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集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國防和國民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化, 乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成, 其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路, 是芯片的散熱通道, 又是連結(jié)電路板的橋梁, 因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度, 高集成化方向發(fā)展, 芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對(duì)集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料, 利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能, 加入少量強(qiáng)化元素, 通過固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度, 同時(shí)僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國外先進(jìn)水平有較大差距，我國所使用的大規(guī)模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過一系列研究，開發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實(shí)現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。 一、Cu-Ni-Si系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.導(dǎo)電率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.導(dǎo)電率：60～80%IACS。

集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國防和國民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化，乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成，其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路，是芯片的散熱通道，又是連結(jié)電路板的橋梁，因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度，高集成化方向發(fā)展，芯片的散熱問題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對(duì)集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料，利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能，加入少量強(qiáng)化元素，通過固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度，同時(shí)僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國外先進(jìn)水平有較大差距，我國所使用的大規(guī)模集成電路引線框架材料長期以來都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過一系列研究，開發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實(shí)現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

產(chǎn)品詳細(xì)介紹AM300通用系列變頻器AM300通用系列變頻器性能概述?控制方式 開環(huán)矢量控制（SVC）、V/F控制、閉環(huán)矢量（VC）、開閉環(huán)轉(zhuǎn)矩控制、位置環(huán)控制?調(diào)速范圍 1：100 （SVC）、1：1000（VC）?穩(wěn)速精度 ±0.5%（SVC）?軟硬件抑制強(qiáng)干擾和誤報(bào)故障，確保無跳閘運(yùn)行?矢量化VF控制：自動(dòng)轉(zhuǎn)矩提升；手動(dòng)轉(zhuǎn)矩提升0.1% ~ 30.0%，可自定義VF曲線?自動(dòng)限流：對(duì)運(yùn)行期間電流自動(dòng)限制，防止頻繁過流故障跳閘，實(shí)現(xiàn)無跳閘運(yùn)行?矢量控制下低頻大轉(zhuǎn)矩穩(wěn)定運(yùn)行，無速度傳感器矢量控制下優(yōu)異的控制性能?可選擇LED、LCD鍵盤，支持雙鍵盤同時(shí)操作?雙繼電器輸出、兩路0(4)~ 20 mA ,0(2) ~ 10V模擬量可選輸出?可靠的轉(zhuǎn)速追蹤功能，可自動(dòng)識(shí)別旋轉(zhuǎn)電機(jī)速度和方向，用于旋轉(zhuǎn)風(fēng)機(jī)直接啟動(dòng)?完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，可按照客戶要求定制開發(fā)?電壓等級(jí) 220V、380V、690V、1140V?超大功率驅(qū)動(dòng)技術(shù)，單機(jī)380V、680KW，并機(jī)1400KW?電網(wǎng)瞬間掉電不停機(jī)?轉(zhuǎn)矩控制運(yùn)行：端子支持速度、轉(zhuǎn)矩控制模式切換?高可靠性：成熟可靠驅(qū)動(dòng)、保護(hù)電路設(shè)計(jì)、抗干擾設(shè)計(jì)?閉環(huán)矢量控制、帶速度環(huán)、電流環(huán)、位置環(huán)、可做零伺服控制?自動(dòng)載波調(diào)整：根據(jù)負(fù)載特性，自動(dòng)調(diào)整載波頻率?自動(dòng)電壓調(diào)整：當(dāng)電網(wǎng)電壓變化時(shí)，能自動(dòng)保持輸出電壓恒定?自動(dòng)節(jié)能運(yùn)行：根據(jù)負(fù)載情況，自動(dòng)優(yōu)化V/F曲線，實(shí)現(xiàn)節(jié)能運(yùn)行

過使用金屬元素錸摻雜的方式，成功優(yōu)化了樣品的電學(xué)性能。團(tuán)隊(duì)發(fā)現(xiàn)，適量的錸元素?fù)诫s能夠調(diào)控Sb2Te3(GeTe)12的載流子濃度以提高其功率因子。同時(shí)，團(tuán)隊(duì)運(yùn)用球差矯正透射電子顯微鏡清楚地捕捉到了樣品中的二維缺陷以及鍺析出物在摻雜前后的尺寸變化，大量文獻(xiàn)表明，材料內(nèi)部的這些缺陷會(huì)強(qiáng)烈的散射聲子，進(jìn)一步降低材料的晶格熱導(dǎo)率。該工作使得Sb2Te3(GeTe)12基熱電材料的總體熱電性能得到大幅優(yōu)化，在773 K溫度下的熱電優(yōu)值達(dá)到了2.25，晶格熱導(dǎo)

對(duì)于空穴傳輸材料而言，最常見的小分子摻雜是雙三氟甲烷磺酰亞胺鋰和4-叔丁基吡啶。這兩種摻雜的引入雖然可以提升性能，但是雙三氟甲烷磺酰亞胺鋰對(duì)于水較好的親和力會(huì)使得器件的穩(wěn)定性大幅下降。Solar RRL發(fā)表的成果中，許宗祥課題組找到了一種新型p型摻雜有機(jī)小分子Zn(C6F5)2來提高P3HT的載流子提取與傳輸性能，并進(jìn)一步提升了其器件穩(wěn)定性。