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本項目提出并發(fā)展了通用的硅基二維半導體材料范德華外延技術, 實現(xiàn)了多種層狀和非層狀半導體材料的二維薄膜可控生長，解決了傳統(tǒng)外延方法中存在的晶格失配、熱失配等多物理失配技術難題，開辟了非層狀材料在二維電子器件領域的研究新方向。 一、項目分類 重大科學前沿創(chuàng)新 二、成果簡介 基于新材料、新架構的硅基高密度集成信息功能器件的自主發(fā)展是國家重大戰(zhàn)略需求。本項目圍繞新型低維半導體材料的大規(guī)模可控制備、物性調控及其電子、光電器件展開系統(tǒng)研究，主要技術創(chuàng)新點有： 一、二維半導體材料及其異質結構的大規(guī)模可控制備。本項目提出并發(fā)展了通用的硅基二維半導體材料范德華外延技術, 實現(xiàn)了多種層狀和非層狀半導體材料的二維薄膜可控生長，解決了傳統(tǒng)外延方法中存在的晶格失配、熱失配等多物理失配技術難題，開辟了非層狀材料在二維電子器件領域的研究新方向。在晶圓級二維半導體材料的基礎上構建出大規(guī)模的二維異質結構，得到了具有高可靠性和穩(wěn)定性的集成器件。相關成果發(fā)表在Science Advances、Advanced Materials等國際知名刊物上，共計40余篇，授權專利16項；與中國電子科技集團公司第十三研究所等合作，成功實現(xiàn)了非層狀GaN在大失配硅基襯底上的高質量外延，為第三代半導體的硅基集成提供了新的技術路線。 二、基于低維半導體材料的高靈敏光電器件。本項目通過發(fā)展高質量硫族半導體的外延生長新工藝，系統(tǒng)研究了MoTe2、PbS、CdTe等30余種二維半導體材料的光電性質，極大地拓展了傳統(tǒng)的半導體光電材料體系；首次提出一種橋接的異質結構筑方式，大大降低了范德華間隙引入的光生載流子注入勢壘，獲得了高性能二維異質結光電器件；發(fā)展了納米線場效應晶體管器件表面修飾方法，調節(jié)晶體管特性為強增強型，利用這種設計，實現(xiàn)了“鎖鑰”式高選擇性、高靈敏度氣體檢測器件。本項目實現(xiàn)了從深紫外區(qū)到中遠紅外區(qū)的寬波段高靈敏度檢測，相關成果發(fā)表在Science Advances、ACS Nano等國際知名刊物上，共計30余篇，授權專利6項。 三、后摩爾時代新型低維電子信息器件。本項目基于低維半導體材料及其異質結構的物性調控，首次提出了二維半導體材料中的“增強陷阱效應”物理模型，實現(xiàn)了高性能的亞帶隙紅外探測器和非易失性光電存儲器；利用雙極性溝道中橫向載流子分布的特定電場依賴性，在二維黑磷晶體管中實現(xiàn)了室溫負微分電阻特性；通過構筑亞5 nm溝道二維鐵電負電容晶體管，使得亞閾值擺幅突破玻爾茲曼物理極限，有效降低了器件能耗；創(chuàng)新性的提出多層二維范德華非對稱異質結構，實現(xiàn)了器件高性能與多功能的集成，器件性能為當時最高指標；發(fā)展了新型存算一體架構電子器件技術，首次演示了兼具信息存儲和處理能力的二維單極性憶阻器，有望突破當前算力瓶頸，提供集成電路發(fā)展的新途徑。相關成果發(fā)表在Nature Electronics、Nature Communications等國際知名刊物上，共計60余篇，授權專利7項。

本發(fā)明公開了一種非易失性高密度三維半導體存儲器件，該存 儲器件由芯殼型納米線作為 NAND 串組成，所述 NAND 串垂直于襯 底。利用芯殼型納米線作為 NAND 串制作存儲器件，不僅使器件的結 構更加簡單，也減少了原有器件制作過程中復雜的制造工藝步驟，簡 化了制備過程，對降低制造成本有積極作用

（專利號：ZL 201510093120.5） 簡介：本發(fā)明公開一種基于激光沖擊波技術定向超高速噴涂的方法及裝置，涉及零件加工再制造技術領域。該噴涂方法首先利用電極產(chǎn)生的高溫電弧加熱熔化涂層材料的噴涂絲成熔滴脫落，熔滴被霧化氣體霧化成微滴流，然后由激光脈沖束輻照于微滴流表面上，表面一部分微滴吸收激光能量，瞬間氣化和電離形成高壓等離子體，高壓等離子體繼續(xù)吸收激光能量膨脹爆炸形成GPa量級的高壓沖擊波，高壓沖擊波驅動著微粒流高速噴射到工件表面形成涂層。噴涂裝置包括激光發(fā)生器、導光分光系統(tǒng)、電弧制液系統(tǒng)、工件夾具系統(tǒng)、回收系統(tǒng)以及控制系統(tǒng)。本發(fā)明能夠實現(xiàn)高速高效噴涂，涂層與基體的結合強度好，涂層的致密度高、空隙率低，具有較高抗熱疲勞和機械疲勞的性能。

