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研究背景 芯片是人類最偉大的發(fā)明之一，也是現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)和核心。小到手機(jī)、電腦、數(shù)碼相機(jī)，大到6G、物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算均基于芯片技術(shù)的不斷突破。半導(dǎo)體光刻工藝水平的發(fā)展是以芯片為核心的電子信息產(chǎn)業(yè)的基石，目前半導(dǎo)體光刻的制造工藝幾乎是摩爾定律的物理極限。隨著制造工藝的越來(lái)越小，芯片內(nèi)晶體管單元已經(jīng)接近分子尺度，半導(dǎo)體制作工藝的“瓶頸效應(yīng)”越來(lái)越明顯。隨著全球化以及科技的高速發(fā)展，急劇增長(zhǎng)的龐大數(shù)據(jù)量要求數(shù)據(jù)處理模型和算法結(jié)構(gòu)不斷優(yōu)化升級(jí)，帶來(lái)的結(jié)果就是對(duì)計(jì)算能力和系統(tǒng)功耗的要求不斷提高。而目前智能電子設(shè)備大多存在傳輸瓶頸、功耗增加以及計(jì)算力瓶頸等現(xiàn)象，已越來(lái)越難以滿足大數(shù)據(jù)時(shí)代對(duì)計(jì)算力與功耗的需求，因此提高運(yùn)算速度同時(shí)降低運(yùn)算功耗是目前信息工業(yè)界面臨的緊要問(wèn)題。 如當(dāng)年集成電路開(kāi)創(chuàng)信息時(shí)代一樣，當(dāng)下已經(jīng)普及的光通信正在成為新革命力量的開(kāi)路先鋒。與此同時(shí)，光子芯片正在從分立式器件向集成光路演進(jìn)，光子芯片向小型化、集成化的發(fā)展趨勢(shì)已是必然。相對(duì)于電子驅(qū)動(dòng)的集成電路，光子芯片有超高速率，超低功耗等特點(diǎn)，利用光信號(hào)進(jìn)行數(shù)據(jù)獲取、傳輸、計(jì)算、存儲(chǔ)和顯示的光子芯片，具有非常廣闊的發(fā)展空間和巨大的潛能。 項(xiàng)目功能 本項(xiàng)目瞄準(zhǔn)光通信關(guān)鍵技術(shù)及核心芯片，基于量子阱二極管發(fā)光探測(cè)共存現(xiàn)象，探索關(guān)鍵微納制造技術(shù)，研制出可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)通信、感知功能的一體化光電子芯片。 技術(shù)路線 一、技術(shù)原理及可行性 本項(xiàng)目主要負(fù)責(zé)人王永進(jìn)教授發(fā)現(xiàn)如圖1所示的量子阱二極管發(fā)光探測(cè)共存現(xiàn)象，首次研制出同質(zhì)集成發(fā)射、傳輸、調(diào)制和接收器件的光電子芯片，這些原創(chuàng)工作引起了業(yè)界相關(guān)科研小組地廣泛關(guān)注，化合物半導(dǎo)體同質(zhì)集成光電子芯片成為研究熱點(diǎn)。香港大學(xué)的蔡凱威小組和申請(qǐng)人合作提出濕法刻蝕和激光選擇性剝離技術(shù)，在藍(lán)寶石氮化物晶圓上實(shí)現(xiàn)LED基同質(zhì)集成光電子芯片(Optica 5, 564-569 (2018))。沙特阿卜杜拉國(guó)王科技大學(xué)Ooi教授和美國(guó)加州大學(xué)圣巴巴拉分校Nakamura教授小組在藍(lán)寶石氮化物晶圓上，研制出基于氮化物激光器的同質(zhì)集成光電子芯片(Opt. Express 26, A219(2018))。中科院蘇州納米所孫錢小組在硅襯底氮化物晶圓上，研制出基于氮化物激光器的同質(zhì)集成光電子芯片(IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 24, 8200305 (2018))。在NRZ-OOK調(diào)制方式下，InGaN/GaN量子阱二極管可實(shí)現(xiàn)Gbps的光發(fā)射、調(diào)制和探測(cè)速率(Appl. Phys. Express 13, 014001 (2020))。這些工作表明研發(fā)基于光子傳輸?shù)幕衔锇雽?dǎo)體同質(zhì)集成光電子芯片以實(shí)現(xiàn)片上光子通信是可行的。   二、總體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及工藝流程 本項(xiàng)目提出的同時(shí)通信/感知一體化光電子芯片基于常規(guī)的藍(lán)寶石襯底氮化鎵基多量子阱LED外延片進(jìn)行設(shè)計(jì)，無(wú)需特殊定制的外延結(jié)構(gòu)。