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已有樣品/n5G針對(duì)熱點(diǎn)場(chǎng)景優(yōu)化，通過密集部署的小型基站來卸載用戶流量，滿足用戶高 速接入的需求，提升用戶體驗(yàn)。面向熱點(diǎn)高容量的基帶芯片為小型基站提供高靈活 性、集成一體化的芯片級(jí)解決方案，大大降低5G網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)成本，是小型基站的核 心器件。研制小型基站基帶芯片對(duì)我國(guó)在5G時(shí)代實(shí)現(xiàn)引領(lǐng)、提升企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力、 搶占市場(chǎng)應(yīng)用先機(jī)具有重要的戰(zhàn)略意義。面向室內(nèi)外局部熱點(diǎn)區(qū)域的高容量場(chǎng)景， 突破軟件可定義空口架構(gòu)、高并行度基帶處理等關(guān)鍵技術(shù)，研制能夠提供高數(shù)據(jù)傳 輸速率的基帶芯片，開發(fā)相關(guān)模塊并與企業(yè)合作進(jìn)行

本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)了一種高速實(shí)時(shí)運(yùn)動(dòng)控制電路/芯片，包括CPU讀寫控制模塊、FIFO(First In First Out)模塊、FIFO讀取控制模塊、初始化模塊、輔助控制模塊、插補(bǔ)控制模塊和輸出控制模塊；CPU讀寫控制模塊的數(shù)據(jù)輸入端接收外部控制數(shù)據(jù)，它的數(shù)據(jù)輸出端連接FIFO模塊的輸入端；FIFO模塊的輸出端連接FIFO讀取控制模塊，F(xiàn)IFO讀取控制模塊的輸出端連接初始化模塊輸入端，初始化模塊輸出端分別連接輔助控制模塊和插補(bǔ)控制模塊的輸入端；輔助控制模塊和插補(bǔ)控制模塊的輸出端分別連接輸出控制模塊的輸入端，輸出控制模塊的輸出端即為本電路/芯片的輸出端；FIFO模塊內(nèi)還包括監(jiān)測(cè)FIFO空/滿狀態(tài)的檢測(cè)模塊。

本發(fā)明所述毛細(xì)管等速微通道電泳芯片，包括芯片本體，包括位于芯片本體上的進(jìn)樣毛細(xì)管和檢測(cè)毛細(xì)管，所述進(jìn)樣毛細(xì)管中部和檢測(cè)毛細(xì)管一端呈T形垂直連接。采用本發(fā)明所述的毛細(xì)管等速微通道電泳芯片，采取蝕刻芯片代替普通毛細(xì)管，使得電泳路徑明顯縮短并更加規(guī)則；采取T字形毛細(xì)管，使得前導(dǎo)、尾隨緩沖液和樣品分別進(jìn)樣更加方便，且能有效縮短電泳路徑減少流體沿程阻力損失，更大限度的保證衡量污染物監(jiān)測(cè)的精確度。

微電子芯片結(jié)構(gòu)關(guān)鍵尺寸（CD）的測(cè)試，是保證以集成電路為代表的微電子芯片研制、加工等工藝實(shí)現(xiàn)能否滿足設(shè)計(jì)要求的關(guān)鍵測(cè)試/分析技術(shù)。該技術(shù)（OCD）的產(chǎn)業(yè)化在國(guó)內(nèi)還是空白，目前我們的系統(tǒng)研究可PK國(guó)際先進(jìn)水平，并已具備產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)移的能力。 

本發(fā)明提供了一種芯片拾放控制方法, 芯片以第一速度 V1 下降到速度切換位置,對(duì)其直接減速至第二速度 V2,再以第二速度 V2 下降至芯片待拾取或貼裝處，完成芯片拾取或貼裝，芯片在下將過程中從高速直接轉(zhuǎn)至低速,減小了減速過程的沖擊力，有效完成芯片拾取或貼裝。

哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）電子與信息工程學(xué)院的徐科副教授、姚勇教授與其合作者，針對(duì)光通信芯片集成度受限的問題，通過光波導(dǎo)模場(chǎng)的精細(xì)調(diào)控，在實(shí)現(xiàn)多模波導(dǎo)低損耗和低串?dāng)_的同時(shí)，將關(guān)鍵器件的尺寸縮小了1-2個(gè)數(shù)量級(jí)。芯片支持3×112 Gbit/s高速模分復(fù)用信號(hào)的任意緊湊布線，使多模光學(xué)系統(tǒng)的大規(guī)模片上集成成為可能。該成果將進(jìn)一步助力集成光子芯片在光通信、人工智能、高性能計(jì)算、量子信息等眾多高新領(lǐng)域中加速發(fā)展和應(yīng)用。

用于量子保密通信、近紅外探測(cè)成像、高速量子光通信、激光雷達(dá)探測(cè)。 針對(duì)單光子探測(cè)需求，提取關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)，通過多次半導(dǎo)體器件仿真優(yōu)化，最終得到外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。結(jié)合 13 所 自主外延生長(zhǎng)技術(shù)與精準(zhǔn)的鋅擴(kuò)散方案，最終實(shí)現(xiàn)較為成功的 GM-APD 芯片。該芯片已經(jīng)成功達(dá)到量子保密通信中單光子探測(cè)需求，并在安徽問天量子技術(shù)有限公司的產(chǎn)品中得到應(yīng)用。 

