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層間轉(zhuǎn)角在層狀堆垛的二維材料體系中提供了一個(gè)全新的自由度來調(diào)控其結(jié)構(gòu)與性質(zhì)。近幾年，相關(guān)方面的研究引起了廣泛的關(guān)注。早在2012年，何林課題組就開始關(guān)注轉(zhuǎn)角對雙層石墨烯結(jié)構(gòu)和電學(xué)性質(zhì)的影響，測量了不同轉(zhuǎn)角雙層石墨烯的兩個(gè)范霍夫峰的峰間距能量與轉(zhuǎn)角大小的關(guān)系[1]，并預(yù)言該體系中的準(zhǔn)粒子具有可調(diào)控的手征性[2]，研究了應(yīng)變結(jié)構(gòu)在該體系產(chǎn)生的贗磁場和贗朗道能級[3]。2015年，何林團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)雙層轉(zhuǎn)角石墨烯體系費(fèi)米速度隨角度減小而迅速下降，證明在轉(zhuǎn)角為1.1度(第一魔轉(zhuǎn)角)附近時(shí)費(fèi)米速度降為零[4]，并于2017年，在轉(zhuǎn)角接近魔轉(zhuǎn)角的雙層石墨烯體系觀察到強(qiáng)電子-電子相互作用[5]。2018年初MIT的Pablo課題組在魔角雙層石墨烯觀察到電子-電子相互作用導(dǎo)致的關(guān)聯(lián)絕緣體態(tài)和超導(dǎo)態(tài)，魔角雙層石墨烯物性研究迅速成為過去兩年凝聚態(tài)物理研究的最大熱點(diǎn)。 近期，何林課題組發(fā)展了一套方法，能夠可控地制備利于掃描隧道顯微鏡系統(tǒng)（STM）研究的雙層轉(zhuǎn)角石墨烯，并利用STM研究了小角度雙層石墨烯的性質(zhì)，深入探索該體系由于電子-電子相互作用導(dǎo)致的平帶簡并度解除和新奇強(qiáng)關(guān)聯(lián)量子物態(tài)的關(guān)聯(lián)。例如，何林課題組與合作者發(fā)現(xiàn)當(dāng)小轉(zhuǎn)角體系的平帶被部分填充時(shí)，電子-電子相互作用會(huì)解除平帶的谷贗自旋簡并度，在體系中產(chǎn)生很大的軌道磁矩（每個(gè)莫爾約10μ_B），由于軌道磁矩和磁場的耦合，谷極化態(tài)的劈裂能量會(huì)隨著外加磁場線性增大[6]。同樣的結(jié)果也在應(yīng)變引起的平帶中觀察到了，當(dāng)雙層石墨烯的轉(zhuǎn)角接近魔角時(shí)，體系中微小的應(yīng)變結(jié)構(gòu)可以使兩個(gè)范霍夫峰之間出現(xiàn)一個(gè)新的零能量平帶（贗朗道能級），何林課題組與合作者發(fā)現(xiàn)電子-電子相互作用會(huì)解除贗朗道能級的谷贗自旋簡并度，產(chǎn)生軌道磁性態(tài)[7]。這些結(jié)果表明小轉(zhuǎn)角石墨烯體系是研究二維軌道磁性態(tài)和量子反常霍爾效應(yīng)的理想平臺。在角度大于魔角的小轉(zhuǎn)角雙層石墨烯中，何林課題組與合作者證明電子-電子相互作用依然會(huì)起重要作用，并有可能產(chǎn)生完全不同于魔角雙層石墨烯的新奇強(qiáng)關(guān)聯(lián)量子物態(tài)。例如在1.49度的樣品中，他們證明電子-電子相互作用解除了體系平帶中的自旋和谷贗自旋的簡并度，產(chǎn)生了一種全新的自旋和谷極化的金屬態(tài)[8]，這一結(jié)果進(jìn)一步拓寬了轉(zhuǎn)角體系新奇強(qiáng)關(guān)聯(lián)量子物態(tài)的研究范圍。 除了電學(xué)性質(zhì)受層間轉(zhuǎn)角的調(diào)制，在雙層轉(zhuǎn)角石墨烯體系，由于層間堆垛能與層內(nèi)晶格畸變引起的應(yīng)變能的競爭，其原子結(jié)構(gòu)也會(huì)隨著角度發(fā)生改變。最近，何林課題組系統(tǒng)研究了雙層轉(zhuǎn)角石墨烯結(jié)構(gòu)隨著角度的演化，發(fā)現(xiàn)當(dāng)轉(zhuǎn)角大于魔角時(shí)，體系可以看作兩個(gè)獨(dú)立的剛性石墨烯層發(fā)生扭轉(zhuǎn)，層內(nèi)晶格畸變幾乎可以忽略（定義為非重構(gòu)結(jié)構(gòu)）；當(dāng)轉(zhuǎn)角小于魔角時(shí)，由于莫爾條紋周期較大，層間堆垛能占主導(dǎo)，從而引起晶格畸變產(chǎn)生堆垛的疇界（domain wall）網(wǎng)格（定義為重構(gòu)結(jié)構(gòu)）。這種疇界的兩邊都是Bernal堆垛的雙層石墨烯（分別為AB堆垛和BA堆垛），能傳輸谷極化的電流（圖一）。我們利用STM證明非重構(gòu)和重構(gòu)的兩種結(jié)構(gòu)在魔角附近都能穩(wěn)定存在。進(jìn)一步，我們發(fā)現(xiàn)利用STM針尖脈沖可對魔角雙層石墨烯的非重構(gòu)和重構(gòu)結(jié)構(gòu)進(jìn)行切換，從而開關(guān)其二維導(dǎo)電拓?fù)渚W(wǎng)格。同時(shí)，我們發(fā)現(xiàn)在強(qiáng)關(guān)聯(lián)效應(yīng)中起到重要作用的魔角雙層石墨烯平帶的帶寬也能在這一過程中被調(diào)控[9]。相關(guān)成果近日刊發(fā)在物理學(xué)期刊《Physical Review Letters》上。何林教授課題組博士生劉亦文為第一作者，美國洛斯阿拉莫斯國家實(shí)驗(yàn)室的蘇贏博士為文章的共同第一作者，何林教授為通訊作者。