以典型的2寸氮化鎵基藍(lán)光LED外延片為例，其外延片結(jié)構(gòu)如圖2所示，從下至上依次為藍(lán)寶石襯底、AlGaN緩沖層、未摻雜GaN層、N型GaN層、InGaN/GaN多量子阱層和P型GaN層，通過(guò)調(diào)節(jié)InGaN/GaN多量子阱層的參數(shù)（層厚度與In的比例等等）可制備具有不同中心波長(zhǎng)的光源器件。   圖3為本項(xiàng)目所提出的同時(shí)通信/感知一體化光電子芯片結(jié)構(gòu)。在藍(lán)寶石襯底的氮化物晶圓上通過(guò)刻蝕和沉積等一系列晶圓級(jí)微納加工技術(shù)，制備出單片集成的InGaN/GaN多量子阱LED和PD。光子芯片的P、N電極可以采用倒裝技術(shù)直接與基板相連，光線從透明的藍(lán)寶石襯底發(fā)出，這樣不僅使得器件具有優(yōu)良的電性能和熱特性而且簡(jiǎn)化了其后期的封裝工藝。 三、技術(shù)創(chuàng)新優(yōu)勢(shì) 1、同一塊晶圓上集成LED和PD使得兩者間距離大大縮短，不僅有助于增強(qiáng)PD對(duì)藍(lán)寶石表面反射光線的耦合，提升感知系統(tǒng)性能，而且縮小了器件整體外形，符合集成電子器件小型化、便攜化的發(fā)展趨勢(shì)； 2、單片集成的LED和PD器件相比于傳統(tǒng)異質(zhì)的、分立的LED和PD簡(jiǎn)化了封裝形式和工藝，不再需要對(duì)LED和PD進(jìn)行單獨(dú)的封裝，而且同質(zhì)集成器件的基板也較異質(zhì)結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單統(tǒng)一，極大地縮短了集成系統(tǒng)的制作周期； 3、同時(shí)通信/感知一體化光電子芯片采用相同的工藝就可以制作出LED和PD，簡(jiǎn)化了生長(zhǎng)異質(zhì)材料的復(fù)雜性，縮短了器件流片的周期，使用同一工藝就可將LED和PD進(jìn)行批量生產(chǎn)，有效地降低了生產(chǎn)成本。 四、實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證 本項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)所在的Peter Grünberg研究中心擁有完整的LED器件制備、光電性能測(cè)試與電學(xué)性能測(cè)試平臺(tái)，并且項(xiàng)目成員積累了豐富的測(cè)試技術(shù)與經(jīng)驗(yàn)，能夠滿足本項(xiàng)目的同時(shí)通信/感知一體化光電子芯片測(cè)試同時(shí)表征光電參數(shù)與電學(xué)參數(shù)的需求。下圖4所示為器件形貌表征圖，從左邊依次是掃描電鏡圖、光鏡圖、原子力顯微鏡圖。   基于通信感知一體化芯片，本項(xiàng)目利用單個(gè)多功能集成器件成功實(shí)現(xiàn)了對(duì)人體脈搏的監(jiān)測(cè)功能，如圖5所示。   另外基于通信感知一體化氮化鎵光電子芯片，我們還實(shí)現(xiàn)了照明、成像和探測(cè)功能為一體的LED陣列系統(tǒng)，如圖6所示。該系統(tǒng)可以在點(diǎn)亮照明的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)對(duì)外界光信號(hào)的探測(cè)與感知，通過(guò)后端系統(tǒng)處理后，再將信息通過(guò)陣列顯示出來(lái)，實(shí)現(xiàn)多種功能的集成。 項(xiàng)目負(fù)責(zé)人王永進(jìn)教授是國(guó)家自然基金委優(yōu)秀青年項(xiàng)目、國(guó)家973項(xiàng)目獲得者，他以第一或通訊作者身份在Light-Sci Appl.等主流學(xué)術(shù)期刊發(fā)表一系列高質(zhì)量研究論文，獲授權(quán)中國(guó)發(fā)明專利23項(xiàng)，美國(guó)發(fā)明專利2項(xiàng)，被National Science Review、Semiconductor Today等做9次專題報(bào)道，榮獲2019年中國(guó)電子學(xué)會(huì)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)（自然科學(xué)）、2019年南京市十大重大原創(chuàng)成果獎(jiǎng)等。

