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梯狀有機(jī)半導(dǎo)體是一類非常重要的半導(dǎo)體材料， 這類半導(dǎo)體具有剛性結(jié)構(gòu)、高共面性及載流子高度離域等特性，從而有利于實(shí)現(xiàn)高遷移率的晶體管器件，　因此梯狀有機(jī)半導(dǎo)體對材料的基本物理化學(xué)性質(zhì)研究和高性能有機(jī)半導(dǎo)體的開發(fā)都具有重要意義。梯狀有機(jī)半導(dǎo)體材料通常富有電子，在電子器件中作為p-型半導(dǎo)體使用。由于合成挑戰(zhàn)和同時(shí)拉電子基團(tuán)帶來的空間位阻，缺電子的梯狀n－型有機(jī)半導(dǎo)體材料非常稀缺，難以合成，相對于p-型半導(dǎo)體載流子遷移率要低、器件穩(wěn)定性要差。酰亞胺高分子半導(dǎo)體是有機(jī)電子領(lǐng)域最為重要的半導(dǎo)體材料之一，由于酰亞胺的強(qiáng)拉電子效應(yīng)，迄今為止高性能的n-型有機(jī)半導(dǎo)體材料通常都帶有酰亞胺或酰胺基團(tuán)。郭旭崗從博士期間在國際上率先并系統(tǒng)性地研究了各類酰亞胺高分子半導(dǎo)體材料及其在有機(jī)場效應(yīng)晶體管和有機(jī)太陽能電池中的應(yīng)用，并實(shí)現(xiàn)了突出的器件性能（Chem. Rev. 2014, 114, 8943-9021）。 雙噻吩酰亞胺是一個(gè)重要的梯狀有機(jī)半導(dǎo)體構(gòu)建單體， 前期工作中郭旭崗以雙噻吩酰亞胺為單體成功構(gòu)建一系列高性能有機(jī)半導(dǎo)體材料（Nature Photonics, 2013, 7, 825-833; J. Am. Chem. Soc. 2011, 133, 1405-1418; J. Am. Chem. Soc. 2012, 134, 18427-18439; J. Am. Chem. Soc. 2015, 137, 12565-12579; Adv. Mater. 2012, 24, 2242-2248）。 郭旭崗課題組結(jié)合梯狀有機(jī)半導(dǎo)體的優(yōu)勢，對雙噻吩酰亞胺進(jìn)行了拓展，合成了一系列具有可調(diào)控共軛長度的梯狀n-型有機(jī)半導(dǎo)體材料。這一系列材料具有精確的化學(xué)結(jié)構(gòu)、易溶液加工、高共面性、良好的結(jié)晶度、可調(diào)控的光電性質(zhì)及半導(dǎo)體能級結(jié)構(gòu)。當(dāng)用于有機(jī)場效應(yīng)晶體管中實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的n-型半導(dǎo)體器件性能， 電子遷移率達(dá)到0.05 cm2 V-1 s-1。這一系列材料為基礎(chǔ)的物理化學(xué)性質(zhì)研究和高性能的有機(jī)半導(dǎo)體開發(fā)提供了良好的平臺。

在梯形雙噻吩酰亞胺小分子的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)并成功合成了一系列具有半梯形結(jié)構(gòu)的全受體類型均聚物PBTIn（n = 1-5），并深入研究了這些材料的構(gòu)性關(guān)系。實(shí)驗(yàn)表明，均聚物的聚合方法選擇至關(guān)重要，通過Stille和Yamamoto偶聯(lián)方法對比發(fā)現(xiàn)，Stille聚合能夠得到高分子量、低缺陷態(tài)、高性能的高分子半導(dǎo)體；采用全受體結(jié)構(gòu)能夠有效拉低前沿軌道能級，基于這些均聚物材料的有機(jī)薄膜晶體管都表現(xiàn)出良好的單極性n-型性能，晶體管器件的關(guān)電流僅為10 ?9 -10 ?10 A，電流開關(guān)比高達(dá)10 6 ；晶體管遷移率性能與構(gòu)建單元長度反向關(guān)聯(lián)，PBTI1的最高電子遷移率為3.71 cm 2  V -1  s -1 ，該遷移率是全受體均聚物材料中的最高紀(jì)錄，比PBTI5的電子遷移率高出兩個(gè)數(shù)量級。? 通過深入表征發(fā)現(xiàn)，這一系列全受體類型均聚物表現(xiàn)出來的晶體管遷移率趨勢與其半導(dǎo)體薄膜結(jié)構(gòu)有序度直接相關(guān)。拉曼光譜表明，梯形構(gòu)建單元共軛長度的增加帶來較大的單體間扭轉(zhuǎn)角，影響聚合物骨架的平面性。同步輻射X射線衍射表明，梯形構(gòu)建單元的增長使得聚合物薄膜中π-π堆積方向的結(jié)晶性降低，不利于電子的分子間傳輸。這些結(jié)果表示，較長的單體結(jié)構(gòu)會對聚合物薄膜形貌和載流子傳輸造成負(fù)面影響，因此發(fā)展更長的梯形構(gòu)建單元對全受體類型均聚物遷移率的提升不會帶來幫助。該研究表明全受體結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)高性能單極性n-型聚合物材料的有效途徑，同時(shí)為n-型梯形小分子和聚合物的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和發(fā)展提供重要參考依據(jù)。

