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一種抗黑條矮縮病載體及抗黑條矮縮病轉(zhuǎn)基因水稻培育
本成果提供了一種包含特定 RNAi 片段的可有效控制水稻黑條矮縮病的專用載體，將該載體轉(zhuǎn)入水稻獲得的轉(zhuǎn)基因水稻對黑條矮縮病毒近乎免疫， 生長全程均不需要采取對該病毒病的任何防治措施。
揚州大學(xué)
2021-04-14
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用于一氧化氮氧化的莫來石型復(fù)合氧化物催化劑
本發(fā)明公開了一種用于一氧化氮氧化的催化劑，其特征在于， 所述催化劑為莫來石型復(fù)合氧化物，化學(xué)通式為 A1-xA'xB2-yB'yO5， 其中，A 和 A'各自獨立地為稀土金屬或堿土金屬元素中的一種，B 和 B'各自獨立地為過渡族金屬元素中的一種，且 0≤x≤1，0≤y≤2。該 催化劑可以在較寬的溫度范圍內(nèi)高效地將一氧化氮催化氧化為二氧化 氮，且成本低，具有很好的熱穩(wěn)定性，能長時間保持較高的催化活性， 明顯提高汽車尾氣
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲器的柵電極及其制備方法
本發(fā)明公開了一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲器的柵電極及其制 備方法；柵電極包括 n 個依次成階梯狀排列的柵電極單元，每個柵電 極單元為柱狀結(jié)構(gòu)，由連通電極和包圍在連通電極周圍的絕緣側(cè)壁構(gòu) 成；所述連通電極的上表面用于連接?xùn)艑?，下表面用于連接字線。本 發(fā)明適用于在字線等前道工藝完成后制備連接?xùn)艑拥碾姌O結(jié)構(gòu)。此電 極結(jié)構(gòu)呈階梯狀連接不同堆疊層且相對應(yīng)的柵層，對疊層中非相對應(yīng) 的柵層與柵電極之間通過絕緣層隔離
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種針對偏振光束與磁光材料作用下偏振態(tài)時間分辨譜的檢測 系統(tǒng)
本發(fā)明屬于偏振檢測設(shè)備領(lǐng)域，并公開了一種針對偏振光束與 磁光材料作用下偏振態(tài)時間分辨譜的檢測系統(tǒng)，該檢測系統(tǒng)包括高壓 脈沖發(fā)生器、火花隙、電光 Q 開關(guān)、連續(xù)激光器、飛秒激光器、聚光 透鏡、第一偏振棱鏡、第二偏振棱鏡和偏振測量儀；連續(xù)激光器用于 產(chǎn)生連續(xù)激光；第一偏振棱鏡用于使所述連續(xù)激光的 P 偏振光通過； 飛秒激光器產(chǎn)生的脈沖激光可打開電光 Q 開關(guān)，從而讓所述測量光束 依次穿過電光 Q 開關(guān)、第二偏振棱鏡后和磁
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種非易失性高密度三維半導(dǎo)體存儲器件及其制備方法
本發(fā)明公開了一種非易失性高密度三維半導(dǎo)體存儲器件及其制 備方法，包括由多個垂直方向的三維 NAND 存儲串構(gòu)成的存儲串陣列； 每個三維 NAND 存儲串包括半導(dǎo)體區(qū)域以及圍繞半導(dǎo)體區(qū)域的四層包 裹結(jié)構(gòu)；半導(dǎo)體區(qū)域包括溝道以及分別與溝道兩端連接的源極和漏極； 源極與漏極串聯(lián)連接；溝道為方柱形結(jié)構(gòu)；四層包裹結(jié)構(gòu)從里到外依 次為隧穿電介質(zhì)層、電荷存儲層、阻隔電介質(zhì)層以及控制柵電極；阻 隔電介質(zhì)層在不同的方向具有不同的厚度，
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種雙碟片串接的泵浦光多程傳輸系統(tǒng)及碟片固體激光器
本發(fā)明公開了一種雙碟片串接的泵浦光多程傳輸系統(tǒng)，該系統(tǒng) 包括第一離軸拋物面反射鏡，第一直角反射鏡組，其位于所述第一離 軸拋物面反射鏡的反射光路上；第一碟片激光晶體，置于第一離軸拋 物面反射鏡焦點處；球面反射鏡，第二離軸拋物面反射鏡，其與所述 第一離軸拋物面反射鏡相對于過所述球面鏡球心的平面α對稱設(shè)置； 第二直角反射鏡組，其位于所述第二離軸拋物面反射鏡反射光路上； 第二碟片激光晶體，其與所述第一碟片激光晶體相對于過所述
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種 H.264/AVC 中 4x4 子宏塊的并行幀內(nèi)預(yù)測方法