本發(fā)明公開(kāi)了一種 LED 倒裝芯片的圓片級(jí)封裝結(jié)構(gòu)、方法及產(chǎn) 品，包括 LED 倒裝芯片、硅基板、透鏡、印刷電路板和熱沉；硅基板 正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的長(zhǎng)度與芯片的長(zhǎng)度相同；硅 基板的反面加工有兩組通孔，兩通孔與凹腔相連通；在凹腔和兩通孔 的表面沉積有絕緣層；凹腔表面的絕緣層上沉積有散熱金屬層和反光 金屬層；兩通孔內(nèi)填充有金屬體，通孔內(nèi)的金屬體與凹腔表面的散熱 金屬層相接；凹腔內(nèi)底部的兩金屬層存在一開(kāi)口，用于將該金屬層隔 離為兩部分；硅基板的反面沉積有絕緣層，該絕緣層表面布線用于電 極連接的金屬層；凹腔內(nèi)涂覆有熒光粉，凹腔的外圍加工有用于固定透鏡的環(huán)形定位腔。本發(fā)明能夠提高 LED 出光效率、加強(qiáng)散熱能力且 完成自對(duì)準(zhǔn)。 

深圳博升光電科技有限公司是由美國(guó)工程院院士常瑞華創(chuàng)辦的中外合資企業(yè)，致力于研究生產(chǎn)用于3D感知領(lǐng)先世界的半導(dǎo)體垂直腔體激光器（VCSEL）光芯片。博升光電的創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)來(lái)自加州大學(xué)伯克利分校、斯坦福大學(xué)、清華大學(xué)等國(guó)際知名高校。其中研發(fā)團(tuán)隊(duì)來(lái)自硅谷，工程生產(chǎn)團(tuán)隊(duì)來(lái)自臺(tái)灣，市場(chǎng)運(yùn)營(yíng)團(tuán)隊(duì)來(lái)自美國(guó)及中國(guó)，在產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)、商業(yè)運(yùn)營(yíng)等方面經(jīng)驗(yàn)豐富。博升光電成立后即獲得業(yè)界頂級(jí)投資公司武岳峰資本、力合創(chuàng)投、嘉御資本、聯(lián)想之星等超過(guò)1億元人民幣的A輪融資。點(diǎn)擊上方按鈕聯(lián)系科轉(zhuǎn)云平臺(tái)進(jìn)行溝通對(duì)接！

癌癥從發(fā)生到臨床發(fā)現(xiàn)往往需要10年的時(shí)間，癌癥治療的根本途徑是早期發(fā)現(xiàn)或者對(duì)已轉(zhuǎn)移瘤能有效治療。循環(huán)腫瘤細(xì)胞（circulatingtumor cells, CTC）是指從原位瘤脫落下來(lái)進(jìn)入到循環(huán)系統(tǒng)尤其是血液中的腫瘤細(xì)胞。作為液態(tài)活檢核心靶標(biāo)的CTC，不僅可用于癌癥轉(zhuǎn)移前的早期篩查，而且在臨床腫瘤的分期、預(yù)后、特異性藥物篩選、療效檢測(cè)、治療和復(fù)發(fā)監(jiān)測(cè)等方面都具有極其重要的臨床應(yīng)用價(jià)值。然而由于CTC在血液中數(shù)量極其稀少（約1-100個(gè)/mL），其高效高準(zhǔn)確捕獲一直是科學(xué)前沿難題和臨床應(yīng)用的關(guān)鍵障礙。 現(xiàn)有的CTC檢測(cè)方法仍存在較大的局限，包括檢測(cè)準(zhǔn)確度不足、成本高、效率低、時(shí)間長(zhǎng)以及檢測(cè)條件苛刻等。本項(xiàng)目提出的新型微流控芯片設(shè)計(jì)，將基于流線的降速結(jié)構(gòu)和基于過(guò)濾的捕獲結(jié)構(gòu)有機(jī)整合，實(shí)現(xiàn)了CTC特異性的匯聚和保留，同時(shí)將部分白細(xì)胞和紅細(xì)胞分流到出口。每經(jīng)過(guò)一個(gè)這樣的降速結(jié)構(gòu)，CTC就被濃縮一次，白細(xì)胞和紅細(xì)胞被分走一部分。更重要的是，每一個(gè)單元液流速度均得到了顯著下降（變?yōu)樵瓉?lái)的1/2）。經(jīng)過(guò)多組這樣的降速結(jié)構(gòu)，液流流入捕獲結(jié)構(gòu)，此時(shí)流速已經(jīng)非常緩慢，利用CTC和其他血細(xì)胞的尺寸和形變差異，通過(guò)三棱柱陣列能實(shí)現(xiàn)CTC的高效捕獲。總體來(lái)說(shuō)，本項(xiàng)目所提出的微流控芯片能在很大流速范圍內(nèi)（5-40 mL/h）都實(shí)現(xiàn)高捕獲效率（高達(dá)94.8%）。此外，芯片上捕獲到的CTC的純度也較高（高達(dá)4log白細(xì)胞去除率）。臨床癌癥患者患者雙盲測(cè)試結(jié)果詳實(shí)準(zhǔn)確率達(dá)到100%。

