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一種賤金屬內(nèi)電極疊層片式 ZnO 壓敏電阻器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種賤金屬內(nèi)電極疊層片式 ZnO 壓敏電阻器及其 制備方法，所述壓敏電阻器為瓷片和內(nèi)電極依次層壓生成，其中所述 內(nèi)電極材質(zhì)為賤金屬鎳，所述壓敏電阻器的兩端涂有銀電極。本發(fā)明 具有以下有益效果：（1）本發(fā)明所使用的 ZnO 壓敏電阻材料配方適 用于還原再氧化制備工藝；（2）本發(fā)明采用賤金屬 Ni 為內(nèi)電極，可 以大幅度降低多層片式壓敏電阻器制備成本；（3）采用傳統(tǒng)的固相燒 結(jié)方法，端銀的燒滲和瓷體氧化一次性
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲器及其制備方法
本發(fā)明公開了一種非易失性三維半導(dǎo)體存儲器及其制備方法， 包括多個垂直方向的三維 NAND 存儲串，每一個三維 NAND 存儲串 包括水平襯底、垂直于襯底的圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域、分別位于半導(dǎo)體區(qū) 域上、下的第二電極和第一電極、包裹圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域的隧穿電介 質(zhì)、圍繞隧穿電介質(zhì)上、下分布了多個分立的電荷存儲層、包裹了隧 穿電介質(zhì)以及多個電荷存儲層的阻隔電介質(zhì)層、與絕緣層相堆疊的控 制柵電極；圓柱形半導(dǎo)體區(qū)域包括多個存儲單元的
華中科技大學(xué)
2021-04-14
一種用于多軸磁懸浮軸承的電流相反的電力電子控制器
本發(fā)明公開了一種用于多軸磁懸浮軸承的電流相反的電力電子 控制器，包括：2N 個繞組橋臂及一個共用橋臂，其中，N 為多軸磁懸 浮軸承自由度數(shù)，2N 個繞組橋臂分為 N 個 A 組繞組橋臂以及 N 個 B 組繞組橋臂，每一個繞組橋臂設(shè)置一個可控開關(guān)，共用橋臂設(shè)置 2 個 可控開關(guān)，通過改變可控開關(guān)的導(dǎo)通時間控制通過每個繞組的電流， 實現(xiàn)對多軸磁懸浮軸承中電磁力的控制。本發(fā)明的各繞組勵磁電流在 公共接點處相互抵消，改變了以往結(jié)構(gòu)共用橋臂電流為各繞組橋臂之 和，顯著減小了流過共用橋臂可控開關(guān)的電流，降低了開
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡及其構(gòu)成的鎖模光纖激光器
本實用新型公開了一種摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡及其構(gòu)成的鎖模光纖激光器，該摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡包括基底、鍍在所述基底上的高反射膜以及鍍在所述高反射膜上的摻鐵硒化鋅薄膜，由于該摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡以摻鐵硒化鋅薄膜為可飽和吸收體，同時摻鐵硒化鋅薄膜本身具有較高的損傷閾值，能夠用于高功率激光器的研制，彌補了本領(lǐng)域缺少高損傷閾值可飽和吸收鏡或可飽和吸收體的空缺；基于上述摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡構(gòu)成的鎖模光纖激光器，利用雙包層增益光纖獲得激光，并通過摻鐵硒化鋅可飽和吸收鏡對激光進行調(diào)制實現(xiàn)鎖模，獲得超短脈沖激光。
四川大學(xué)
2017-12-28
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基于酞菁納米線具有紅外響應(yīng)的有機憶阻器及陽離子調(diào)節(jié)特性
憶阻器，全稱記憶電阻器(Memristor)?；萜展镜难芯咳藛T首次做出納米憶阻器件，掀起憶阻研究熱潮。納米憶阻器件的出現(xiàn)，有望實現(xiàn)非易失性隨機存儲器。并且，基于憶阻的隨機存儲器的集成度、功耗、讀寫速度都要比傳統(tǒng)的隨機存儲器優(yōu)越。此外，憶阻是硬件實現(xiàn)人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)突觸的最好方式。由于憶阻的非線性性質(zhì)，可以產(chǎn)生混沌電路，從而在保密通信中也有很多應(yīng)用。目前，有機憶阻器普遍具有穩(wěn)定性差、工作機理模糊不清、紅外響應(yīng)差的不足。所以，研究人員希望能夠開發(fā)出具有高穩(wěn)定性且紅外響應(yīng)好的有機憶阻器。
南方科技大學(xué)
2021-04-13
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基于運算放大器的阻性傳感器陣列讀出電路及其讀出方法
本發(fā)明公開了一種基于運算放大器的阻性傳感器陣列讀出電路，所述阻性傳感器陣列為共用行線和列線的阻性傳感器陣列；該讀出電路包括：標(biāo)準(zhǔn)電阻行，其包括一行N個標(biāo)準(zhǔn)電阻，增設(shè)于所述阻性傳感器陣列中，從而得到一個新的共用行線和列線的（M+1）×N電阻陣列；（M+1）個運算放大器，與電阻陣列的（M+1）條行線一一對應(yīng)，每個運算放大器的反相輸入端、輸出端連接于一點后與其所對應(yīng)行線連接；控制器，其具有至少(M+1)個IO端口以及至少N個ADC采樣端口，其中的(M+1)個IO端口與所述（M+1）個運算放大器的同相輸入端