設(shè)計(jì)并成功合成了兩種新型噻唑酰亞胺缺電子受體單元,并在其基礎(chǔ)上得到全受體類型均聚物PDTzTI（圖1a）。單晶XRD分析表明，DTzTI單體中存在S…N非共價(jià)鍵相互作用因而平面性較好，單體間的π堆積也非常緊密，非常適合構(gòu)建全受體聚合物。噻唑酰亞胺的強(qiáng)拉電子能力也使得聚合物的前沿軌道能級較低，有利于晶體管中電子注入并提升器件穩(wěn)定性，同時(shí)抑制空穴注入和降低器件關(guān)電流。基于PDTzTI的有機(jī)薄膜晶體管器件表現(xiàn)出優(yōu)異的單極性n-型輸運(yùn)性能（圖1b）。晶體管電子遷移率達(dá)到1.6 cm 2  V -1  s -1 ，關(guān)電流僅為10 ?10 -10 ?11 A，因而電流開關(guān)比高達(dá)10 7 -10 8 。該遷移率是全受體均聚物材料中的最高紀(jì)錄，同時(shí)在晶體管關(guān)電流和開關(guān)比性能上顯著優(yōu)于常見給體-受體共聚物材料，表明全受體結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)單極性n-型聚合物材料的有效途徑,為新型受體單元和單極性n-型材料的設(shè)計(jì)提供重要參考依據(jù)。

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成果簡介國內(nèi)十字軸式萬向聯(lián)軸器制造企業(yè)都具有相對穩(wěn)定的產(chǎn)品種類， 其日常設(shè)計(jì)的主要方式是基于基型產(chǎn)品的修改設(shè)計(jì)。 為了實(shí)現(xiàn)十字軸式萬向聯(lián)軸器產(chǎn)品的快速設(shè)計(jì)、 提高其設(shè)計(jì)質(zhì)量和節(jié)省設(shè)計(jì)成本， 我們采用先進(jìn)的軟件開發(fā)技術(shù)， 在產(chǎn)品數(shù)據(jù)庫的支持下， 開發(fā)了一套面向十字軸式萬向聯(lián)軸器的智能參數(shù)化 CAD 系統(tǒng)， 可以完成產(chǎn)品關(guān)鍵零部件的參數(shù)化 CAD 圖紙的自動(dòng)繪制功能， 并可對產(chǎn)品圖檔信息進(jìn)行有效地管理。成熟程度和所需建設(shè)條件本項(xiàng)目已經(jīng)成功應(yīng)用于泰爾重工股份有限公

該工作提出了小分子受體的全新設(shè)計(jì)思路，以多環(huán)芳烴為核心，極大地縮短了光伏材料合成步驟，為發(fā)展高效、低成本的有機(jī)太陽能電池提供了新的材料體系。

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本發(fā)明公開了一種 SH2B 銜接蛋白 3(SH2B3)在治療心肌肥厚中的功能及應(yīng)用。本發(fā)明確定了 SH2B3 基因的表達(dá)與心肌肥厚之間的相互關(guān)系:心肌肥厚發(fā)生時(shí) SH2B3 的表達(dá)明顯上調(diào);SH2B3 基因 缺陷抑制 Akt 信號通路的激活，抑制了心肌肥厚、纖維化，保護(hù)心功能;SH2B3 

