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電容層析成像（Electrical Capacitance Tomography, 簡(jiǎn)稱(chēng)ECT）是80年代中期開(kāi)始發(fā)展起來(lái)的一種多相流參數(shù)檢測(cè)技術(shù)。當(dāng)相分布發(fā)生變化時(shí)會(huì)引起多相流混合體等價(jià)介電常數(shù)的變化，而引起傳感器測(cè)量電容值的變化。通過(guò)傳感器獲得管道截面上各電極對(duì)電容，重建出截面介電常數(shù)分布，該技術(shù)具有成本低廉、響應(yīng)速度快、非侵入性、適用范圍廣、安全性好等優(yōu)點(diǎn)，在石油管道的氣/油（油/水）流、氣體輸送的氣/固流、內(nèi)燃機(jī)燃燒以及流化床顆粒流動(dòng)等工業(yè)過(guò)程的檢測(cè)中具有廣闊的應(yīng)用前景。 在

本發(fā)明屬于電機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，并公開(kāi)了一種多頻率的一體化同步 磁阻電機(jī)。該同步磁阻電機(jī)包括導(dǎo)磁外殼、左電機(jī)、中部電機(jī)和右電 機(jī)，導(dǎo)磁外殼包覆在所述左電機(jī)、中部電機(jī)和右電機(jī)外表面，左電機(jī)、 中部電機(jī)和右電機(jī)三者共用同一轉(zhuǎn)軸，左電機(jī)和右電機(jī)相對(duì)且對(duì)稱(chēng)設(shè) 置在中部電機(jī)的兩側(cè)，左電機(jī)和右電機(jī)的結(jié)構(gòu)相同，中部電機(jī)通電轉(zhuǎn) 動(dòng)，通過(guò)轉(zhuǎn)軸帶動(dòng)左、右電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)，或者左、右電機(jī)通電轉(zhuǎn)動(dòng)，通過(guò) 轉(zhuǎn)軸帶動(dòng)中部電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)所述同步磁阻電機(jī)的運(yùn)轉(zhuǎn)。通過(guò)本 發(fā)明，實(shí)現(xiàn)了電動(dòng)和發(fā)電一體化同步磁阻電機(jī)，省去了原動(dòng)機(jī)，減小 了系統(tǒng)的體積

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于 GPU 的多波前潮流計(jì)算方法，該方法包 括：1)波前矩陣鏈異步并發(fā)執(zhí)行；2)CPU-GPU 間任務(wù)的分配；3)GPU 上矩陣乘法、減法算法的優(yōu)化。波前矩陣鏈采用異步并發(fā)執(zhí)行的模式 處理，GPU 的資源得到了充分的利用；根據(jù)矩陣的大小決定采用 CPU 還是 GPU 處理，使得單個(gè)矩陣的處理時(shí)間最少，結(jié)合波前矩陣鏈的異 步并發(fā)執(zhí)行，能盡可能的減少 CPU、GPU 的空閑等待時(shí)間；在 GPU 上對(duì)矩陣

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于 GPU 的多尺度空間特征提取方法，包括 以下步驟：利用多尺寸并行非線(xiàn)性濾波構(gòu)造尺度空間、在尺度空間中 并行的進(jìn)行關(guān)鍵點(diǎn)檢測(cè)和描述符生成。其中尺度空間構(gòu)造包括：多尺 寸數(shù)據(jù)打包、多尺寸并行降采樣、多尺寸并行非線(xiàn)性濾波的具體執(zhí)行 步驟。為了提高算法的并行度、降低數(shù)據(jù)依賴(lài)性，通過(guò)并行降采樣提 前得到各個(gè)尺寸下的初始圖像，使得各個(gè)尺寸下的非線(xiàn)性濾波、關(guān)鍵 點(diǎn)檢測(cè)和描述符生成可以在 GPU 中并行的執(zhí)行。