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)李曉光團(tuán)隊(duì)在前期研究基礎(chǔ)上，基于鐵電隧道結(jié)量子隧穿效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了具有亞納秒信息寫入速度的超快原型存儲器，并可用于構(gòu)建存算一體人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，該成果在線發(fā)表《自然通訊》雜志上。研究人員制備了高質(zhì)量Ag/BaTiO3/Nb:SrTiO3鐵電隧道結(jié)，其中鐵電勢壘層厚為6個(gè)單胞（約2.4nm）。基于隧道結(jié)能帶的設(shè)計(jì)，以及其對阻變速度、開關(guān)比、操作電壓的調(diào)控，該原型存儲器信息寫入速度快至600ps（注：機(jī)械硬盤的速度約為1ms, 固態(tài)硬盤的約為1-10ms）、開關(guān)比達(dá)2個(gè)數(shù)量級，且其600ps的阻變速度在85℃時(shí)依然穩(wěn)定（工業(yè)測試標(biāo)準(zhǔn)）；寫入電流密度4×103A/cm2，比目前其他新型存儲器低約3個(gè)量級；一個(gè)存儲單元具有32個(gè)非易失阻態(tài)；寫入的信息預(yù)計(jì)可在室溫穩(wěn)定保持約100年；可重復(fù)擦寫次數(shù)達(dá)108-109次，遠(yuǎn)超商用閃存壽命（約105次）。即使在極端高溫（225℃）環(huán)境下仍能進(jìn)行信息的寫入，可實(shí)現(xiàn)高溫緊急情況備用。

在應(yīng)變的InAs/GaInSb量子阱中，量子阱中的應(yīng)力使其能帶發(fā)生改變，從而使得體態(tài)雜化能隙得以增大，這直接導(dǎo)致了邊緣態(tài)電子費(fèi)米速度的增加，因而螺旋邊緣態(tài)中的相互作用效應(yīng)變?nèi)酢?shí)驗(yàn)上測量得到的邊緣態(tài)電導(dǎo)以及其對外加磁場的響應(yīng)清楚地表明該系統(tǒng)中的量子自旋霍爾態(tài)是一種Z2拓?fù)浣^緣體，其性質(zhì)受到時(shí)間反演對稱性的保護(hù)。而且，InAs/GaInSb量子阱中螺旋邊緣態(tài)的相干長度最長可達(dá)10微米以上，遠(yuǎn)大于之前所有有關(guān)量子自旋霍爾態(tài)研究工作中報(bào)道的數(shù)值。另外，螺旋邊緣態(tài)的相干長度還可以被柵極調(diào)節(jié)，這顯示了邊緣態(tài)電導(dǎo)與邊緣態(tài)電子費(fèi)米速度，也即邊緣態(tài)相互作用強(qiáng)度密切相關(guān)。