本發(fā)明公開了一種四分之一雙波片相位延遲器，可在紫外、可 見及近紅外的波段范圍內實現(xiàn)消色差，其特征在于，該雙波片相位延 遲器由兩個同種材料或者不同材料的四分之一零級波片構成，該兩零 級波片沿光軸平行布置，且兩光軸夾角為 45°，其中，所述兩個四分 之一零級波片的中心波長在波段范圍內，且滿足使得兩零級波片組成 的雙波片在該波段范圍內各波長點對應的相位延遲量δe(λ)與理想相 位延遲量值π/2 之間差值的最大值取得最小值。與現(xiàn)有的雙波片相比， 該相位延遲器將兩個零級波片光軸按 45°組合，而不是 90°，得到的 雙波片相位延遲器在全波段內有更好的消色差等特性，能夠滿足光譜 橢偏測量等寬光譜光學系統(tǒng)的使用要求。 

本發(fā)明公開了一種三角波激勵磁場下磁性納米粒子粒徑分布測量系統(tǒng)及方法，屬于納米測試技術領域。本發(fā)明在準確測量三角波激勵磁場和磁性納米粒子磁化強度信號的基礎上，得到磁性納米粒子的磁化曲線。再將磁化曲線在 Matlab 最優(yōu)化工具箱中進行擬合，最終得到磁性納米粒子的粒徑分布。磁性納米粒子的磁化曲線可以在實驗裝·747·置上獲取，不需要借助其他外部磁場測量設備,測量成本低。利用全局搜索等優(yōu)化算法可以從磁化曲線中

本發(fā)明公開了一種四分之一雙波片相位延遲器，可在紫外、可見及近紅外的波段范圍內實現(xiàn)消色差，其特征在于，該雙波片相位延遲器由兩個同種材料或者不同材料的四分之一零級波片構成，該兩零級波片沿光軸平行布置，且兩光軸夾角為 45°，其中，所述兩個四分之一零級波片的中心波長在波段范圍內，且滿足使得兩零級波片組成的 雙 波 片 在 該 波 段 范 圍 內 各 波 長 點 對 應 的 相 位 延 遲 量 δ_e(λ)與理想相位延遲量值π/2 之間差值的最大值取得最小值。與現(xiàn)

本發(fā)明公開了一種產(chǎn)生渦旋電磁波的單極子天線陣列及其饋電系統(tǒng)，屬于無線通信技術領域。本發(fā)明包括介質基板、接地面、饋電系統(tǒng)和單極子天線陣列。所述介質基板是形狀為圓形的絕緣介質基板，其表面上方是由金屬材料印刷而成的微帶電路。微帶電路主要分為兩個部分，一部分是 1 路分 N 路的饋電系統(tǒng)，另一個部分是由 1/4 波長金屬貼片作為陣元組成的 N 陣元單極子天線陣列。本發(fā)明實現(xiàn)了一種體積小、易生產(chǎn)、具有平面結構、易集成的產(chǎn)生渦旋電磁波的天線。同時還設計了一套完整的饋電系統(tǒng)，解決了陣列天線的饋電問題，只需在輸入端口施加激勵即可得到所需的 OAM 模態(tài)，方便操作，使用簡單。

：鐵硅粉芯是一種新型復合軟磁材料，主要用于 替代傳統(tǒng)開了氣隙的硅鋼、鐵氧體及非晶等材料，作為電感器 和電抗器的磁芯，用于對直流疊加要求較高的大功率光伏逆變 器、風電變流器、電動汽車充電機、變頻空調、有源濾波器、 UPS 電源等新能源與節(jié)能電力電子系統(tǒng)。 鐵硅粉芯在器件中的作用是實現(xiàn)電磁能量轉換，其與繞制 線圈一起組成的各種磁性器件在電力電子系統(tǒng)中起到功率因數(shù) 校正和濾波

本發(fā)明公開了一種以 PEO-LDPE 合金為基體的含銅節(jié)育材料即 Cu/PEO-LDPE 復合材料及其器件，包含有 PEO-LDPE 合金基體及分布 其中的含銅金屬粒子，其中含銅金屬粒子的重量百分比含量為 0.5～ 30 ％ ， 在 PEO-LDPE 合 金 基 體 中 ， PEO 的 重 量 百 分 比 含 量 為 Cu/PEO-LDPE 復合材料總重量的 0.5～30％(優(yōu)選值 5～15％)。相較于 Cu/LDPE 節(jié)育材料，

本發(fā)明公開了一種適用于成卷柔性電子器件的逐片轉移裝置， 包括薄膜進給單元、載帶輸送單元、真空輥吸附單元、壓輥轉移單元 和廢料剔除單元，其中薄膜進給單元用于薄膜的進給運動并對薄膜進 行模切，模切后的薄膜經(jīng)真空輥吸附單元驅動至壓輥轉移單元，模切 后的薄膜在壓輥轉移單元中實現(xiàn)與載帶之間的粘著和固定，廢料剔除 單元則根據(jù)工況需要提供多種對廢料的實時檢測和剔除操作。通過本 發(fā)明，各個模塊單元之間相互聯(lián)系，共同協(xié)作，實現(xiàn)對成卷柔性電子 器件逐片的高速檢測轉移過程，同時具備運動穩(wěn)定性和可靠性好等優(yōu) 點。