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側(cè)蔓少，強(qiáng)雌性， 15 節(jié)內(nèi)雌花數(shù)達(dá)到 9 個，第一雌花節(jié)位 3-4 節(jié)，生長勢較強(qiáng)，從播種到采收 60 天左右，畝產(chǎn)量達(dá)到 6600kg，果實長度接近 25 厘米，果把長 5 厘米，果實表面粗刺溜，皮肉均較厚，香味較濃，口感較好，對白粉和霜霉病的抗性為抗，對病毒病的抗性為中抗，由于雌花多，作為大棚土壤栽培時，養(yǎng)分供應(yīng)必須充分及時，否則，須適當(dāng)疏果。

側(cè)蔓少，生長勢極強(qiáng)， 普通雌性， 15 節(jié)內(nèi)雌花數(shù) 7-8 個，單性結(jié)實水平比其它組合差，在良好通風(fēng)和昆蟲授粉條件下或用座果靈點(diǎn)花均能有很好的結(jié)果，從播種到采收 65 天左右，畝產(chǎn)量超過 7500kg，果實長度 33.5 厘米，果把長 5.5 厘米，屬于長果類黃瓜中的短果把品種；對白粉病、霜霉病和病毒病的抗性均達(dá)到抗；果實表面中刺、密刺，果實質(zhì)地脆嫩、香味濃。

強(qiáng)雌性，第一雌花著生節(jié)位為 2-3 節(jié)，早熟性好， 15 節(jié)內(nèi)有雌花 11 個，生長勢強(qiáng)，葉片大而厚，結(jié)果率近 100%， 從播種到采收 60 天左右，畝產(chǎn)量超過 7000kg，果實長度23 厘米，果把 4 厘米，果實表面為細(xì)刺、密刺，質(zhì)地脆嫩、香味濃；對白粉病抗性為中抗，對霜霉病和病毒病的抗性為抗。由于雌花多，作為大棚土壤栽培時，養(yǎng)分供應(yīng)必須充分及時，否則，須適當(dāng)疏果。

側(cè)蔓較少，強(qiáng)雌性， 15 節(jié)內(nèi)雌花數(shù)達(dá)到 9 個，第一雌花節(jié)位 4 節(jié)，生長勢強(qiáng)，結(jié)果力強(qiáng)，從播種到采收 62 天左右，畝產(chǎn)量超過 7000kg，果實長度偏短， 23 厘米左右，果把長度 4.1 厘米，果實表面為粗刺瘤，皮肉均較厚， 香味濃；對白粉、霜霉和病毒病的抗性均達(dá)到抗。由于雌花多，作為大棚土壤栽培時，養(yǎng)分供應(yīng)必須充分及時，否則，須適當(dāng)疏果。

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一、概述 TDL-5型低速臺式大容量離心機(jī)具有運(yùn)行平穩(wěn)、噪聲低、造型美觀、配有安全門鎖裝置，自動調(diào)節(jié)平穩(wěn)，控制精度高等特點(diǎn)，可廣泛應(yīng)用于生物科學(xué)、農(nóng)業(yè)科學(xué)、醫(yī)藥學(xué)等科研單位。 本儀器可在環(huán)境溫度為5℃-40℃，相對濕度不超過80%，周圍無導(dǎo)電塵埃，爆炸性氣體和腐蝕性氣體的條件下安全地使用。 二、技術(shù)參數(shù) 最高轉(zhuǎn)速：4000r/min 最大相對離心力 2810g 容 量：100ml×4、50ml×8、15ml×32 定時范圍 0-99min 電源 220V 50Hz 外型尺寸 390×470×365 （L×W×H） 輸入功率 250VA 電機(jī)：無刷電機(jī)"

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本項目屬于電子信息功能材料技術(shù)領(lǐng)域。 特色及先進(jìn)性：為了實現(xiàn)同一種單晶薄膜即可應(yīng)用于磁光器件，又可應(yīng)用于微波器件中，本項目提出了鉍镥鐵石榴石（BiLuIG）薄膜的設(shè)計體系，為了使其同時具有良好的磁光和微波特性，本項目很好的根據(jù)晶格匹配原則設(shè)計了材料配方，并選用無鉛液相外延技術(shù)，大大提高了薄膜的性能。本項目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國無大晶格常數(shù)摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術(shù)、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點(diǎn)科學(xué)問題。研究內(nèi)容包括：（1）BiLuIG薄膜材料的配方設(shè)計研究：基于四能級躍遷模型，并結(jié)合離子替代規(guī)律和多離子摻雜技術(shù)，尋找最佳配方；（2）液相外延單晶薄膜材料的工藝技術(shù)研究：包括薄膜均勻性、缺陷控制、無鉛配方、生長速率和薄膜鏡面條件控制等；（3）材料在器件中的驗證研究，設(shè)計制備平面波導(dǎo)型磁光開關(guān)對材料磁光性能的驗證。 技術(shù)指標(biāo)：（1）建成了我國第一條大尺寸磁光單晶薄膜液相外延的生產(chǎn)線，最大尺寸達(dá)到3英寸，單面薄膜厚度達(dá)到1μm－20μm。（2）單晶薄膜具體微波和磁光參數(shù)：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了進(jìn)行單晶薄膜材料在磁光和微波器件中的設(shè)計、制備和測試工作。 促進(jìn)科技進(jìn)步作用意義：本項目突破了我國在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關(guān)器件研究上的瓶頸技術(shù)，獲得了高法拉第效應(yīng)和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質(zhì)量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國內(nèi)在磁光、微波及毫米波集成器件方面對石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴進(jìn)口、受制于人的不利局面。該項目研制的材料已提供給中電集團(tuán)41所、美國Delaware大學(xué)、天津大學(xué)、中國工程物理研究院、深圳市通能達(dá)電子科技有限公司（中電九所下屬）、陜西金山電器有限公司（4390廠）等單位使用，并為中電集團(tuán)9所、33所等單位提供批量樣品，用于制備磁光和微波器件，受到好評。

本項目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國無大晶格常數(shù)摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術(shù)、無鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點(diǎn)科學(xué)問題。