作為新型的半導(dǎo)體材料，金屬鹵化物鈣鈦礦因其優(yōu)異的光電特性得到了廣泛的關(guān)注，并在太陽能電池、發(fā)光二極管、激光器、光催化、記憶存儲、晶體管等方面得到應(yīng)用。短短四年內(nèi)，鈣鈦礦太陽能電池的轉(zhuǎn)化效率從最初的3.8%提高到22.1%，超越了傳統(tǒng)的非晶硅、染料敏化、有機(jī)太陽能等薄膜電池十年的研究成果，在2013 年鈣鈦礦太陽能電池被Science評為十大科學(xué)進(jìn)展之一。 與鈣鈦礦太陽能電池相比較，發(fā)光二極管的研究進(jìn)展較緩慢。對于鈣鈦礦發(fā)光二極管，目前以薄膜（thin film）報(bào)道為主，對于鈣鈦礦量子點(diǎn)，尤其是有機(jī)陽離子（CH3NH3 （MA）, CH(NH2)2 (FA)）鈣鈦礦，相關(guān)報(bào)道較少。 該團(tuán)隊(duì)通過溶液合成的方法在室溫下得到了有機(jī)-無機(jī)陽離子鈣鈦礦量子點(diǎn)材料FA(1?x)CsxPbBr3，通過優(yōu)化無機(jī)陽離子Cs摻雜濃度，得到了性能優(yōu)異的鈣鈦礦量子點(diǎn)發(fā)光二極管，發(fā)光亮度高達(dá)55005 cd m?2 ，電流效率10.09 cd A?1。

本發(fā)明屬于量子點(diǎn) LED 封裝領(lǐng)域，具體涉及一種低工作溫度的量子點(diǎn)白光 LED，其中，LED 芯片固定設(shè)置在基板表面，量子點(diǎn)硅納米球附著在 LED 芯片表面，透光殼體內(nèi)表面附著有一層熒光粉膠，該透光殼體直接安裝在基板上或通過一模塑料固定在基板上方，并將LED 芯片和量子點(diǎn)硅納米球密封在內(nèi)，透光殼體內(nèi)還填充有封裝膠將量子點(diǎn)硅納米球和熒光粉膠隔離。本發(fā)明還公開了一種低工作溫度的量子點(diǎn)白光 LED 的制備方法。本發(fā)明的量子點(diǎn) LED 利用封裝膠將熒光粉膠和量子點(diǎn)硅納米球隔離，可降低量子點(diǎn)工作溫度，減少重吸收損失，提高白光 LED 的發(fā)光效率；還能減少量子點(diǎn)的用量，控制量子點(diǎn)與熒光粉各自的發(fā)光光譜，得到所需的理想型發(fā)光。

提出了一種量子點(diǎn)-有機(jī)疊層發(fā)光二極管（LED）的新結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了單顆LED發(fā)射紅、綠、藍(lán)、白及任意色彩的功能，有望取代傳統(tǒng)紅、綠、藍(lán)LED，提高顯示屏的分辨率及開口率。 量

本發(fā)明公開了一種水溶性過渡金屬摻雜 ZnSe 量子點(diǎn)的合成方法，屬于材料制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明 使用核殼結(jié)構(gòu)納米材料，采用離子置換的思路來合成摻雜量子點(diǎn)。該摻雜方法分為兩步，第一步在氮?dú)?保護(hù)的條件下合成 MnSe/ZnSe 的核殼結(jié)構(gòu)納米顆粒，第二步分別向 MnSe/ZnSe 納米顆粒溶液中加入不 同的摻雜元素，隨后在室溫或者 100°C加熱的條件下反應(yīng)即可得到不同元素?fù)诫s的 ZnSe 量子點(diǎn)。本發(fā) 明合成的摻

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)潘建偉、張強(qiáng)等與濟(jì)南量子技術(shù)研究院王向斌、劉洋等合作，實(shí)現(xiàn)了一套融合量子密鑰分發(fā)和光纖振動(dòng)傳感的實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)，在完成光纖雙場量子密鑰分發(fā)（TF-QKD）的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了658公里遠(yuǎn)距離光纖傳感，定位精度達(dá)到1公里，大幅突破了傳統(tǒng)光纖振動(dòng)傳感技術(shù)距離難以超過100公里的限制。

本發(fā)明公開了一種超小尺寸鈣鈦礦量子點(diǎn)的室溫制備方法，屬于超小尺寸鈣鈦礦量子點(diǎn)技術(shù)領(lǐng)域，包括以下步驟：S1、將CsBr、PbBr<subgt;2</subgt;和芳香酸粉末置于容器中，加入極性溶劑進(jìn)行攪拌混合，得到透明前驅(qū)體溶液；S2、在前驅(qū)體溶液中加入胺溶液，得到混合溶液后添加至反溶劑中，得到量子點(diǎn)粗溶液；S3、向量子點(diǎn)粗溶液中加入金屬鹽溶液，攪拌后進(jìn)行離心，向離心得到的上清液中加入有機(jī)溶劑，再次離心后得到量子點(diǎn)沉淀；S4、將量子點(diǎn)沉淀溶解于甲苯和DMF的混合溶液中，再次離心得到澄清透明的量子點(diǎn)溶液。本發(fā)明通過FeBr<subgt;3</subgt;協(xié)同芳香酸重構(gòu)量子點(diǎn)界面，使量子點(diǎn)獲得接近100%的PLQY，并展現(xiàn)出長期的穩(wěn)定性。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