通過分子設計在高分子光電探測器中實現活性層的垂直相分離控制，有效降低負偏壓下的暗電流從而提高光探測器的探測度。具體上，課題組基于具有優異光伏性能的苯并二噻吩（BDT）為主鏈構建單元，通過在側鏈引入共軛的3,4-乙撐二氧噻吩（EDOT）作為給體單元，與以噻吩并吡咯二酮TPD為受體單元共聚，合成了高分子PBT(EDOT)

? 與噻吩側鏈的高分子PBT（TH）相比，PBT(EDOT)器件負偏壓下的暗電流密度降低了2個數量級以上，而其光伏性能沒有顯著下降（圖1）。并且，探測器在±2.0V時具有非常高的整流比，暗電流的比值達到106-107，說明該探測器具有非常優異的二極管特性。在-0.2 V時，PBT(EDOT)器件暗電流密度可以達到1.6 × 10-10 A cm-2。暗電流的降低，使PBT(EDOT)光探測器在光譜響應區內可以獲得1013 Jones以上的探測度。與之相對的是，基于PBT(TH)的探測器，其探測度始終在1.1 × 1012 Jones以下的水平（圖2a）。此外，由于暗電流的減小，PBT(EDOT)器件對于弱光的探測敏感性大大提高，可以探測到光強在1 pW cm-2以下的弱光（圖2b）。該項工作已申請PCT專利，課題組將進一步開發高分子光探測器在傳感、光通訊等方面的實際應用。