1. 痛點(diǎn)問(wèn)題 由于絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）具有驅(qū)動(dòng)功率小而且驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)速度快并且損耗小、飽和壓降低、耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn)，在柔性直流電網(wǎng)中得到了廣泛的應(yīng)用，現(xiàn)有的MMC換流閥裝備均是采用IGBT開(kāi)關(guān)器件進(jìn)行設(shè)計(jì)。事實(shí)上，IGBT于二十世紀(jì)八十年代初誕生，在九十年代得到飛速發(fā)展。然而傳統(tǒng)的焊接式IGBT容量較小、可靠性較低且失效后呈斷路特性，因此早期的IGBT主要應(yīng)用于中低壓領(lǐng)域，直至壓接式IGBT誕生之后才開(kāi)始在高壓、大功率電力電子換流器當(dāng)中得到應(yīng)用。IGBT器件的容量從最早的600V/6A級(jí)別逐漸提升，迄今為止已經(jīng)達(dá)到了4.5kV/3kA的水平。IGCT誕生于1996年，由于其核心GCT芯片是由晶閘管改進(jìn)而來(lái)，因此天然具備晶閘管大容量、高可靠性的特點(diǎn)。IGCT器件在2000年便已經(jīng)達(dá)到了4.5kV/4kA的水平，相比之下壓接式IGBT直至2012年才達(dá)到相同的功率等級(jí)，隨著六英寸IGCT器件在未來(lái)投入使用，IGCT在容量上仍將對(duì)IGBT保持較大優(yōu)勢(shì)。 另外，盡管IGBT優(yōu)勢(shì)突出，但是相比電流型器件，仍然存在通態(tài)壓降大、可靠性低、制造成本高等問(wèn)題，具有很多改進(jìn)的空間。尤其是在海上風(fēng)電柔性高壓直流輸電系統(tǒng)中，所使用的開(kāi)關(guān)器件數(shù)量非常大，若能改進(jìn)IGBT器件的特性，進(jìn)一步提高效率和可靠性、減小成本，將會(huì)具有巨大的吸引力和應(yīng)用前景。 2. 解決方案 模塊化多電平變換器（MMC）的多電平調(diào)制大幅降低了功率器件開(kāi)關(guān)頻率，為集成門(mén)極換流晶閘管（IGCT）的應(yīng)用帶來(lái)了契機(jī)。相比IGBT，IGCT的通態(tài)壓降和成本可降低達(dá)到1/3以上，并且IGCT具有非常強(qiáng)大的浪涌電流、短路失效和防爆能力，無(wú)需增加輔助電路便可實(shí)現(xiàn)冗余和防爆，確保柔直輸電系統(tǒng)免維護(hù)的高可靠需求。該技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高電壓、更大功率、更高效率和可靠性的柔性直流輸電系統(tǒng)具有重要意義和廣闊的應(yīng)用前景。

一種Nb3Al/Nb多芯復(fù)合超導(dǎo)線(xiàn)材的制備方法，其步驟是：按Nb3Al的化學(xué)計(jì)量比稱(chēng)取Nb箔和Al箔；將Nb箔、Al箔重疊并纏繞在Nb棒上，再將其裝入Nb管中，然后拉拔成0.8-1mm的細(xì)線(xiàn)，得單芯線(xiàn)材；將單芯線(xiàn)材截成等長(zhǎng)的多段后，整齊的裝入Nb管中，并在Nb管的中軸線(xiàn)上放置一根與等長(zhǎng)的Nb棒；然后將Nb管拉拔、軋制成直徑1-2.5mm的圓形或扁形的線(xiàn)材，即得多芯線(xiàn)材；將制得的多芯線(xiàn)材截成10cm的短線(xiàn)材，利用脈沖電源在真空條件下對(duì)短線(xiàn)材進(jìn)行0.05-0.2秒的1900-2100℃的高溫處理，即得。該法制備周期短、效率高；制得線(xiàn)材整體連接緊密、均勻性好、無(wú)分離現(xiàn)象；不存雜質(zhì)相，超導(dǎo)性能優(yōu)良。

