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XM/ALS900A高級心肺復蘇、創傷模擬人 （計算機控制/無線版） ? 執行標準：執行美國心臟學會(AHA)2015國際心肺復蘇(CPR)＆心血管急救(ECC)指南標準。 XM/ALS900A高級心肺復蘇創傷模擬人（無線版）由全身模擬人、計算機控制系統、創傷模塊組成，可進行CPR訓練考核、創傷止血包扎等操作。 一、產品特點： ■ 本模型為成年男性整體人，采用高分子材質，膚質仿真度高。 ■ 解剖標志明顯，具有仿真的頭頸部，頭部可水平轉動，有利于清除異物。 ■ 胸部體表標志明顯（胸骨角、乳頭、劍突等），便于胸外按壓的操作定位。 ■ 可觸及頸動脈搏動，死亡狀態下，頸動脈搏動消失，搶救成功后，頸動脈搏動恢復，頸動脈搏動與有效按壓相關聯。 ■ 心肺復蘇術：仰臥位，頭可后仰，便于清除呼吸道異物，可進行胸外按壓。 ■ 可進行口對口人工呼吸或者使用簡易呼吸器輔助呼吸，有效人工呼吸可見胸廓起伏。 ■ 瞳孔示教：死亡狀態下，模擬人瞳孔散大，搶救成功后，雙側瞳孔由散大變為正常。 ■ 模擬人和計算機之間通信方式：藍牙無線通信。 ■ 模擬人手臂關節靈活，可進行搬運練習。 二、軟件功能： ■ 軟件依據《美國心臟學會2015國際心肺復蘇心血管急救指南標準》的操作標準對心肺復蘇操作進行評價。 ■ 軟件形象的展示了心肺復蘇急救流程，圖文并茂的介紹了急救鏈中的每項操作要點。 ■ 操作模式：訓練、考核、實戰三種操作模式，每種模式均可自行設置操作時間、按壓次數、按壓深度、吹氣次數、吹氣量、CPR循環次數等，老師也可調節和變更按壓和通氣的考核標準值，建立符合當次考核狀態的心肺復蘇標準。 ■ 學員管理：可自由編輯學員名稱及編號，用于存檔。 ■ 人工口對口呼吸(吹氣)時： · 動態條碼指示燈顯示潮氣量大小：吹入的潮氣量正確由條碼綠燈顯示，吹入的潮氣量過小由條碼黃燈顯示，吹入的潮氣量過大由條碼紅色指示燈動態反饋顯示潮氣量大小。 · 電子計數顯示：詳細記錄吹氣正確和錯誤的次數（吹氣量過大、吹氣力量過小）。 · 語音提示：中文語音提示，詳細提示吹氣錯誤的具體原因以便訓練者及時改正。 ■ 人工手位胸外按壓時： · 動態條碼指示燈顯示按壓深度：按壓深度正確由條碼綠燈顯示，按壓深度過小由條碼黃燈顯示，按壓深度過大由條碼紅色指示燈動態反饋顯示按壓深度。 · 電子計數顯示：詳細記錄按壓正確和錯誤的次數（按壓力量過大、按壓力量過小、按壓位置錯誤）。 · 語音提示：中文語音提示，詳細提示按壓錯誤的具體原因，以便訓練者及時改正。 ■ 全程心電圖顯示： · 搶救前：顯示為瀕臨死亡的心電圖, 呼吸圖消失。 · 搶救中：進行按壓操作時，顯示按壓心電圖，頻率與按壓頻率一致，呼吸監護顯示潮氣操作圖形。 · 搶救成功后：顯示為竇性心律，呼吸恢復正常。 ■ 依據《2015年美國心臟協會心肺復蘇及心血管急救指南》的操作標準，對心肺復蘇操作進行評價，操作達標，模擬人復活，操作未達標，模擬人死亡。 ■ 模擬人3D動畫：正常狀態時，模擬人3D動畫有瞬目，休克或死亡狀態時3D動畫為閉眼。 ■ 成績單所有操作結果數據以表格形式清晰顯示，并可保存成績單，可連接通用打印機對成績單進行打印。 ■ 按壓與人工呼吸比：30：2（單人或雙人）。 ■ 操作周期：先30次按壓再2次人工吹氣，30：2五個循環周期CPR操作。 ■ 操作頻率：100-120次/分。 ■ 操作時間：以秒為單位計時。 三、創傷功能： ■ 面部燒傷Ⅰ Ⅱ Ⅲ度 ■ 前額撕裂傷口 ■ 頜前創傷口 ■ 鎖骨開放性骨折與胸膛挫傷 ■ 腹部創傷伴有小腸突露 ■ 右上臂肱骨開放性骨折 ■ 右手開放性骨折、軟組織撕裂傷口、骨組織暴露 ■ 右手掌槍彈傷口 ■ 右大腿股骨開放性骨折 ■ 右大腿復合形股骨骨折 ■ 右大腿金屬異物刺傷 ■ 右小腿脛骨開放性骨折 ■ 右足開放性骨折右小指截斷創傷 ■ 左前臂燒傷Ⅰ Ⅱ Ⅲ度 ■ 左大腿截斷創傷 ■ 左小腿脛骨閉合性骨折以及踝關節和足挫傷 四、標準配置： ■ 心肺復蘇全身人體模型：1臺 ■ 手拉推式硬塑箱：1只 ■ 計算機：用戶自配或選配 ■ 藍牙適配器：1個 ■ 電源適配器：1個 ■ CPR安裝操作軟件：1套 ■ 復蘇操作墊：1條 ■ 一次性呼吸面膜(50張/盒)：1盒 ■ 可換肺囊裝置：4套 ■ 可換面皮：1張 ■ 創傷模塊：1套 ■ 操作指南光盤：1張 ■ 急救手冊：1本 ■ 說明書：1冊 ■ 保修卡合格證：1張

