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液晶屏微米級金球缺陷檢測設備
1、主要功能和應用領域： 本設備可滿足液晶屏/觸摸屏制造行業對導電金球在COG綁定后的在線質量全檢需求，即對導電金球的深淺、個數和偏位進行準確高效的自動檢測，以滿足液晶行業日益上升的金球質檢標準和產能要求。金球內核為聚合物材料，外殼為金或鎳，直徑3~5微米。ACF熱壓后金球有的被壓扁，有的被壓開口，并充當LCD和驅動芯片之間的導電通道，如金球壓合不好會造成導電不良，使得液晶屏發生批量缺線等故障。 2、特色及先進性： 1）金球深淺判斷。導電金球的壓合輕重程度沒有量化指標，主要依靠人眼目視的感受，需要從圖像上提取物理特征參數，以反映金球被壓迫從過輕到合適再到過重變化，對應無變形-變形良好-變形過多(壓碎)的過程。 2）偏位測量情況多樣。當BUMP比金手指尺寸大的時候，完全對準的情況下看不到金手指，和剛好錯開一個金手指的情況一樣。需保證調機良好情況下的3微米精度，對于偏位較大的情況則需要采用額外的算法來判斷。 3）檢查標準設置繁多。設計并實現了一個智能分組的工具，在采集了所有視場的圖像后，將建標的時候識別出來的BUMP(多為白色)尺寸分組，尺寸相近的在一組，則通過點擊智能分組工具，然后就把尺寸、面積和比例相似的分在一起，簡化操作。 4）屏幕放置精度和尺寸精度高。系統的檢測流程需要根據被測屏幕的放置位置精度和尺寸精度來確定，若屏幕在自動對邊后相同特征不同片子產生的位置差異遠大于線寬線距，則需要添加自動尋找定位點，然后將其作為位置起點再進行自動檢測。 8、 技術指標：金球直徑：3微米；分辨率：0.7微米；放大倍數：10；圖片大小：4000*100000，4億像素；采集時間：2秒 ；計算時間：0.8秒 ；ITO引腳：200~500個；單個引腳金球個數：10~50個；整機檢測效率：一代機5 s，二代機3.5 s 4、關鍵問題和實施效果 目前傳統液晶屏和觸摸屏生產線上，對于ACF熱壓后的金球壓合質量均采用人工抽檢的方式，借助顯微鏡進行人工檢測，8-10片抽檢一片。該設備可以實現產品的全檢，一臺設備相當于8-10個人，對于提高產能提升產品質量具有非常重大的意義。該設備采用線陣相機配合精密運動平臺實現0.7微米分辨率的圖像采集，其光學采集部分如下圖所示。
電子科技大學
2021-04-10
液晶屏微米級金球缺陷檢測設備
本設備可滿足液晶屏/觸摸屏制造行業對導電金球在COG綁定后的在線質量全檢需求，即對導電金球的深淺、個數和偏位進行準確高效的自動檢測，以滿足液晶行業日益上升的金球質檢標準和產能要求。金球內核為聚合物材料，外殼為金或鎳，直徑3~5微米。ACF熱壓后金球有的被壓扁，有的被壓開口，并充當LCD和驅動芯片之間的導電通道，如金球壓合不好會造成導電不良，使得液晶屏發生批量缺線等故障。
電子科技大學
2021-04-10
液晶屏微米級金球缺陷檢測設備
成果簡介： 1、主要功能和應用領域： 本設備可滿足液晶屏/觸摸屏制造行業對導電金球在COG綁定后的在線質量全檢需求，即對導電金球的深淺、個數和偏位進行準確高效的自動檢測，以滿足液晶行業日益上升的金球質檢標準和產能要求。金球內核為聚合物材料，外殼為金或鎳，直徑3~5微米。ACF熱壓后金球有的被壓扁，有的被壓開口，并充當LCD和驅動芯片之間的導電通道，如金球壓合不好會造成導電不良，使得液晶屏發生批量缺線等故障。 2、特色及先進性： 1）金球深淺判斷。導電金球的壓合輕重程度沒有量化指標，主要依靠人眼目視的感受，需要從圖像上提取物理特征參數，以反映金球被壓迫從過輕到合適再到過重變化，對應無變形-變形良好-變形過多(壓碎)的過程。 2）偏位測量情況多樣。當BUMP比金手指尺寸大的時候，完全對準的情況下看不到金手指，和剛好錯開一個金手指的情況一樣。