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一種基于憶阻器的超寬帶脈沖信號(hào)產(chǎn)生裝置
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于憶阻器的超寬帶脈沖信號(hào)產(chǎn)生裝置，包 括憶阻器控制電路、方波振蕩電路、超寬帶脈沖產(chǎn)生電路和倍壓電路； 方波振蕩電路的輸入端連接憶阻器控制電路，倍壓電路的輸入端連接 至方波振蕩電路的第一輸出端，脈沖產(chǎn)生電路的第一輸入端連接至倍 壓電路的輸出端，第二輸入端連接至方波振蕩電路的第二輸出端。憶 阻器控制電路包括三極管，方波振蕩電路包括 TTL 門(mén)電路、憶阻器、 射極放大電路，超寬帶脈沖產(chǎn)生電路包括反相器、R
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于憶阻器的多值存儲(chǔ)單元、讀寫(xiě)電路及其操作方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于憶阻器的多值存儲(chǔ)單元、讀寫(xiě)電路及其·717·操作方法；所述基于憶阻的多值存儲(chǔ)單元是利用憶阻器的阻變特性，由多個(gè)憶阻器以特殊的連接方式構(gòu)成。這種連接方式組成的多值存儲(chǔ)單元繼承了憶阻器，體積小，功耗低，可拓展性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。相較于傳統(tǒng)憶阻器存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，所述多值存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)提供了更大的存儲(chǔ)空間，為存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)提供了一種新的思路。所述多值存儲(chǔ)單元的讀寫(xiě)電路包括存儲(chǔ)單元、控制開(kāi)關(guān)以及電壓比較電路。所述讀寫(xiě)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于憶阻器的圖像識(shí)別系統(tǒng)及方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于憶阻器的圖像識(shí)別系統(tǒng)及方法。所述系 統(tǒng)包括圖像信號(hào)提取模塊、多個(gè)基于憶阻器的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模塊和識(shí)別模 塊；所述識(shí)別模塊其輸入端與多個(gè)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模塊的輸出端相連；每個(gè) 神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模塊的輸出端與識(shí)別模塊的輸入端相連，其輸入端與信號(hào)提 取模塊的輸出端相連。所述方法包括以下步驟：（1）獲取待識(shí)別灰度 圖像的特征向量并輸入各神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型；（2）各神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型根據(jù)其 圖像模型對(duì)所述特征向量分別進(jìn)行打分并進(jìn)行識(shí)別；（3
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于憶阻器實(shí)現(xiàn)多層識(shí)別的電路及其控制方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于憶阻器實(shí)現(xiàn)多層識(shí)別的電路及其控制方 法，來(lái)模擬生物大腦的多狀態(tài)(認(rèn)知、熟悉、陌生)認(rèn)知能力。通過(guò)分別 調(diào)節(jié)第二輸入端與第一輸入端信號(hào)脈沖的匹配數(shù)目和第二輸入端信號(hào) 脈沖幅值來(lái)實(shí)現(xiàn)多層次脈沖識(shí)別。第一輸入端輸入信號(hào)代表已存儲(chǔ)在 生物大腦中的樣本信號(hào)，第二輸入端輸入信號(hào)代表生物大腦接收到外 界環(huán)境的刺激信號(hào)，這種識(shí)別方法的原理是通過(guò)控制大腦存儲(chǔ)的樣本 信號(hào)和外界環(huán)境的刺激信號(hào)相互匹配，來(lái)調(diào)控大腦對(duì)于外