本技術可以獲取各種單一氧化物和多元氧化物納米薄膜，以及疊層氧化物納米薄膜。可用于提高金屬的抗腐蝕性能以及獲得多種特殊功能，如鐵電性能、磁性能、電致變色、化學催化、超導、光電轉換等。 本技術可以獲得Mg、Ca、Sr、Ba、Y、La、Ce、Yb、Ti、Zr、Hf、Ta、Cr、W、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Ir、Pd、Cu、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn、Pb等元素的單一氧化物或它們的多元氧化物納米薄膜，厚度<0.2um。氧化物薄膜質量優于溶膠凝膠法，厚度均勻，根據需要可以控制厚度膜。先后沉積不同的氧化物薄膜可以獲得疊層氧化物納米薄膜。制備過程簡單，重現性好是本技術的優勢。

南開大學 1978 年在國內率先開展非晶硅材料及其電池的研究，該技術獲得天津市技術發明二等獎。自“六五”至“九五”期間，連續 4個五年國家科技攻關計劃，獲科技部重點攻關和天津市科委的支持，經過 20 余年潛心研發，硅基薄膜太陽電池性能躋身世界先進行列。于 2003 實現非晶硅電池產業化。 2000 年始，在國內率先開展新一代硅薄膜電池的研究。2007 年，該成果實現技術轉移生產。 2009 年，研制成功我國首套基于自主專利技術的、襯底面積0.79m2、線列式 5 室連續 VHF-PECVD 系統及相應中試生產線及其組件制造技術。成為國際上為數不多可開展大面積新一代硅基薄膜太陽 電池研究的單位。 2011 年，開發出年產能 2 兆瓦、具有自主知識產權的、我國首條年產能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅鍺/微晶硅疊層電池生產線及其組件生產技術。生產出的太陽電池組件效率達 9.59%，將新一代硅薄膜電池技術推向產業化。

南開大學 1978 年在國內率先開展非晶硅材料及其電池的研究，該技術獲得天津市技術發明二等獎。自“六五”至“九五”期間，連續 4 個五年國家科技攻關計劃，獲科技部重點攻關和天津市科委的支持， 經過 20 余年潛心研發，硅基薄膜太陽電池性能躋身世界先進行列。 于 2003 實現非晶硅電池產業化。 2000 年始，在國內率先開展新一代硅薄膜電池的研究。2007 年， 該成果實現技術轉移生產。 2009 年，研制成功我國首套基于自主專利技術的、襯底面積 0.79m2、線列式 5 室連續 VHF-PECVD 系統及相應中試生產線及其 組件制造技術。成為國際上為數不多可開展大面積新一代硅基薄膜太 陽電池研究的單位。 2011 年，開發出年產能 2 兆瓦、具有自主知識產權的、我國首條 年產能 2 兆瓦的非晶硅/非晶硅鍺/微晶硅疊層電池生產線及其組件生 產技術。生產出的太陽電池組件效率達 9.59%，將新一代硅薄膜電池 技術推向產業化。

本發明闡述了一種激光濺射法制備CsPbBr3薄膜的方法。具體步驟為：先通過DMF、DMSO、環己醇、PbBr2、CsBr材料以溶液加熱方法制備出足量的CsPbBr3單晶并壓成靶材，再采用脈沖激光沉積薄膜制備技術：調整激光能量和基底溫度，通過激光脈沖數控制薄膜厚度，真空沉積制備CsPbBr3薄膜。本發明利用脈沖激光沉積技術制備CsPbBr3薄膜，可實現均勻大面積薄膜的便捷制備，易于有效控制薄膜厚度并且節約材料，有利于該材料在太陽能電池的工業化生產與應用。