本發(fā)明公開了一種 H.264/AVC 中 4x4 子宏塊的并行幀內(nèi)預(yù)測方 法，包括以下步驟：統(tǒng)一幀內(nèi)預(yù)測公式、參考值數(shù)組、參考位置表和 并行幀內(nèi)預(yù)測的具體執(zhí)行步驟，統(tǒng)一幀內(nèi)預(yù)測公式是根據(jù) CUDA 和幀 內(nèi)預(yù)測計算公式的特性改進(jìn)而成的，通過將 9 種預(yù)測模式對應(yīng)的預(yù)測 公式變換成一個計算公式，滿足了 CUDA 多線程單指令多數(shù)據(jù)流的需 求，實現(xiàn)了幀內(nèi)預(yù)測子宏塊中細(xì)粒度并行，參考值數(shù)組及參考位置表 是為了配合統(tǒng)一幀內(nèi)預(yù)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種納米二氧化鈦-液晶-丙烯酸酯分散液的制備方法
本發(fā)明公開了一種納米二氧化鈦-液晶-丙烯酸酯分散液的制備方 法，包括以下步驟：（1）將丙烯酸酯單體與液晶均勻混合，制得液晶 -丙烯酸酯溶液；加入去離子水，調(diào)節(jié) pH 值在 1 至 2 之間；然后加入 表面活性劑，均勻混合后形成乳濁液；（2）向其中添加二氧化鈦前驅(qū) 體，通過水解縮合反應(yīng)，生成納米二氧化鈦顆粒，均勻分散于混合液 中；（3）向其中加入硅烷偶聯(lián)劑，進(jìn)行硅烷偶聯(lián)改性，制得含表面改 性納米二氧化鈦的液晶-丙烯酸酯
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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一種克服高頻點突變耐藥、高成藥性的抗EGFR西妥昔單抗突變體
EGFR（表皮生長因子受體）是一種重要的腫瘤靶點，與多種惡性腫瘤的發(fā)生和發(fā)展有關(guān)。西妥昔單抗作為靶向EGFR的單克隆抗體藥物在轉(zhuǎn)移性結(jié)直腸癌的治療中具有重要地位，其安全性和有效性已在臨床上得到廣泛驗證，已從三線治療藥物躍居至一線治療藥物。
然而，在用藥過程中EGFR胞外區(qū)耐藥點突變的產(chǎn)生大大限制了西妥昔單抗的療效，其中一些高頻點突變?nèi)鏢492R、G465R可使西妥昔單抗完全失去結(jié)合EGFR的能力，患者用藥后獲益大打折扣。當(dāng)前臨床上仍缺乏有效的抗體新藥應(yīng)對EGFR胞外區(qū)點突變介導(dǎo)的西妥昔單抗耐藥問題。
因此，探索高效率的抗體藥物開發(fā)策略用于開發(fā)能夠有效逆轉(zhuǎn)EGFR胞外區(qū)點突變耐藥的抗體新藥，并應(yīng)對臨床上越發(fā)頻現(xiàn)的因靶標(biāo)受體發(fā)生點突變而導(dǎo)致的耐藥是迫切需要解決的臨床問題。
研究團(tuán)隊針對行業(yè)痛點開發(fā)了計算機輔助設(shè)計的抗體快速定向進(jìn)化技術(shù)，發(fā)現(xiàn)西妥昔單抗可變區(qū)上的一個或兩個點突變即可逆轉(zhuǎn)多種EGFR的獲得性點突變耐藥，西妥昔單抗突變體可完全恢復(fù)對耐藥點突變受體的結(jié)合能力，同時保留原有抗體的其他生物學(xué)功能（如CDC、ADCC），從而以最小改動最大限度保留了抗體突變體的成藥性。該技術(shù)為臨床上獲得性點突變耐藥提供了高效率解決方案，可極大加快抗體新藥研發(fā)進(jìn)程。
浙江大學(xué)
2023-06-20
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一種手性的1-（3,5-二氯吡啶-4-基）-乙醇的合成方法
本發(fā)明公開了一種1-（3,5-二氯吡啶-4-基）-乙醇的不對稱合成方法，包括以下步驟：（A）3,5-二氯吡啶（I）在胺基鋰的作用下與乙醛反應(yīng)生成（±）-1-（3,5-二氯吡啶-4-基）-乙醇（II）；（B）（±）-1-（3,5-二氯吡啶-4-基）-乙醇（II）在氧化劑的作用下生成1-（3,5-二氯吡啶-4-基）-乙酮（III）；（C）1-（3,5-二氯吡啶-4-基）-乙酮在手性配體存在下與硼烷試劑反應(yīng)，制得單一光學(xué)異構(gòu)體的1-（3,5-二氯吡啶-4-基）-乙醇（IV）。該法較傳統(tǒng)手性柱分離（±）-1-（3,5-二氯吡啶-4-基）-乙醇相比，優(yōu)點突出：（1）反應(yīng)簡單，易于操作，總收率高，光學(xué)純度大于98%；（2）工業(yè)制備周期明顯縮短，設(shè)備要求低；（3）制備成本低，是適合工業(yè)生產(chǎn)的方法。
四川大學(xué)
2017-12-28