需保證調機良好情況下的3微米精度，對于偏位較大的情況則需要采用額外的算法來判斷。 3）檢查標準設置繁多。設計并實現了一個智能分組的工具，在采集了所有視場的圖像后，將建標的時候識別出來的BUMP(多為白色)尺寸分組，尺寸相近的在一組，則通過點擊智能分組工具，然后就把尺寸、面積和比例相似的分在一起，簡化操作。 4）屏幕放置精度和尺寸精度高。系統的檢測流程需要根據被測屏幕的放置位置精度和尺寸精度來確定，若屏幕在自動對邊后相同特征不同片子產生的位置差異遠大于線寬線距，則需要添加自動尋找定位點，然后將其作為位置起點再進行自動檢測。 3、技術指標： 金球直徑：3微米；分辨率：0.7微米；放大倍數：10；圖片大小：4000*100000，4億像素；采集時間：2秒 ；計算時間：0.8秒 ；ITO引腳：200~500個；單個引腳金球個數：10~50個；整機檢測效率：一代機5 s，二代機3.5 s 4、關鍵問題和實施效果： 目前傳統液晶屏和觸摸屏生產線上，對于ACF熱壓后的金球壓合質量均采用人工抽檢的方式，借助顯微鏡進行人工檢測，8-10片抽檢一片。該設備可以實現產品的全檢，一臺設備相當于8-10個人，對于提高產能提升產品質量具有非常重大的意義。該設備采用線陣相機配合精密運動平臺實現0.7微米分辨率的圖像采集，其光學采集部分如下圖所示。
電子科技大學
2017-10-23
球狀微米二氧化錫負載微米、納米銀顆粒材料的制備方法
本發明涉及半導體復合材料的制備，旨在提供一種球狀微米二氧化錫負載微米、納米銀顆粒材料的制備方法。包括：將質量NaOH溶液加入SnCl4·5H2O溶液中進行水熱反應，反應產物離心分離，并以去離子水和乙醇洗滌，烘干，即得到球狀微米二氧化錫；將球狀微米二氧化錫加入至AgNO3水溶液中，以銀材質的陰極和陽極插入至混合物中進行電鍍；電鍍時，傾斜電鍍容器并使其沿中心軸旋轉，讓混合物保持攪動狀態；混合物抽濾棄濾液，抽濾產物烘干，即得到最終產物。本發明采用電鍍技術提高球狀微米二氧化錫的功能性質并且擴大其應用范圍；該復合材料中，微米、納米銀顆粒均勻地負載于球狀微米二氧化錫上，銀顆粒的粒徑可控，分散度高，能夠節約材料，可應用于電接觸材料領域。
浙江大學
2021-04-13
填充納米/微米銀線的導電樹脂
目前，導電樹脂是一種有著較大應用前景的功能化復合材料，既可以 用作防靜電、電磁屏蔽等功能化涂料，也可以作為導電粘結材料(導 電膠)用在微電子封裝領域。其包括兩個主要成分:一是作為基體的 樹脂;二是提供導電功能的填充材料。導電填料常見的是適用于不同 用途的炭粉和金屬粉末材料，性能較佳的導電樹脂通常為填充銀粉的 高分子樹脂，該類產品市場上已有多種產品出售，如 Alfa Aesar 公司 的銀導電樹脂產品、上海合成樹脂研究所的 DAD 系列產品等。然而， 填充顆粒狀
復旦大學
2021-01-12
亞微米陶瓷顆粒增強鋁基復合材料
本項目采用元素粉末法制備高性能的亞微米陶瓷顆粒增強鋁基復合材料，突破了亞微米顆粒在基體中的分散和鋁基復合材料的二次加工困難瓶頸難題，制備的亞微米陶瓷顆粒增強金屬基復合材料具有高的比強度、比剛度、熱穩定性，較低的熱膨脹系數，優良的導熱、耐磨、耐腐蝕性等特點，機加工表面光潔度高。亞微米陶瓷顆粒增強金屬基復合材料的成功制備，在金屬基復合材料實際應用方面取得了突破性的進展。 亞微米陶瓷顆粒增強金屬基復合材料是一種極具潛力的工程材料，其在航空航天領域、汽車裝甲、電子封裝、高輕化自行車等方面取得了大量應用。其中以碳化硼為增強體的B4C/Al復合材料耐磨性很高，在制造噴砂嘴、電觸點、摩擦和耐摩擦材料時得到了廣泛的應用，并且在機器和設備端部密封件上，碳化硼為基體的B4C/Al復合材料也有出色表現。