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本發(fā)明提供了一種高轉(zhuǎn)矩密度多盤(pán)-多氣隙軸向磁通磁場(chǎng)調(diào)制永 磁電機(jī)，其中該永磁電機(jī)具有多盤(pán)多氣隙結(jié)構(gòu)，由沿軸向方向上依次 交錯(cuò)排列的若干定子與轉(zhuǎn)子構(gòu)成而成，若定子數(shù)目為 Ns，轉(zhuǎn)子數(shù)目為 Nr，定子與轉(zhuǎn)子數(shù)目滿足：Ns＝Nr+1(Nr＝2，3，4...)，最外側(cè)兩定子 不放置繞組，內(nèi)側(cè)定子放置環(huán)形繞組。按照本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的調(diào)制永磁電 機(jī)，降低了繞組端部長(zhǎng)度，減小了電機(jī)銅耗，提高了效率，兩側(cè)外定 子作為輔助磁路，保留了磁場(chǎng)調(diào)制電機(jī)的高電磁轉(zhuǎn)矩密度、高功率因 數(shù)等特點(diǎn)，提高了電機(jī)的整體轉(zhuǎn)矩密度，同時(shí)兩側(cè)外定子

本研究提出一種基于連續(xù)梯度非均勻電場(chǎng)結(jié)合梯度凝膠孔徑分布的靶型多腔電泳裝置(Circular Multicavity Electrophoresis，CME)實(shí)現(xiàn)細(xì)胞外囊泡的分離制備。

本發(fā)明公開(kāi)了一種三角波激勵(lì)磁場(chǎng)下磁性納米粒子粒徑分布測(cè)量系統(tǒng)及方法，屬于納米測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明在準(zhǔn)確測(cè)量三角波激勵(lì)磁場(chǎng)和磁性納米粒子磁化強(qiáng)度信號(hào)的基礎(chǔ)上，得到磁性納米粒子的磁化曲線。再將磁化曲線在 Matlab 最優(yōu)化工具箱中進(jìn)行擬合，最終得到磁性納米粒子的粒徑分布。磁性納米粒子的磁化曲線可以在實(shí)驗(yàn)裝·747·置上獲取，不需要借助其他外部磁場(chǎng)測(cè)量設(shè)備,測(cè)量成本低。利用全局搜索等優(yōu)化算法可以從磁化曲線中

徐虎課題組發(fā)現(xiàn)具有量子谷Berry Phase的拓?fù)渎曌討B(tài)在二維六角晶格材料中普適存在。隨著研究的深入，拓?fù)洳牧系姆诸愒絹?lái)越豐富和多樣化。到目前為止，拓?fù)洳牧系难芯恐饕性谫M(fèi)米子相關(guān)的系統(tǒng)。隨著研究水平的進(jìn)一步發(fā)展，拓?fù)涞牟Ｉ酉到y(tǒng)也越來(lái)越引起人們的關(guān)注，例如光子晶體、聲子晶體等人工晶體中的拓?fù)洮F(xiàn)象等。但是，固體中的THz頻率段的拓?fù)渎曌拥难芯肯鄬?duì)緩慢。理論研究表明，拓?fù)渎曌訉?duì)研究量子聲子霍爾效應(yīng)、拓?fù)渎曌訜崞骷染哂兄匾饔谩Ｒ虼耍诂F(xiàn)實(shí)材料中尋找拓?fù)渎曌討B(tài)是相關(guān)領(lǐng)域亟待解決的問(wèn)題。 在研究中，徐虎課題組研究人員采用基于密度泛函理論的晶格動(dòng)力學(xué)計(jì)算，根據(jù)二階力常數(shù)矩陣構(gòu)造類似于電子系統(tǒng)的緊束縛哈密頓量，從而可以獲得聲子系統(tǒng)的Berry 相和拓?fù)溥吘墤B(tài)。在此基礎(chǔ)上，他們結(jié)合高通量計(jì)算，發(fā)現(xiàn)具有量子谷Berry相的Dirac聲子態(tài)在二維六角晶格材料中普適存在(圖3a)。研究結(jié)果對(duì)進(jìn)一步研究拓?fù)渎曌討B(tài)以及其實(shí)際應(yīng)用具有重要作用。 近兩年，徐虎課題組致力于拓?fù)洳牧系睦碚擃A(yù)測(cè)和設(shè)計(jì)方面的研究工作，以南方科技大學(xué)物理系為第一單位發(fā)表1篇Phys. Rev. Lett.，1篇Nano Lett.和8篇Phys. Rev. (其中5篇為Phys. Rev. B Rapid Communications)。

