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自1987年美國柯達公司的鄧青云C．W．Tang等人報導了有機電致發光以來，在全世界范圍興起了一場有機薄膜發光二極管研究熱潮。有機薄膜發光二極管具有主動發光、響應快、全固體化、容易實現彩色化和驅動電壓低等獨特的優越性，是很有潛力的平板顯示器，它將取代現在統治市場的液晶顯示器。然而高亮度、長壽命和高效率的有機電致發光器件是人們一直夢寐以求的。 有機電致發光器件雖然發展非常迅速，發展規模也是空前的。但是為了得到高亮度、高效率和長壽命的有機電致發光器件，人們對有機電致發光中的一些問題并沒有很好的解決，如由于目前空穴和電子傳輸層材料和制備工藝的限制，用普通有機電致發光器件的結構：ITO/空穴傳輸層/有機發光層/背電極，有如下一些問題：發光層與電極之間的互擴散，沒有足夠高的空穴和電子遷移率，以及注入的空穴與電子不夠平衡等。這些問題限制了有機電致發光器的進一步改善，成為有機電致發光器件發展的重要瓶頸，無法制備性能優異的有機發光器件。 技術特點： 對有機薄膜電致發光器件的結構和電子傳輸層材料進行改進，從而有效提高有機薄膜電致發光器件的亮度、效率和壽命。 技術特點：是在透明電極上，依次制備空穴傳輸層、有機發光層、電子傳輸層、電子電勢補償層和背電極所組成薄膜結構有機電致發光器件，其特征在于：在有機發光層與電子電勢補償層之間加入電子傳輸層，電子傳輸層采用寬禁帶無機材料。 該器件在有機發光層與電子電勢補償層之間加入無機電子傳輸層這種結構可以大大改善有機電致發光器件的發光層與電極之間的擴散，注入的空穴與電子的不夠平衡等，使有機電致發光器件的發光亮度，效率和奉命得到提高。

中試階段/n該項目是采用納米級別的加工制造技術制作具備納米級尺度并且帶有一定功能的光電子器件。納米光電子器件的工作效率更快，能耗更低，具備強大的信息儲存量，且體積和重量明顯的變小。隨著光電器件在通信、照明、傳感器等領域上的運用，納米光電器件的制備技術已經受到越來越重要的關注。該項目實現了一種低成本、大面積、易操作、高效的納米結構制備工藝方法，可實現在各種材料表面納米結構（50-500nm 直徑納米孔、納

根據工業現場的實際特點，搭建了機器視覺的檢測系統。采用優化的圖像預處理、圖像 分割、邊緣信息提取及相關參數整定檢測方案，對分立器件管腳幾何參數進行判斷，檢測結 果達到企業的應用標準。采用標簽圖像預處理、分割、特征提取技術與 BP 神經網絡特征識 別技術相結合，成功的解決了標簽檢測問題。該系統經工業現場應用，被證明可以達到企業 對于分立器件管腳幾何形狀的檢測要求，得到了企業的肯定。

成果創新點 主要技術創新路徑（如涉及技術秘密，可簡略描述）： 利用多反射腔將原子磁力儀小型化的同時將檢測靈敏 度提高一個量級，最終好于 50 fT/Hz1/2。引入微納加工手 段，將產品標準化，從而可進行批量化生產。可進一步應 用于原子陀螺。 技術成熟度 關鍵技術研發階段 市場前景 1.與醫院合作用于生物磁場測量和可移動式磁成像； 2.共磁力儀用于慣性測量。

主要技術創新路徑（如涉及技術秘密，可簡略描述）： 利用多反射腔將原子磁力儀小型化的同時將檢測靈敏度提高一個量級，最終好于 50 fT/Hz1/2。引入微納加工手段，將產品標準化，從而可進行批量化生產。

微電子器件的發展方向和趨勢使人與信息的交互融合并推動微電子器件柔性化。柔性電子技術是將有機材料/無機薄膜電子器件附著于柔性基底上的新興電子技術，實現可變形、便攜、輕質、可大面積應用等特性，并通過大量應用新材料和新工藝產生出大量新應用。它顛覆性改變傳統器件剛性的物理形態，實現信息與人／物體／環境的高效共融。

寬禁帶半導體硅基GaN器件以其高效率，高開關速度高工作溫度抗輻時等特點,成為當前國際功率半導體器件與技術學科的研究前沿及熱點，也是業界普遍認可的性能卓越的下代功率半導體器件。而S基GaN因其S基特性.能夠突破新材料在發展初期的成本牦頸且易與S集成電路產業鏈匹配，因此兼具高性能與低成本的優點在消費電子(如手機快沖與天線充電).數據中心與人工智能，無人駕駛與新能源汽車、5G通信等團家戰略新興領城具有巨大的應用前景。電子科技大學功率集成技術實驗室自2008年起即開展硅基GaN功率器件與集成技術研究,圍繞硅基GaN兩大核心器件:增強型功率晶體管、功率整流器進行基礎研究與應用技術開發。解決了增強型功率晶體管閾值電壓大范圍調控功率二圾管導通電壓調控與耐壓可靠性加查等關鍵技術瓶頸,研究成果為硅基GaN的產業化奠定了重要基礎。