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已有樣品/n全金屬化源漏FOI FinFET 相比類(lèi)似工藝的常規(guī)FinFET 漏電降低1 個(gè)數(shù)量級(jí)，驅(qū)動(dòng)電流增大2 倍，驅(qū)動(dòng)性能在低電源電壓下達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。由于替代了傳統(tǒng)的源漏SiGe 外延技術(shù)，與極小pitch 的大規(guī)模FinFET 器件的兼容性更好，有助于降低制造成本，提高良品率，具有很高的技術(shù)價(jià)值。

成果創(chuàng)新點(diǎn) 1.在光學(xué)微腔器件的晶體腔加工、PPLN 微腔加工、微 腔耦合與封裝、微腔超高 Q 值檢測(cè)方面，分別提出了先進(jìn) 而完善的實(shí)施方案，并申請(qǐng)了相關(guān)發(fā)明專(zhuān)利。現(xiàn)有晶體微 腔 Q 值國(guó)內(nèi)最高水平 106，國(guó)外達(dá)到 109，本項(xiàng)目可優(yōu)于 108， 從而達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，國(guó)際先進(jìn)水平。 2.在光學(xué)微腔器件應(yīng)用方面，研發(fā)例如超窄線(xiàn)寬激光 器（精密測(cè)量、物理量精密傳感）、超窄線(xiàn)寬濾波器（激 光技術(shù)

1.在光學(xué)微腔器件的晶體腔加工、PPLN 微腔加工、微腔耦合與封裝、微腔超高 Q 值檢測(cè)方面，分別提出了先進(jìn)而完善的實(shí)施方案，并申請(qǐng)了相關(guān)發(fā)明專(zhuān)利?，F(xiàn)有晶體微腔 Q 值國(guó)內(nèi)最高水平 106，國(guó)外達(dá)到 109，本項(xiàng)目可優(yōu)于 108，從而達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，國(guó)際先進(jìn)水平。 2.在光學(xué)微腔器件應(yīng)用方面，研發(fā)例如超窄線(xiàn)寬激光器（精密測(cè)量、物理量精密傳感）、超窄線(xiàn)寬濾波器（激光技術(shù)）等小型化器件的技術(shù)原理和實(shí)現(xiàn)方案。與常規(guī)產(chǎn)品相比，體積可縮小至 500 立方厘米以下，精度可提高 2個(gè)量級(jí)，成本可下降 80%。成果可實(shí)現(xiàn)的光學(xué)微腔器件主要指標(biāo)：研制出光學(xué)晶體微腔，Q 值優(yōu)于 108，根據(jù)用戶(hù)要求研制小型化應(yīng)用模塊。

