設(shè)計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯(lián)電流均衡調(diào)控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調(diào)控等方面工作，相關(guān)成果支撐了國家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

本發(fā)明公開了一種在低信噪比情況下提取設(shè)備物理指紋特征的方法，接收機接收到低信噪比的信號后，在不破壞設(shè)備物理指紋的情況下進行降噪處理，然后從降噪后的信號中提取設(shè)備的物理指紋特征，方法中涉及的信號需要包括重復序列，或重復發(fā)送的多幀信號內(nèi)有不變的部分，包括步驟：接收到低信噪比信號后，估計信號的頻率和相位，估計信號重復序列上調(diào)制的信息數(shù)據(jù)，獲得極性相同的多個重復序列，并將其對齊和疊加以提高信噪比；最后通過物理層指紋提取方法提取設(shè)備的物理指紋并用于設(shè)備身份識別。本發(fā)明可以在信噪比低的情況下有效地提取設(shè)備的物理層指紋特征，有效地解決了基于設(shè)備物理指紋的設(shè)備識別方法在現(xiàn)實應用中必須面臨的低信噪比問題。

本發(fā)明提供了一種基于粒子群多物理場協(xié)同優(yōu)化的高效感應電機輕量化方法,包括:根據(jù)高效感應電機的主要尺寸、額定數(shù)據(jù)等參數(shù),給出高效感應電機的電磁設(shè)計總體目標；對電機定轉(zhuǎn)子拓撲結(jié)構(gòu)進行選擇,確定電機的可行性方案集；選定高效感應電機電磁設(shè)計初步方案；采用智能算法對高效感應電機進行成本優(yōu)化,得到高效感應電機的成本最優(yōu)；采用磁路法及電磁場有限元并行方式對高效感應電機的工作特性和主要運行數(shù)據(jù)進行計算；采用有限元法對高效感應電機的溫度場進行校核；對優(yōu)化后電機的重量與電磁設(shè)計初步方案中計算出的重量相比較進行計算。本發(fā)明實現(xiàn)了高效感應電機輕量化的目標,并采用多物理場對優(yōu)化后的結(jié)果進行校核,保證計算結(jié)果的準確性。