膨脹型阻燃劑(IFR)一般是以 P、N、C 為主要核心成分的復(fù)合 阻燃劑(或單體阻燃劑)，可用于多種易燃聚合物的阻燃。膨脹型阻 燃劑作為一類高效低毒的環(huán)保型阻燃劑，被公認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)阻燃劑無 鹵化的有效途徑之一，因此在高分子材料阻燃領(lǐng)域中極具應(yīng)用潛力。我們將 N、P、S 三種有效阻燃元素組裝于單一分子內(nèi)，設(shè)計(jì)出 一類新型分子內(nèi)協(xié)效膨脹型阻燃劑。該類阻燃劑在 PC+ABS 工程塑 料中少量添加即可以實(shí)現(xiàn)高效阻燃，具有環(huán)保低毒，阻燃效果好等 優(yōu)點(diǎn)。 項(xiàng)目特色： 利用有機(jī)合成的方法合成一系列適應(yīng)市場需求的新型膨脹型 N- P-S 磷系阻燃劑，目前已經(jīng)研發(fā)成功的品種包括“六（4-甲氧基苯磺酸 鈉）環(huán)三磷腈”，“ 六（4-氨基苯磺酸鈉）環(huán)三磷腈”，“ 六（2-氨基乙 磺酸鈉）環(huán)三磷腈”等，生產(chǎn)工藝科學(xué)，環(huán)保高效，生產(chǎn)過程簡單，生 產(chǎn)成本低。

鋁合金結(jié)晶組織的微細(xì)化會顯著提高鋁材的強(qiáng)韌性、組織均勻性、致密性、 耐蝕性、加工工藝性和表面質(zhì)量等，并減少偏析和裂紋等諸多鑄造缺陷。目前， 國內(nèi)外通常采用 Al-Ti-B 或 Al-Ti-C 中間合金來細(xì)化晶粒，但 Al-Ti-B 中間合金 126 的形核襯底質(zhì)點(diǎn) TiB2 本身的直徑大小在 0.5-3.0μm，而且往往以較大的聚集團(tuán) 形式存在，如此大的顆粒團(tuán)在加入到鋁合金中后會帶來一系列的副作用。而普 通 Al-Ti-C 中間合金細(xì)化效果不穩(wěn)定，易衰退，難以滿足鋁制品產(chǎn)品質(zhì)量的要 求。 Al-Ti-C 中間合金之所以細(xì)化效果不穩(wěn)定和容易衰退，是由于其中的 TiCx 晶體存在較多碳空位，從而使之失穩(wěn)，且隨 TiCx中碳空位數(shù)量的增加，Al 原子 在 TiCx 表面的偏聚及有序化受到抑制，由原來的完全共格逐漸轉(zhuǎn)變?yōu)椴煌耆?格。因此，減少 TiCx中的碳空位是提高其結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和生核效率的關(guān)鍵。 研究表明，無空位的 TiC 是鋁的有效生核襯底，在接近凝固點(diǎn)的鋁熔體中， Al 原子能夠依附于其周圍形成一個(gè)完全共格的有序區(qū)，最終促進(jìn) α-Al 生核和鋁 晶粒細(xì)化。經(jīng)過長期的研究和探索發(fā)現(xiàn)，TiCx 中的碳空位可以被原子半徑較小 的 B、N 等原子填充，最終形成摻雜型的 TiCxB1-x和 TiCxN1-x等粒子，從而降低 空位濃度并提高異質(zhì)生核能力。 B 摻雜型 Al-Ti-C 晶種合金中含有大量直徑在 1μm 以下（亞微米）的 TiCxB1-x 晶核襯底粒子，且彌散分布，當(dāng)將該中間合金以微量（0.15%左右）加 入到待細(xì)化的鋁及其合金熔體中后，立即釋放出大量的亞微米級的摻雜型 TiC 晶核，從而使待細(xì)化鋁合金的晶粒組織得到顯著細(xì)化甚至超細(xì)化（指晶粒直徑 在微米級）。因此，采用摻雜型 Al-Ti-C 晶種合金對鋁熔體進(jìn)行晶粒細(xì)化處理 將是鋁加工行業(yè)又一次重要的技術(shù)進(jìn)步。