博志金鉆技術(shù)團(tuán)隊(duì)在磁控濺射領(lǐng)域深耕二十余年，目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、單晶金剛石、單晶碳化硅覆銅板的量產(chǎn)，三英寸陶瓷覆銅板月產(chǎn)能10萬(wàn)片，包括各類(lèi)種子層方案，銅層厚度0.5-100um，表面無(wú)毛刺、劃痕、色差等異樣，350度加熱平臺(tái)烘烤5分鐘不起泡。 一、項(xiàng)目進(jìn)展 已注冊(cè)公司運(yùn)營(yíng) 二、企業(yè)信息 企業(yè)名稱(chēng) 蘇州博志金鉆科技有限責(zé)任公司 企業(yè)法人 潘遠(yuǎn)志 注冊(cè)時(shí)間 2022/3/31 注冊(cè)所在省市 江蘇省 蘇州市 組織機(jī)構(gòu)代碼 91610131MA712U7Q06 經(jīng)營(yíng)范圍 一般項(xiàng)目：技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開(kāi)發(fā)、技術(shù)咨詢(xún)、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣；金屬表面處理及熱處理加工；新材料技術(shù)研發(fā)；新材料技術(shù)推廣服務(wù)；電子元器件制造；集成電路制造；信息安全設(shè)備制造；通信設(shè)備制造；光通信設(shè)備制造；雷達(dá)及配套設(shè)備制造；光電子器件制造；真空鍍膜加工；表面功能材料銷(xiāo)售；金屬基復(fù)合材料和陶瓷基復(fù)合材料銷(xiāo)售；合成材料銷(xiāo)售；有色金屬合金銷(xiāo)售；半導(dǎo)體器件專(zhuān)用設(shè)備制造；新型陶瓷材料銷(xiāo)售；電子元器件零售；電子元器件批發(fā)；泵及真空設(shè)備制造；泵及真空設(shè)備銷(xiāo)售；通用設(shè)備制造（不含特種設(shè)備制造）；玻璃、陶瓷和搪瓷制品生產(chǎn)專(zhuān)用設(shè)備制造；電子專(zhuān)用材料研發(fā)；電子專(zhuān)用材料制造；特種陶瓷制品銷(xiāo)售；半導(dǎo)體器件專(zhuān)用設(shè)備銷(xiāo)售；集成電路設(shè)計(jì)；機(jī)械設(shè)備租賃；租賃服務(wù)（不含許可類(lèi)租賃服務(wù)）（除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外，憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)） 企業(yè)地址 江蘇省 蘇州高新區(qū)長(zhǎng)亭路8號(hào)大新科技園3幢二樓 獲投資情況 2021/07/01蘇州匯伯壹號(hào)創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）天使輪1000萬(wàn)元 2022/03/22蘇州融享進(jìn)取創(chuàng)業(yè)投資合伙企業(yè)（有限合伙）preA輪2500萬(wàn)元 三、負(fù)責(zé)人及成員 姓名 學(xué)院/所學(xué)專(zhuān)業(yè) 入學(xué)/畢業(yè)時(shí)間 潘遠(yuǎn)志 鄧敏航 楊添皓 電子與信息學(xué)部/自動(dòng)化 2020/2024 陶佳怡 管理學(xué)院/大數(shù)據(jù)管理 2020/2024 林子涵 電氣工程學(xué)院/電氣工程及其自動(dòng)化 2020/2024 袁子涵 電氣工程學(xué)院/電氣工程及其自動(dòng)化 2020/2024 牟國(guó)瑜 電氣工程學(xué)院/電氣工程及其自動(dòng)化 2020/2024 楊志鵬 能源與動(dòng)力工程學(xué)院/強(qiáng)基（核工程與核技術(shù)） 2020/2024 田繼森 航天航空學(xué)院/工程力學(xué) 2020/2024 孫浩然 機(jī)械工程學(xué)院/機(jī)械工程 2020/2024 鄭力愷 電氣工程學(xué)院/電氣工程及其自動(dòng)化 2019/2023 王羿淮 管理學(xué)院/工商管理 2019/2025 李青卓 材料科學(xué)與工程學(xué)院/材料科學(xué)與工程 2018/2023 四、指導(dǎo)教師 姓名 學(xué)院/所學(xué)專(zhuān)業(yè) 職務(wù)/職稱(chēng) 研究方向 宋忠孝 材料學(xué)院/材料系 教授、博士生導(dǎo)師 核電領(lǐng)域；電化學(xué)、催化、電池領(lǐng)域；器件、封裝領(lǐng)域：高溫抗氧化燒蝕、高壓抗電弧燒蝕領(lǐng)域；輕量化領(lǐng)域硬質(zhì)涂層領(lǐng)域 王小華 電氣學(xué)院/電機(jī)電器及其控制 教授/博導(dǎo)，國(guó)家級(jí)人才計(jì)劃入選者（特聘教授），國(guó)家級(jí)青年人才計(jì)劃入選者（青年學(xué)者），教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才，陜西省青年科技標(biāo)兵。西安交通大學(xué)未來(lái)技術(shù)學(xué)院/現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)學(xué)院副院長(zhǎng)、實(shí)踐教學(xué)中心（工程坊）副主任、教務(wù)處副處長(zhǎng)、創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)學(xué)院副院長(zhǎng)，CIGRE開(kāi)關(guān)設(shè)備狀態(tài)評(píng)估工作組成員，中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)電器智能化系統(tǒng)及應(yīng)用專(zhuān)委會(huì)委員 開(kāi)關(guān)設(shè)備設(shè)計(jì)、狀態(tài)監(jiān)測(cè)與壽命評(píng)估 田高良 管理學(xué)院/會(huì)計(jì)與財(cái)務(wù) 教授、博士生導(dǎo)師 財(cái)務(wù)預(yù)警；內(nèi)部控制與風(fēng)險(xiǎn)管理；資產(chǎn)評(píng)估；信用管理等 五、項(xiàng)目簡(jiǎn)介 蘇州博志金鉆科技有限責(zé)任公司是一家專(zhuān)門(mén)從事高功率半導(dǎo)體封裝材料研發(fā)生產(chǎn)的公司。以先進(jìn)的陶瓷表面金屬化技術(shù)為核心形成了包括（1）粉體表面改性；（2）熱壓燒結(jié)；（3）研磨、拋光；（4）陶瓷金屬化；（5）增厚、刻蝕；（6）預(yù)制金錫焊料；（7）激光切割等環(huán)節(jié)的完整高端熱沉材料生產(chǎn)體系。公司擁有完整的熱沉材料生產(chǎn)體系，致力于成為“國(guó)產(chǎn)化功率半導(dǎo)體器件熱沉材料領(lǐng)跑者”，為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展添磚加瓦。 博志金鉆技術(shù)團(tuán)隊(duì)在磁控濺射領(lǐng)域深耕二十余年，目前已經(jīng)實(shí)現(xiàn)氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、單晶金剛石、單晶碳化硅覆銅板的量產(chǎn)，三英寸陶瓷覆銅板月產(chǎn)能10萬(wàn)片，包括各類(lèi)種子層方案，銅層厚度0.5-100um，表面無(wú)毛刺、劃痕、色差等異樣，350度加熱平臺(tái)烘烤5分鐘不起泡。博志金鉆目前蘇州主體工廠(chǎng)面積超過(guò)5000平米，含萬(wàn)級(jí)潔凈間。擁有20余臺(tái)研磨拋光設(shè)備、10余臺(tái)燒結(jié)爐、4條臥式連續(xù)鍍膜設(shè)備、5臺(tái)立式鍍膜設(shè)備，以及超聲清洗、噴淋甩干等完善的配套設(shè)備。博志金鉆的工藝流程包括粉體表面改性、熱壓燒結(jié)、研磨/拋光、陶瓷金屬化、增厚/刻蝕、預(yù)制金錫焊料、激光切割，博志金鉆已經(jīng)建立了完善的產(chǎn)品生產(chǎn)管理及質(zhì)量監(jiān)控體系來(lái)進(jìn)行管控，完成了包括ISO9001、14001等認(rèn)證，并不斷完善產(chǎn)品檢測(cè)設(shè)備及手段，確保產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定。 公司積極進(jìn)行產(chǎn)品迭代和技術(shù)儲(chǔ)備，在高功率半導(dǎo)體封裝材料研發(fā)生產(chǎn)領(lǐng)域有著二十余年研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。中國(guó)科學(xué)院院士孫軍教授和國(guó)家萬(wàn)人計(jì)劃領(lǐng)軍人才宋忠孝教授作為本公司首席科學(xué)家領(lǐng)銜公司技術(shù)研發(fā)，進(jìn)行陶瓷金屬化和半導(dǎo)體封裝基板領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)的探索。潘遠(yuǎn)志帶領(lǐng)公司與西安交通大學(xué)表面工程國(guó)際研發(fā)中心、金屬材料強(qiáng)度國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室合作進(jìn)行前沿技術(shù)開(kāi)發(fā)，團(tuán)隊(duì)與蘇州市產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院、高新區(qū)共同設(shè)立蘇州思萃材料表面應(yīng)用技術(shù)研究所，是公司的技術(shù)支持和組織依托。目前公司已完成天使輪、preA輪數(shù)千萬(wàn)融資交割，公司投后估值逾2億元。