東南大學(xué)
2021-04-14
基于人工表面等離激元的微波渦旋波發(fā)生器及其實現(xiàn)方法
本發(fā)明公開一種基于人工表面等離激元的微波渦旋波發(fā)生器。該結(jié)構(gòu)工作在微波頻段，由雙層人工表面等離激元波導(dǎo)實現(xiàn)對于電磁波的傳輸，上層波導(dǎo)和下層波導(dǎo)之間的連接通過一個金屬過孔實現(xiàn)。該微波渦旋波發(fā)生器的輻射部分主要由一系列放置在人工表面等離激元波導(dǎo)旁邊的圓形貼片實現(xiàn)，同時這些圓形貼片作為諧振器也提供了產(chǎn)生不同的渦旋波所需的相位。這種微波渦旋波發(fā)生器可以在不同頻率處實現(xiàn)具有不同軌道角動量模式的渦旋波，而不需要在結(jié)構(gòu)上做出任何改變。
東南大學(xué)
2021-04-14
紅外二氧化碳傳感器C20E（教育行業(yè)專用）
產(chǎn)品詳細介紹 紅外二氧化碳傳感器C20E（教育行業(yè)專用） C20E二氧化碳傳感器專為教育應(yīng)用而設(shè)計。在0-40℃溫度范圍內(nèi)有補償。 C20E通過四線連接就可以工作了：+5V、0V、串行輸入、串行輸出。 產(chǎn)品主要參數(shù)： 1) 檢測范圍：5% 2) 溫度范圍：0-40℃ 3) 供電電壓：5V 4) 零點誤差：20ppm 5) 預(yù)熱時間：120S
深圳市新世聯(lián)科技有限公司
2021-08-23
海利普變頻器HLP-A海利普OP-AB01面板OP-AB02
產(chǎn)品詳細介紹
海利普變頻器HLP-A海利普OP-AB01面板OP-AB02
HLPA00D423B,HLPA0D7523B,HLPA01D543C,HLPA02D243CHLPA03D743B,HLPA05D543B,HLPA07D543B,HLPA001143B,HLPA001543B,HLPA18D543B,HLPA002243B
HLP-A高性能通用型:HOLIP變頻器
?功率范圍：0.4KW~22KW（單、三相220V）；
0.75KW~450KW(三相380V)；
型號功率 型號功率HLPA00D423B220V/0.4KWHLPA001143B380V/11KWHLPA0D7523B220V/0.75KWHLPA001543B380V/15KWHLPA01D523B220V/1.5KWHLPA18D543B380V/18.5KWHLPA02D223B220V/2.2KWHLPA002243B380V/22KWHLPA03D723B220V/3.7KWHLPA003043B380V/30KW HLPA003743B380V/37KWHLPA0D7543B380V/0.75KWHLPA004543B380V/45KWHLPA01D543B380V/1.5KWHLPA005543B380V/55KWHLPA02D243B380V/2.2KWHLPA007543B380V/75KWHLPA03D743B380V/3.7KWHLPA009043B380V/90KWHLPA05D543B380V/5.5KWHLPA011043B380V/110KWHLPA07D543B380V/7.5KWHLPA013243B380V/132KWHLP
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東莞市榮達機電設(shè)備有限公司
2021-08-23
BC型裸片硅二極管溫度計低溫溫度傳感器
DT640系列硅二極管溫度傳感器選用了專門適用于低溫溫度測量的硅二極管。相比普通硅二極管，具有重復(fù)性好、離散性小、精度更高溫度范圍更寬、低溫下電壓相對高而易于測量等特點。所有此款溫度計都較好地遵循一個電壓-溫度（V-T）曲線，因而具有更好的可互換性。很多應(yīng)用中都不需要單獨的標(biāo)定。
DT640-BC型裸片溫度計，相比市場上的其它溫度計，具有尺寸更小、熱容更小、響應(yīng)時間更短的特點。在尺寸、熱容以及響應(yīng)時間有特殊要求的應(yīng)用中具有獨特的優(yōu)勢。
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特點：
※ 激勵電流小，因而具有很小的自熱效應(yīng)；
※ 符合標(biāo)準(zhǔn)曲線，具有良好的互換性；
※ 多種封裝，不易損壞、耐溫度沖擊、易于安裝；
※ 在寬溫度范圍1.4K-500K內(nèi)，可提供較好的測量精度；
※ 遵循DT-640標(biāo)準(zhǔn)溫度響應(yīng)曲線；
※ 多種可選封裝方式。
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參數(shù)：
※ 溫度范圍：3K~500K；
※ 標(biāo)準(zhǔn)曲線：DT640
※ 推薦激勵電流：10µA±0.1%；
※ 可重復(fù)性：10mK@4.2K，16mK@77K，75mK@273K。
※ 反向電壓高達：75V；
※ 損壞前電流高達：長時間200mA 或瞬間1A；
※ 推薦激勵下的功率耗散：20µW@4.2K; 10µW@77K; 6µW@300K；
※ BC封裝響應(yīng)時間：10ms@4.2K, 100ms@77K, 200ms@305K；
※ 輻射影響：只推薦在低輻射場合下使用；
※ 磁場影響：不推薦在磁場環(huán)境下使用。
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北京錦正茂科技有限公司
2022-02-26