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種基于憶阻器的通用編程模塊及其操作方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于憶阻器的通用編程模塊及其操作方法， 可編程模塊包括阻變?cè)㈦娮?R1、第一 N 型 MOS 管、第一 P 型 MOS 管、第二 N 型 MOS 管和第二 P 型 MOS 管；第一 N 型 MOS 管 的漏極和第一 P 型 MOS 管的漏極均連接至阻變?cè)囊欢耍谝?N 型 MOS 管的源極和第一 P 型 MOS 管的源極連接后與電阻 R1 的一端 連接，第一 N 型 MOS 管的柵極與第一 P 型 MOS
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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基于雙反饋法的阻性傳感陣列線性讀出電路及其讀出方法
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于雙反饋法的阻性傳感陣列線性讀出電路。所述讀出電路包括：行多路選擇器、列多路選擇器、掃描控制器、負(fù)恒流源、電壓采樣裝置以及第一運(yùn)算放大器、第二運(yùn)算放大器、第三運(yùn)算放大器；所述負(fù)恒流源的輸出端連接第一運(yùn)算放大器的反相輸入端，第一運(yùn)算放大器的同相輸入端與第二運(yùn)算放大器的同相輸入端連接后接地，第二運(yùn)算放大器的反相輸入端與第二運(yùn)算放大器的輸出端連接，第三運(yùn)算放大器的反相輸入端與第三運(yùn)算放大器的輸出端連接；電壓采樣裝置用于對(duì)第三運(yùn)算放大器的輸出端電壓、第一運(yùn)算放大器的輸出端電壓進(jìn)行檢測(cè)。本發(fā)
東南大學(xué)
2021-04-14
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去阻啟動(dòng)噴動(dòng)床秸稈與煤共催化氣化制燃?xì)饧夹g(shù)
項(xiàng)目簡(jiǎn)介 本成果利用去阻啟動(dòng)噴動(dòng)床為反應(yīng)器，將生物質(zhì)秸稈和煤共催化氣化，產(chǎn)生燃?xì)猓?形成了生物質(zhì)稻草催化水煤氣反應(yīng)低焦油中熱值燃?xì)庵苽涔に嚕捎糜谵r(nóng)村地區(qū)以村鎮(zhèn) 為單位的小型氣化站的建設(shè)。成果已取得發(fā)明專利授權(quán)，ZL 2009 1 0264047.8。 性能指標(biāo) 120kg/h 的生物質(zhì)稻草等與煤、碳酸鈣和水蒸汽共氣化，生成焦油含量低于 10mg/m3 、 熱值 10-15MJ/m3 的農(nóng)村用燃?xì)狻?適用范圍、市場(chǎng)前景
江蘇大學(xué)
2021-04-14
一種基于憶阻的非易失性 D 觸發(fā)器電路
本發(fā)明公開(kāi)了一種基于憶阻器的非易失 D 觸發(fā)器電路；包括憶阻器 ME、定值電阻 R、第一 MOS 管、第二 MOS 管、第三 MOS 管、第一反相器 N1、第二反相器 N2 和第三反相器 N3 以及將憶阻器與定值電阻串聯(lián)構(gòu)成的分壓電路模塊。主要是利用了憶阻的非易失和阻值隨流經(jīng)本身的電荷大小改變的特性，實(shí)現(xiàn)了觸發(fā)器的鎖存以及觸發(fā)功能。本發(fā)明所構(gòu)建 D 觸發(fā)器不僅具有傳統(tǒng)觸發(fā)器的功能，而且具備響應(yīng)速度快以及非易失性的特點(diǎn)
華中科技大學(xué)
2021-04-14
基于憶阻的非易失性存儲(chǔ)器、讀寫(xiě)擦除操作方法及測(cè)試電路
本發(fā)明提供了一種基于憶阻的非易失性存儲(chǔ)器及其讀、寫(xiě)、擦除操作方法以及測(cè)試電路；基于憶阻的非易失性存儲(chǔ)器電路包括憶阻存儲(chǔ)單元、選址開(kāi)關(guān)、控制開(kāi)關(guān)以及分壓電路。本電路的設(shè)計(jì)通過(guò)行列地址信號(hào)對(duì)憶阻存儲(chǔ)單元進(jìn)行選址，通過(guò)外加脈沖信號(hào)對(duì)讀、寫(xiě)、擦除操作進(jìn)行選擇，并提供了基于憶阻的非易失性存儲(chǔ)器的功能測(cè)試電路驗(yàn)證此電路結(jié)構(gòu)的有效性。同時(shí)，在此電路結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，利用憶阻的非易失性原理，探討了對(duì)此基于憶阻的非易失性存儲(chǔ)器電路的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種低阻高通量耐污型水處理膜及其制備方法
項(xiàng)目簡(jiǎn)介 本成果處提供一種低阻高通量耐污型水處理膜，以磺化聚醚砜-聚砜/TiO2超濾膜為 模板，以 FeCl2為還原劑，在基膜孔道內(nèi)原位化學(xué)沉積生成 Fe3O4納米粒子，以獲得 Fe3O4/ 磺化聚醚砜-聚砜/TiO2磁性超濾膜，本成果具有阻力小、通量大、耐污染、壽命長(zhǎng)等優(yōu) 點(diǎn)。 產(chǎn)品性能、指標(biāo) （1）阻力小，使用 TiO2 與膜材料共混增強(qiáng)膜的親水性，增大膜通量，0.1 MPa 下 水通
江蘇大學(xué)
2021-04-14