本發(fā)明公開(kāi)了一種外環(huán)內(nèi)六角形空間網(wǎng)格結(jié)構(gòu)裝配式節(jié)點(diǎn)，包括內(nèi)環(huán)（１）、外環(huán)（２）、中心環(huán)（３）、內(nèi)墊片（４）、螺栓（５）、封板（６）和連接桿件（７）。內(nèi)環(huán)和外環(huán)均為圓柱，且內(nèi)環(huán)沿中心軸開(kāi)設(shè)有圓形孔洞一（１６），外環(huán)沿中心軸開(kāi)設(shè)有圓形孔洞二（１７）。中心環(huán)為六角星形柱體，中心環(huán)沿中心軸開(kāi)設(shè)有六角星形孔洞（１８）。中心環(huán)安裝于圓形孔洞二中，內(nèi)環(huán)安裝于六角星形孔洞中。內(nèi)墊片設(shè)置于外環(huán)中，本發(fā)明通過(guò)螺栓對(duì)連接桿件、封板、外環(huán)和內(nèi)墊片進(jìn)行連接，形成裝配式桿件。本發(fā)明節(jié)點(diǎn)質(zhì)量輕盈、可快速現(xiàn)場(chǎng)裝配且力學(xué)性能優(yōu)良。

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于大規(guī)模多天線系統(tǒng)的單一信號(hào)到達(dá)角估計(jì)方法，屬于大規(guī)模多天線系統(tǒng)信道估計(jì)的信號(hào)處理技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明包括以下步驟： (1)對(duì)信道矩陣進(jìn)行預(yù)估； (2)利用接收天線之間的相關(guān)性構(gòu)造稀疏變換矩陣，對(duì)信道預(yù)估值矩陣進(jìn)行稀疏變換，得到具有稀疏特性的矩陣； (3)根據(jù)壓縮感知原理準(zhǔn)確估計(jì)出稀疏矩陣中的非零元素； (4)采用分步搜索估計(jì)信號(hào)到達(dá)角。 本發(fā)明只需一個(gè)信號(hào)樣本就可得到信號(hào)到達(dá)角估計(jì)值，精度高且能提高頻譜利用率。分步搜索逐步提高搜索精度，提高信號(hào)到達(dá)角估計(jì)精度并降低估計(jì)復(fù)雜度。較強(qiáng)的實(shí)用性使得本發(fā)明可應(yīng)用于具有稀疏特性的各種系統(tǒng)參數(shù)的估計(jì)。

本項(xiàng)目屬于電子信息功能材料技術(shù)領(lǐng)域。 特色及先進(jìn)性：為了實(shí)現(xiàn)同一種單晶薄膜即可應(yīng)用于磁光器件，又可應(yīng)用于微波器件中，本項(xiàng)目提出了鉍镥鐵石榴石（BiLuIG）薄膜的設(shè)計(jì)體系，為了使其同時(shí)具有良好的磁光和微波特性，本項(xiàng)目很好的根據(jù)晶格匹配原則設(shè)計(jì)了材料配方，并選用無(wú)鉛液相外延技術(shù)，大大提高了薄膜的性能。本項(xiàng)目提出了在釓鎵石榴石（GGG）襯底上直接外延大口徑磁光BiLuIG單晶體的思路，解決我國(guó)無(wú)大晶格常數(shù)摻雜釓鎵石榴石（SGGG）晶圓片技術(shù)、無(wú)鉛液相外延大尺寸BiLuIG晶體圓片的不足，突破純GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶體這一難點(diǎn)科學(xué)問(wèn)題。研究?jī)?nèi)容包括：（1）BiLuIG薄膜材料的配方設(shè)計(jì)研究：基于四能級(jí)躍遷模型，并結(jié)合離子替代規(guī)律和多離子摻雜技術(shù)，尋找最佳配方；（2）液相外延單晶薄膜材料的工藝技術(shù)研究：包括薄膜均勻性、缺陷控制、無(wú)鉛配方、生長(zhǎng)速率和薄膜鏡面條件控制等；（3）材料在器件中的驗(yàn)證研究，設(shè)計(jì)制備平面波導(dǎo)型磁光開(kāi)關(guān)對(duì)材料磁光性能的驗(yàn)證。 技術(shù)指標(biāo)：（1）建成了我國(guó)第一條大尺寸磁光單晶薄膜液相外延的生產(chǎn)線，最大尺寸達(dá)到3英寸，單面薄膜厚度達(dá)到1μm－20μm。（2）單晶薄膜具體微波和磁光參數(shù)：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了進(jìn)行單晶薄膜材料在磁光和微波器件中的設(shè)計(jì)、制備和測(cè)試工作。 促進(jìn)科技進(jìn)步作用意義：本項(xiàng)目突破了我國(guó)在3英寸石榴石系列單晶體材料以及相關(guān)器件研究上的瓶頸技術(shù)，獲得了高法拉第效應(yīng)和低鐵磁共振線寬的大尺寸高質(zhì)量石榴石單晶薄膜材料。滿足了國(guó)內(nèi)在磁光、微波及毫米波集成器件方面對(duì)石榴石系晶體材料的需求，擺脫了完全依賴進(jìn)口、受制于人的不利局面。該項(xiàng)目研制的材料已提供給中電集團(tuán)41所、美國(guó)Delaware大學(xué)、天津大學(xué)、中國(guó)工程物理研究院、深圳市通能達(dá)電子科技有限公司（中電九所下屬）、陜西金山電器有限公司（4390廠）等單位使用，并為中電集團(tuán)9所、33所等單位提供批量樣品，用于制備磁光和微波器件，受到好評(píng)。