本發(fā)明屬于電力系統(tǒng)繼電保護(hù)和風(fēng)險(xiǎn)分析領(lǐng)域，公開(kāi)了一種繼 電保護(hù)系統(tǒng)的多模式隱藏故障風(fēng)險(xiǎn)分析方法，包括建立繼電保護(hù)系統(tǒng) 的多模式隱藏故障模型；根據(jù)多模式隱藏故障模型對(duì)由繼電保護(hù)隱藏 故障導(dǎo)致的電網(wǎng) N-k 故障進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)分析，獲得繼電保護(hù)系統(tǒng)隱藏故障 的風(fēng)險(xiǎn)指標(biāo)值。本發(fā)明對(duì)保護(hù)系統(tǒng)的隱藏故障進(jìn)行簡(jiǎn)化建模分析；分 析不同種典型模式的保護(hù)隱藏故障特點(diǎn)，建立多種模式的隱藏故障模 型；針對(duì)隱藏故障的風(fēng)險(xiǎn)分析問(wèn)題，提出一種電網(wǎng) N-k 故障分析方法。 分析中采用了基于改進(jìn)功能組分解法和事件樹(shù)分析方法的 N-k 故

本發(fā)明公開(kāi)了一種多軸加工系統(tǒng)的刀具偏離量的建模方法，包 括：建立一種新的未變形切屑厚度模型，采用向量法建立圓弧刀變姿 態(tài)銑削加工切削力預(yù)測(cè)模型；運(yùn)用等效圓柱法建立機(jī)床傳動(dòng)軸的柔度 模型，并應(yīng)用力橢球方法和坐標(biāo)系變換建立了加工系統(tǒng)的綜合柔度度 模型；最后通過(guò)變姿態(tài)加工過(guò)程的切削力模型和多軸加工系統(tǒng)末端柔 度模型，得到刀具偏離量模型。本發(fā)明公開(kāi)的刀具偏離量的建模方法， 通過(guò)建立新的刀具切削刃的未變形切削厚度模型和多軸加工系統(tǒng)的綜 合柔度模型，得到更準(zhǔn)確的加工過(guò)程中的刀具偏離量變化規(guī)律，從而 在多軸加工中

本發(fā)明公開(kāi)了一種多線(xiàn)圈電磁式力觸覺(jué)反饋裝置及方法，包括底座、設(shè)置在底座上的 n 個(gè)電磁線(xiàn)圈 和操作桿;電磁線(xiàn)圈內(nèi)部為導(dǎo)磁鐵芯、外部纏繞銅線(xiàn)，并與嵌入式控制系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)線(xiàn)圈控制電路連接; 一個(gè)電磁線(xiàn)圈作為磁場(chǎng)補(bǔ)償線(xiàn)圈設(shè)置在底座中心軸處，其余電磁線(xiàn)圈作為磁場(chǎng)產(chǎn)生線(xiàn)圈在操作空間中圍 繞中心軸等距分布在底座上;線(xiàn)圈的姿態(tài)能夠隨著人機(jī)交互應(yīng)用案例的需要而調(diào)整，線(xiàn)圈的位置能夠隨 著不同的人機(jī)交互應(yīng)用需要而動(dòng)態(tài)改變;操作桿由磁鐵及手柄構(gòu)成，用于在線(xiàn)圈產(chǎn)生的可操作有效磁場(chǎng) 空間中與磁場(chǎng)交互。本發(fā)明

BiFeO3薄膜反鐵磁序的研究是理解磁電耦合效應(yīng)和實(shí)現(xiàn)電場(chǎng)控制磁性的前提，然而觀測(cè)反鐵磁結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)手段有限，薄膜中多個(gè)鐵彈疇的存在進(jìn)一步使其分析更為困難。因此，BiFeO3薄膜反鐵磁結(jié)構(gòu)及其應(yīng)變調(diào)控的物理機(jī)制一直還存在爭(zhēng)議。 研究發(fā)現(xiàn)應(yīng)變可大幅度調(diào)控反鐵磁磁矩朝向，且在大的拉應(yīng)變作用下反鐵磁磁矩朝向與鐵電極化的垂直關(guān)系被打破，結(jié)合第一性原理揭示應(yīng)變對(duì)反鐵磁序的調(diào)控是由Dzyaloshinskii-Moriya（DM）相互作用和單離子各向異性間相互競(jìng)爭(zhēng)導(dǎo)致；該工作打破了之前一般認(rèn)為的Bi