本成果包含如下內容：高轉換效率的小面積碲化鎘太陽電池制造技術，面積為1200mm×600mm 的碲化鎘太陽電池組件規模化生產技術，年產30-50MW碲化鎘太陽電池生產線及關鍵設備的設計。 主要技術指標： 組件效率超過12%。 應用范圍： 用于太陽能直接發電，建立大規模光伏電站或小型戶用光伏發電系統。國家扶持光伏發電系統的建設，每年新建在10GW以上。由于是薄膜太陽電池，出口不會受到限制。 項目目前已進入產業化階段，成果權屬為我校獨自擁有。

一種柔性碲化鎘薄膜太陽電池結構，本項發明所屬領域為新型 能源。為了降低碲化鎘太陽電池的成本，擴大電池的應用范圍，柔性 碲化鎘太陽電池將是未來發展方向之一。柔性碲化鎘電池面臨的難題 之一是如何解決金屬背電極與碲化鎘薄膜歐姆接觸，即尋找一種材 料，加入到金屬電極與碲化鎘薄膜之間，有利于p載流子傳輸。本發 明是采用石墨烯作為碲化鎘層與金屬電極層的過渡層，充分利用石墨 烯載流子傳輸速度高、力學性能好的特點。將結晶石墨進行化學清洗， 用帶膠的聚酰亞胺薄膜剝離石墨，使得一層石墨烯粘附于聚酰亞氨表 面。在此基礎上再濺射沉積碲化鎘，惰性氣體保護下CdCl2退火，濺 射沉積硫化鎘和ITO薄膜。制作出的柔性碲化鎘薄膜電池具有重量 輕、成本低的優點。

北京大學物理學院寬禁帶半導體研究中心沈波和楊學林課題組與俞大鵬、劉開輝課題組合作，成功實現了Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長，相關工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在線刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基寬禁帶半導體具有帶隙大、擊穿電場高、飽和電子漂移速度大等優異，能夠滿足現代電子技術對高溫、高頻、高功率等性能的要求，對國家的高技術發展和國防建設具有重要意義。由于缺乏天然的GaN單晶襯底，GaN基半導體材料和器件主要在異質襯底上外延生長。因具有大尺寸、低成本及易于集成等優點，Si襯底上外延GaN成為近年來學術界和產業界高度關注的熱點領域。 目前用于GaN外延生長的Si襯底主要是Si(111)襯底，其表面原子結構為三重排列，可為六方結構的GaN外延提供六重對稱表面。然而，Si(100)襯底是Si集成電路技術的主流襯底，獲得Si(100)襯底上GaN外延薄膜對于實現GaN器件和Si器件的集成至關重要。但Si(100)表面原子為四重對稱，外延生長時無法有效匹配；同時Si(100)表面存在二聚重構體，導致GaN面內同時存在兩種不同取向的晶疇。迄今國際上還未能實現標準Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長。圖 Si(100)襯底上單晶GaN薄膜的外延生長 沈波和楊學林課題組創造性地使用單晶石墨烯作為緩沖層，在Si(100)襯底上實現了單晶GaN薄膜的外延生長，并系統研究了石墨烯上GaN外延的成核機理和外延機制。該突破不僅為GaN器件與Si器件的集成奠定了科學基礎，而且對當前國際上關注的非晶襯底上氮化物半導體外延生長和GaN基柔性器件研制具有重要的指導價值。

本發明公開了一種用于柔性薄膜卷繞工藝的雙驅動精密脹軸， 包括支撐模塊、傳動模塊、切換模塊、動力模塊和脹軸模塊，其中傳 動模塊能夠在僅使用單個驅動電機的情況下，將動力模塊的動力傳遞 到脹軸模塊，并通過切換模塊使得同一個動力模塊可以分別向脹軸的 兩種運動提供動力；脹軸模塊包括轉動軸、外軸、芯軸、滑塊端蓋和 膨脹塊等，其中轉動軸和外軸彼此固定聯接，芯軸安裝在兩者的內部， 并且膨脹塊可以在外軸上的通槽中徑向升降，從而對料卷執行張緊操 作。通過本發明，能夠僅采用機械構造即可實現料卷的張緊功能，同 時具備張力均

納米粒子由于具有非常小的顆粒尺寸和大的比表面積，通常顯示出許多不同于常規塊體材料的電、磁、光和化學特性，在現代工業、國防和高技術發展中充當著重要的角色。隨著科學技術的迅速發展，對材料性能的要求也越來越高，因此尋找一種可替代液相法的真空氣相法來獲得表面清潔納米粒子的制備技術是開發具有優異性能新型納米結構材料的迫切要求。特別是納米粒子組裝復合薄膜材料由于具有傳統復合材料和現代納米材料兩者的優越性，成為一個重要的前沿研究熱點，它有望將“傳統功能材料”通過“納米復合化”達到進一步提高和拓展材料性能的目的。