本實(shí)用新型提供一種用于外泌體分離、富集和檢測(cè)的微流體芯片，包括底板、頂板以及位于所述底板和頂板之間的檢測(cè)板，所述檢測(cè)板內(nèi)設(shè)有液體檢測(cè)腔，所述液體檢測(cè)腔能夠?qū)⒛蛞褐械耐饷隗w收集于其中，并達(dá)到檢測(cè)的要求。本實(shí)用新型通過(guò)芯片收集后利用ELISA檢測(cè)方法進(jìn)行檢測(cè)，可用于檢測(cè)尿液樣本或膀胱癌細(xì)胞系培養(yǎng)液上清中外泌體的含量，具有高度特異性的特點(diǎn)。本實(shí)用新型對(duì)排出人體之外的尿液進(jìn)行收集，不會(huì)對(duì)人體造成任何影響或創(chuàng)傷，也不需要昂貴且精密的實(shí)驗(yàn)儀器（如超速離心機(jī)、熒光顯微鏡），具有很大的應(yīng)用前景。

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種適應(yīng)多規(guī)格芯片的表面貼裝機(jī)拾取裝置，包括 Z 向進(jìn)給模塊、傳動(dòng)模塊、氣路模塊、花鍵軸模塊和吸嘴模塊，其中 Z 向進(jìn)給模塊用于帶動(dòng)背板上下運(yùn)動(dòng)；氣路模塊中的真空發(fā)生器用于產(chǎn)生真空，并通過(guò)氣管、快接接頭和花鍵軸聯(lián)接，在花鍵軸內(nèi)部產(chǎn)生真空環(huán)境；傳動(dòng)模塊用于保證吸取的芯片在貼裝時(shí)姿態(tài)的精準(zhǔn)度；花鍵軸模塊用于傳遞旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)和提供緩沖作用；吸嘴模塊則通過(guò)吸嘴頭與吸嘴桿內(nèi)嵌的密封墊產(chǎn)生不同的配合，控制不同組合的通氣孔的開(kāi)閉，進(jìn)而使吸嘴頭產(chǎn)生不同尺寸的真空域。通過(guò)本實(shí)用新型，應(yīng)能夠僅采用一種吸嘴即

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種倒裝 LED 芯片在線檢測(cè)的收光積分球，該收光測(cè)試組件包括積分球組件和光學(xué)測(cè)試組件，其中積分球組件包括積分球模塊、積分球夾具、積分球升降裝置；其中積分球模塊包括積分球、積分球 90°轉(zhuǎn)接頭，積分球的開(kāi)口設(shè)置有石英玻璃，其設(shè)置方式是采用石英玻璃夾具套設(shè)在積分球的收光口處，其中石英玻璃夾具呈圓筒狀，其內(nèi)側(cè)在略高于收光口的上方設(shè)置有凸臺(tái)，用于放置固定石英玻璃。按照本實(shí)用新型設(shè)計(jì)的收光測(cè)試組件，能夠成功地解決倒裝 LED 芯片測(cè)試探針下壓時(shí)的不穩(wěn)定問(wèn)題，能顯著提高積分球的收光效率，具有高

本發(fā)明公開(kāi)了一種固態(tài)盤內(nèi)部閃存芯片閾值電壓感知優(yōu)化方法， 主要用于多層單元閃存芯片使用低密度奇偶校驗(yàn)碼糾錯(cuò)時(shí)的一種優(yōu)化 方法。該系統(tǒng)結(jié)構(gòu)主要由 LDPC 編碼模塊、閃存芯片存儲(chǔ)模塊、非均 勻閾值電壓感知模塊、對(duì)數(shù)似然比計(jì)算模塊和 LDPC 譯碼模塊組成。 LDPC 編碼模塊主要對(duì)原始數(shù)據(jù)利用 LDPC 生成矩陣編碼生成碼字； 閃存芯片存儲(chǔ)模塊主要存儲(chǔ)數(shù)據(jù)；非均勻閾值電壓感知模塊主要對(duì)閃 存芯片進(jìn)行非均勻閾值電壓感知；

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于電控液晶紅外匯聚平面微柱鏡的紅外波束控制芯片。包括電控液晶紅外匯聚平面微柱鏡陣列；電控液晶紅外匯聚平面微柱鏡陣列包括液晶材料層，依次設(shè)置在液晶材料層上表面的第一液晶初始取向?qū)印⒌谝浑姼綦x層、圖形化電極層、第一基片和第一紅外增透膜，以及依次設(shè)置在液晶材料層下表面的第二液晶初始取向?qū)印⒌诙姼綦x層、公共電極層、第二基片和第二紅外增透膜；公共電極層由一層勻質(zhì)導(dǎo)電膜構(gòu)成；圖形化電極層由布有 m×n 元陣