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用于預測多元拼合靶材制備的薄膜成分的預測方法
一種用于預測多元拼合靶材制備的薄膜成分的預測方法
一、項目分類
顯著效益成果轉化
二、成果簡介
現有物理氣相沉積（PVD）制備多元薄膜材料采用合金靶材作為靶源，生產過程中，薄膜成分的調控范圍受安裝的合金靶材的成分比例的限制。如果預期獲得納微復雜結構的復合薄膜，按照常規技術路線需要上百塊成分連續變化的合金靶材，這顯然是無法實現的。同時，采用合金靶材制備某些多元薄膜時，需要特高純度的或極端成分比例的靶材作為靶源，這類特殊靶材以現有技術難以制造。
為此，本發明研發出一種用于預測多元拼合靶材制備的薄膜成分的預測方法，利用本發明技術有助于新材料的研發和促進半導體器件、切削刀具涂層等高新技術的發展。
武漢理工大學
2022-08-12
一種防腐耐磨鐵基非晶薄膜及其制備方法
本發明公開了一種防腐耐磨鐵基非晶薄膜及其制備方法，其包 括的成分及該成分的原子百分比含量分別為：14.0～22.0at.％Cr，6.0～ 16.0at.％Mo，4.0～7.0at.％B，4.0～20.0at.％C，0.0～3.0at.％W 以及余 量的 Fe。其制備方法包含 S1 制備單一合金靶材；S2 選擇襯底材料， 將襯底表面進行平整化，然后清洗并吹干待用；S3 進行磁控濺射，其 中，背景真空度值不高于 5x10<sup
華中科技大學
2021-04-14
一種多層薄膜微結構自對準制備方法及裝置
本發明公開一種多層薄膜微結構自對準制備方法，通過分隔板 將噴頭內腔體縱向分為至少兩個腔室，在各腔室內注入不相溶的高分 子溶液，并匯聚于噴頭的噴嘴處；施加高壓靜電場，同時驅使接收板 做平面直線運動，在高壓靜電場作用下噴嘴處的溶液變形成泰勒錐， 從泰勒錐尖端拉出射流，射流中的多種高分子材料先后沿著接收板運 動的方向進行靜電紡絲，形成多層薄膜微結構。本發明還公開一種實 現上述方法的裝置，分隔板縱向設于噴嘴內，將噴嘴內腔體分隔為至 少左右兩個腔室；在噴嘴端部設有端部蓋板，端部蓋板與噴嘴端部之 間設有密封片；
華中科技大學
2021-04-14
一種有機-無機復合電致變色薄膜及其制備方法
本發明公開了一種有機-無機復合電致變色薄膜及其制備方法。該薄膜為聚苯胺與三氧化鎢的復合薄膜，其中含有5～80％質量分數的三氧化鎢，薄膜厚度為50～300nm，表面具有納米棒陣列形貌。該制備方法包括：將表面經羥基化處理的ITO玻璃或者ITO/PET基底垂直豎立并固定于反應容器中，將過氧化鎢酸溶液與苯胺溶液的混合溶液倒入其中并攪拌；再加入過硫酸銨溶液，攪拌下進行反應；反應完成后，取出沉積有薄膜的基底并沖洗、干燥而得。本發明制備方法實現了聚苯胺/氧化物在分子層次復合，工藝簡單，成分可方便控制，成本較低，易于實現工業化。制得的薄膜光譜調節范圍大、顏色豐富、響應速度快、循環壽命長，應用范圍廣泛。
浙江大學
2021-04-13
PT100型號薄膜鉑電阻低溫溫度計PI封裝
北京錦正茂科技有限公司
2022-03-26
PT100型號薄膜鉑電阻低溫溫度計低溫實驗
北京錦正茂科技有限公司
2022-06-13
一種雙波段薄膜光探測器及其制備方法
本發明屬于微納制造與光電子器件領域，并公開了一種雙波段 薄膜光探測器，包括基底薄片、第一電極層、第一 WSe2 層、石墨烯 層、第一 MoS2 層、第二電極層、介質層、第二 WSe2 層、第三電極 層、第二 MoS2 層和第四電極層,第一電極層設置在基底薄片上;第一 WSe2 層鋪設在基底薄片和第一電極層上;石墨烯層設置在第一 WSe2 層上;
華中科技大學
2021-04-14
電沉積低溫燒結制備氧化物薄膜和微疊層技術
本技術可以獲取各種單一氧化物和多元氧化物納米薄膜，以及疊層氧化物納米薄膜。可用于提高金屬的抗腐蝕性能以及獲得多種特殊功能，如鐵電性能、磁性能、電致變色、化學催化、超導、光電轉換等。 本技術可以獲得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的單一氧化物或它們的多元氧化物納米薄膜，厚度<0.2um。氧化物薄膜質量優于溶膠凝膠法，厚度均勻，根據需要可以控制厚度膜。先后沉積不同的氧化物薄膜可以獲得疊層氧化物納米薄膜。制備過程簡單，重現性好是本技術的優勢。
北京科技大學
2021-04-11
低成本制備高效硅薄膜太陽電池關鍵技術研發
南開大學 1978 年在國內率先開展非晶硅材料及其電池的研究，該技術獲得天津市技術發明二等獎。自“六五”至“九五”期間，連續 4個五年國家科技攻關計劃，獲科技部重點攻關和天津市科委的支持，經過 20 余年潛心研發，硅基薄膜太陽電池性能躋身世界先進行列。于 2003 實現非晶硅電池產業化。 2000 年始，在國內率先開展新一代硅薄膜電池的研究。2007 年，該成果實現技術轉移生產。 2009 年，研制成功我國首套基于自主專利技術的、襯底面積0.79m2、線列式 5 室連續 VHF-PECVD 系統及相應中試生產線及其組件制造技術。成為國際上為數不多可開展大面積新一代硅基薄膜太陽 電池研究的單位。 2011 年，開發出年產能 2 兆瓦、具有自主知識產權的、我國首條年產能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅鍺/微晶硅疊層電池生產線及其組件生產技術。生產出的太陽電池組件效率達 9.59%，將新一代硅薄膜電池技術推向產業化。
南開大學
2021-02-01
低成本制備高效硅薄膜太陽電池關鍵技術研發
南開大學 1978 年在國內率先開展非晶硅材料及其電池的研究，該技術獲得天津市技術發明二等獎。自“六五”至“九五”期間，連續 4 個五年國家科技攻關計劃，獲科技部重點攻關和天津市科委的支持， 經過 20 余年潛心研發，硅基薄膜太陽電池性能躋身世界先進行列。 于 2003 實現非晶硅電池產業化。 2000 年始，在國內率先開展新一代硅薄膜電池的研究。2007 年， 該成果實現技術轉移生產。 2009 年，研制成功我國首套基于自主專利技術的、襯底面積 0.79m2、線列式 5 室連續 VHF-PECVD 系統及相應中試生產線及其 組件制造技術。成為國際上為數不多可開展大面積新一代硅基薄膜太 陽電池研究的單位。 2011 年，開發出年產能 2 兆瓦、具有自主知識產權的、我國首條 年產能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅鍺/微晶硅疊層電池生產線及其組件生 產技術。生產出的太陽電池組件效率達 9.59%，將新一代硅薄膜電池 技術推向產業化。
南開大學
2021-04-11