此外，碳化硼具有良好的耐酸堿腐蝕性能，在有氣體腐蝕條件下工作時，效果極佳，用亞微米B4C制備的B4C/Al復合材料制備的噴砂嘴和噴丸機噴嘴在標準條件下顯示出的高強度，為鎢硬質合金強度的5～11倍。先后設計和開發了高尺寸穩定性高導熱易加工電子封裝復合材料制品，如印刷電路板板芯、軍用功率混合電路、微波管的載體、多芯片組件等。亞微米SiC顆粒增強鋁基復合材料具有高耐磨性、良好的耐高溫性和抗咬合性能等特點，在高速列車剎車盤，制動盤、發動機活塞和齒輪箱等以及現已用于越野自行車上的車鏈齒輪具有廣闊的應用前景。從前瞻性、戰略性、經濟性和基礎性這幾個角度來考慮，亞微米陶瓷顆粒增強金屬基復合材料制備技術的發展符合具有高性能價格比，有待迅速實現產業化的要求趨勢。本項目圍繞航空航天用大尺寸關鍵承力結構件、光機結構件與精密儀表零件、電子封裝器件、核能領域屏蔽材料等應用背景，部分研究成果已達到了國際先進水平。先后設計和開發了高尺寸穩定性高導熱易加工電子封裝復合材料制品；制備的亞微米碳化硼增強鋁基復合材料被應用于制造核廢料處理容器；應用于高速列車剎車盤，制動盤、發動機活塞和齒輪箱等。
東北大學
2021-04-11
一種納米/微米金膜及其制備方法
本發明公開了一種納米/微米金膜及其制備方法。所述納米/微米金膜，包括基質和納米/微米金層，所述納米/微米金屬層由金屬納米顆粒沉積而成，所述基質表面具有氨基，所述金屬納米顆粒與所述基質表面氨基形成強相互作用。所述制備方法包括以下步驟：(1)將基質表面進行氧等離子處理或紫外光照射；(2)將表面活化的基質，浸入 3-氨丙基三乙氧基硅烷溶液中；(3)取氯金酸和強堿的碳酸氫鹽的混合溶液與葡萄糖溶液均勻混合，并涂布于表面氨基化的基質上，避光反應得到所述納米/微米金屬膜。本發明提供納米/微米金膜，基質種類多，能滿
華中科技大學
2021-04-14
一種氮化硅微米管制造方法
本發明公開了一種氮化硅微米管的制備方法，該方法將去除保 護層的光纖表面涂覆一層均勻的石墨粉后在 300～600℃的溫度區間內 熱解，使光纖表面形成均勻厚度的碳膜；再將光纖在氮氣條件下以 1100～1600℃的溫度區間高溫加熱，使碳膜與光纖表面的二氧化硅產 生反應生成硅，然后硅與氮氣發生反應在光纖表面形成氮化硅薄膜將形成氮化硅薄膜的光纖刻蝕掉，形成中空的氮化硅微米管。該氮化 硅微米管與炭黑進行混合，使氮化硅微米管增強導電性，然后在其中 加入熱熔型粘結劑形成混合物，再均勻涂在洗凈的銅箔表面，可得到 氮化
華中科技大學
2021-04-14
一種片狀微米級鎳粉的制備方法
本發明公開了一種片狀微米級鎳粉的制備方法，用本發明的方法制備的片狀微米級鎳粉具有較大的徑厚比，較高的接觸表面積，良好的導電性能和導磁性能，能滿足電子屏蔽材料、磁存儲以及多功能導電涂料等應用的特殊要求。本發明通過下述技術方案予以實現：取鎳含量大于99%，顆粒的粒徑分布在2-10微米的鎳粉原料100份，按成分質量比，棒磨介質的硬脂酸0.05-1份，乙醇10-70份，鎳粉原料與棒磨介質混合后放入柱型棒磨機內棒磨，棒磨過程中控制溫度在2-20℃，棒磨時間在2-5小時，取出物料后在室溫下采用真空干燥后即得片狀微米級鎳粉。
四川大學
2021-04-11
InP?基?2?微米波段半導體激光器
可以量產/nInP基In(Ga)As量子阱在材料制備及器件工藝制作方面具有諸多優勢。除了具 有高質量，低成本的襯底材料，InP基激光器因其兼容傳統通訊用激光器的成熟工 藝，且易與其它器件實現集成等優勢而具有更好的工業應用前景。我們擁有采用 MOCVD制備大晶格失配In(Ga)As/InP量子阱外延芯片、半導體激光器工藝制作以及 器件測試封裝的全套技術。我們制備的激光器外延芯片波長可精確調控，其面內波 長不均勻性低至±3nm，相應的激光器件性能指達到國際先進水平。 目前市場對2微米激光器的應用需求主要
中國科學院大學
2021-01-12