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        技術(shù)成熟度：技術(shù)突破         傳統(tǒng)CMOS工藝的圖形處理器通常是由探測(cè)、存儲(chǔ)、處理等多個(gè)分立系統(tǒng)構(gòu)成，不可避免的增加了集成電路的復(fù)雜性、功耗和成本，憶阻器在新型信息存儲(chǔ)器件、存算一體化技術(shù)及人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域有著巨大應(yīng)用潛力。         研發(fā)團(tuán)隊(duì)發(fā)展的感存算一體化新型光電憶阻材料與器件能夠解決傳統(tǒng)人工視聽(tīng)覺(jué)系統(tǒng)在容量、集成度、速度等方面的技術(shù)瓶頸問(wèn)題，是實(shí)現(xiàn)高效智能視聽(tīng)覺(jué)傳感系統(tǒng)的基礎(chǔ)。研發(fā)團(tuán)隊(duì)首次在基于氧化鎢材料憶阻突觸器件的視聽(tīng)覺(jué)系統(tǒng)中模擬了速度檢測(cè)的多普勒頻移信息處理，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)高通濾波和處理具有相對(duì)時(shí)序和頻移的尖峰數(shù)據(jù)。這些結(jié)果為視聽(tīng)覺(jué)運(yùn)動(dòng)感知的模擬提供了新機(jī)會(huì)，促進(jìn)了其在未來(lái)神經(jīng)形態(tài)傳感領(lǐng)域的應(yīng)用。         意向開(kāi)展成果轉(zhuǎn)化的前提條件：中試放大及產(chǎn)業(yè)化工藝開(kāi)發(fā)資金支持