針對(duì)大規(guī)模的復(fù)雜網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)，在理論上研究網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)之間協(xié)同規(guī)則，研究網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)與系統(tǒng)性能之間的關(guān)系，構(gòu)建實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)性能指標(biāo)最優(yōu)化的分布式算法。其應(yīng)用主要包括大規(guī)模移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)中信道資源的最優(yōu)分配問(wèn)題、通信基站的最優(yōu)覆蓋問(wèn)題等。

雙電源多熱源爐生產(chǎn)SiC新技術(shù)歷經(jīng)二十多年的研發(fā)，經(jīng)過(guò)了實(shí)驗(yàn)室小試、數(shù)值計(jì)算和計(jì)算機(jī)模擬研究、中試研究和工業(yè)性試驗(yàn)研究，技術(shù)先進(jìn)、成熟、穩(wěn)定，2002年被鑒定為國(guó)際領(lǐng)先水平，2003年獲青海省科技進(jìn)步三等獎(jiǎng)。已在青海、寧夏、新疆等地進(jìn)行技術(shù)推廣，建立生產(chǎn)線3條，創(chuàng)產(chǎn)值3億多元，取得了巨大的社會(huì)效益和經(jīng)濟(jì)效益

環(huán)氧樹(shù)脂具有良好的耐腐蝕性、固化收縮率低、機(jī)械性能和電性能優(yōu)異等特點(diǎn),因而廣泛用于涂料、膠黏劑、復(fù)合材料(^及電子封裝材料等領(lǐng)域。然而傳統(tǒng)雙酷A型環(huán)氧材料存在質(zhì)脆、耐熱性不足和使用溫度低等問(wèn)題,限制了它的應(yīng)用。針對(duì)上述問(wèn)題,本項(xiàng)目的研究工作主要從分子設(shè)計(jì)出發(fā)制備了一系列結(jié)構(gòu)可控的多官能環(huán)氧樹(shù)脂,FF其中包括超支化環(huán)氧聚合物W及四官能度環(huán)氧樹(shù)脂,并將它們添加到雙酷A型環(huán)氧樹(shù)脂(DGEBA)中改性。經(jīng)超支化環(huán)氧聚合物改性后,FF材料的拉伸強(qiáng)度、沖擊強(qiáng)度及玻璃化轉(zhuǎn)變濕度(Tg)等性能得到同F(xiàn)F時(shí)改善;經(jīng)四官能度環(huán)氧樹(shù)脂改性后,材料能夠在Tg大于250°C的同F(xiàn)F時(shí)還兼具優(yōu)異的強(qiáng)度和初性。基于這些改性效果,深入研究了結(jié)構(gòu)與FF性能的關(guān)系,并討論了改性機(jī)理。本項(xiàng)目的主要內(nèi)容如下: 提出了一種超支化可控聚合的新方法,即利用競(jìng)爭(zhēng)反應(yīng)得到分子量可控及支化度不變的超支化聚合物。制備了一種可控Tg的超支化聚合物體系。利用競(jìng)爭(zhēng)聚合反應(yīng)制備了端基為環(huán)氧基的聚厳型超支化聚合物EHBPE。利用競(jìng)爭(zhēng)反應(yīng)原理制備出四種不同結(jié)構(gòu)的超支化環(huán)氧聚合物。制備了一種髙性能的環(huán)氧均聚材料。制備了一系列新結(jié)構(gòu)四官能度環(huán)氧樹(shù)脂。