彈簧組件限位式直接拉伸試樣固定裝置，由下位夾具和上位夾具組成，下位夾具包括與試驗(yàn)機(jī)底部加載座連接的下接頭、固定試樣的下端帽、連接下接頭與下端帽的下鏈條、第一螺旋彈簧、第一中心限位機(jī)構(gòu)和第二中心限位機(jī)構(gòu)；上位夾具包括與試驗(yàn)機(jī)頂部加載座連接的上接頭、固定試樣的上端帽、連接上接頭與上端帽的上鏈條、第二螺旋彈簧、第三中心限位機(jī)構(gòu)和第四中心限位機(jī)構(gòu)；所述第一中心限位機(jī)構(gòu)、第二中心限位機(jī)構(gòu)、第三中心限位機(jī)構(gòu)和第四中心限位機(jī)構(gòu)均由彈簧限位組件、支撐件和轉(zhuǎn)接板組成；彈簧限位組件包括圓環(huán)形支座、三根螺桿、三個(gè)帶有外螺紋和內(nèi)螺紋的螺套、三根限位彈簧和三個(gè)限位體。

自1987年美國(guó)柯達(dá)公司的鄧青云C．W．Tang等人報(bào)導(dǎo)了有機(jī)電致發(fā)光以來(lái)，在全世界范圍興起了一場(chǎng)有機(jī)薄膜發(fā)光二極管研究熱潮。有機(jī)薄膜發(fā)光二極管具有主動(dòng)發(fā)光、響應(yīng)快、全固體化、容易實(shí)現(xiàn)彩色化和驅(qū)動(dòng)電壓低等獨(dú)特的優(yōu)越性，是很有潛力的平板顯示器，它將取代現(xiàn)在統(tǒng)治市場(chǎng)的液晶顯示器。然而高亮度、長(zhǎng)壽命和高效率的有機(jī)電致發(fā)光器件是人們一直夢(mèng)寐以求的。 有機(jī)電致發(fā)光器件雖然發(fā)展非常迅速，發(fā)展規(guī)模也是空前的。但是為了得到高亮度、高效率和長(zhǎng)壽命的有機(jī)電致發(fā)光器件，人們對(duì)有機(jī)電致發(fā)光中的一些問(wèn)題并沒(méi)有很好的解決，如由于目前空穴和電子傳輸層材料和制備工藝的限制，用普通有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)：ITO/空穴傳輸層/有機(jī)發(fā)光層/背電極，有如下一些問(wèn)題：發(fā)光層與電極之間的互擴(kuò)散，沒(méi)有足夠高的空穴和電子遷移率，以及注入的空穴與電子不夠平衡等。這些問(wèn)題限制了有機(jī)電致發(fā)光器的進(jìn)一步改善，成為有機(jī)電致發(fā)光器件發(fā)展的重要瓶頸，無(wú)法制備性能優(yōu)異的有機(jī)發(fā)光器件。 技術(shù)特點(diǎn)： 對(duì)有機(jī)薄膜電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)和電子傳輸層材料進(jìn)行改進(jìn)，從而有效提高有機(jī)薄膜電致發(fā)光器件的亮度、效率和壽命。 技術(shù)特點(diǎn)：是在透明電極上，依次制備空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層、電子電勢(shì)補(bǔ)償層和背電極所組成薄膜結(jié)構(gòu)有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于：在有機(jī)發(fā)光層與電子電勢(shì)補(bǔ)償層之間加入電子傳輸層，電子傳輸層采用寬禁帶無(wú)機(jī)材料。 該器件在有機(jī)發(fā)光層與電子電勢(shì)補(bǔ)償層之間加入無(wú)機(jī)電子傳輸層這種結(jié)構(gòu)可以大大改善有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光層與電極之間的擴(kuò)散，注入的空穴與電子的不夠平衡等，使有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光亮度，效率和奉命得到提高。

中試階段/n該項(xiàng)目是采用納米級(jí)別的加工制造技術(shù)制作具備納米級(jí)尺度并且?guī)в幸欢üδ艿墓怆娮悠骷＜{米光電子器件的工作效率更快，能耗更低，具備強(qiáng)大的信息儲(chǔ)存量，且體積和重量明顯的變小。隨著光電器件在通信、照明、傳感器等領(lǐng)域上的運(yùn)用，納米光電器件的制備技術(shù)已經(jīng)受到越來(lái)越重要的關(guān)注。該項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)了一種低成本、大面積、易操作、高效的納米結(jié)構(gòu)制備工藝方法，可實(shí)現(xiàn)在各種材料表面納米結(jié)構(gòu)（50-500nm 直徑納米孔、納