本發(fā)明公開了一種廣譜成像探測(cè)芯片。包括熱輻射結(jié)構(gòu)和光敏陣列。廣譜入射光波進(jìn)入熱輻射結(jié)構(gòu)后，在納尖表面激勵(lì)產(chǎn)生等離激元，驅(qū)動(dòng)圖形化金屬膜中的自由電子向納尖產(chǎn)生振蕩性集聚，納尖收集的自由電子與等離激元驅(qū)控下涌入的自由電子相疊合，產(chǎn)生壓縮性脈動(dòng)，使電子急劇升溫并向周圍空域發(fā)射主要成分為可見光的熱電磁輻射，光敏陣列將熱電磁輻射轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，經(jīng)預(yù)處理后得到電子圖像數(shù)據(jù)并輸出。本發(fā)明能將廣譜入射光波基于壓縮在納空間中的高溫

本發(fā)明公開了一種超薄芯片的制備方法，具體為：首先在硅晶圓表面光刻形成掩膜以暴露出需要減薄的區(qū)域，再采用刻蝕工藝對(duì)硅晶圓進(jìn)行局部減薄，對(duì)減薄后的區(qū)域進(jìn)行芯片后續(xù)工藝處理得到芯片，最后將芯片與硅晶圓分離。本發(fā)明只是部分減薄了硅片，所以硅晶圓的機(jī)械強(qiáng)度仍然可以支持硅片進(jìn)行后續(xù)的加工工藝，相對(duì)于傳統(tǒng)的利用支撐基底來減薄芯片的方法，簡(jiǎn)化了工藝流程，降低了工藝成本。另外由于不需要用機(jī)械研磨工藝來進(jìn)行減薄，所以不會(huì)因?yàn)闄C(jī)械研磨對(duì)硅晶圓造成的輕微震動(dòng)而使厚度不能減得過小，通過本發(fā)明可以使芯片減薄到比機(jī)械研磨方法更薄的程度。

一種基于真空非對(duì)齊的新的暗物質(zhì)非熱產(chǎn)生機(jī)制，這一機(jī)制可以適用于包括復(fù)合希格斯在內(nèi)的一大類模型。真空非對(duì)齊是對(duì)稱性自發(fā)破缺的一種方式，如圖1(a)所示。我們以一個(gè)簡(jiǎn)化的復(fù)合希格斯模型為特例闡述了機(jī)制的運(yùn)作方式。在高溫時(shí)，電弱真空隨手征對(duì)稱性破缺而發(fā)生大的破缺，真空非對(duì)齊角在一段時(shí)間內(nèi)維持在90度，即對(duì)應(yīng)于一個(gè)無希格斯粒子(Higgsless)的真空。此時(shí)希格斯場(chǎng)會(huì)與模型中其它的贗南部-戈德斯通玻色子組合成一個(gè)質(zhì)量復(fù)標(biāo)量場(chǎng)，假定這個(gè)復(fù)標(biāo)量可以攜帶一個(gè)新的U(1)對(duì)稱性的非零荷，則它在這個(gè)真空中不會(huì)完全衰變?yōu)闃?biāo)準(zhǔn)模型的粒子。如果模型中還有一些暗物質(zhì)粒子也帶有這個(gè)U(1)對(duì)稱性的荷，那么希格斯場(chǎng)在這個(gè)真空中與暗物質(zhì)受到相同對(duì)稱性保護(hù)，同屬于所謂的暗的部分。如果引入的新的U(1)對(duì)稱性是電弱反常的，則在發(fā)生電弱相變時(shí)可通過sphaleron不對(duì)稱地產(chǎn)生正反暗物質(zhì)，之后正反暗物質(zhì)會(huì)互相湮滅，直到反物質(zhì)（或正物質(zhì)）被全部湮滅，而最終殘留的部分就可作為宇宙的暗物質(zhì)遺跡。在我們的理論機(jī)制中，暗物質(zhì)遺跡的不對(duì)稱產(chǎn)生是在無希格斯真空下發(fā)生的，但隨著溫度的降低，真空非對(duì)齊角會(huì)開始變小并最終演化為今天的標(biāo)準(zhǔn)模型真空，真空非對(duì)齊角隨溫度的變化參見圖1(b)，而暗的U(1)對(duì)稱性也隨之發(fā)生自發(fā)破缺。在真空非對(duì)齊角開始偏離90度時(shí)，希格斯粒子開始從暗的部分中分離出來，也就是說希格斯粒子有可能在較高溫度時(shí)曾經(jīng)屬于暗的一部分，但在溫度降低后從暗的部分中演生出來，成為一個(gè)不穩(wěn)定的實(shí)標(biāo)量粒子。另一方面，還有一些復(fù)合暗物質(zhì)粒子因?yàn)槭艿揭粋€(gè)Z_2對(duì)稱性的保護(hù)而不會(huì)完全衰變?yōu)闃?biāo)準(zhǔn)模型粒子，它們雖然在無希格斯真空下是復(fù)標(biāo)量場(chǎng)，但在標(biāo)準(zhǔn)模型真空下卻會(huì)劈裂為兩個(gè)有質(zhì)量差別的實(shí)標(biāo)量場(chǎng)，于是通過Z規(guī)范玻色子與原子核散射的過程被運(yùn)動(dòng)學(xué)禁戒，從而不會(huì)受到很強(qiáng)的直接探測(cè)限制。我們的理論機(jī)制預(yù)言，總會(huì)存在一個(gè)輕的贗標(biāo)量粒子，這對(duì)暗物質(zhì)直接探測(cè)如Xenon1T實(shí)驗(yàn)、宇宙學(xué)觀測(cè)、超新星觀測(cè)以及在對(duì)撞機(jī)實(shí)驗(yàn)中探測(cè)“Z規(guī)范玻色子衰變到光子及這個(gè)贗標(biāo)量粒子”過程等結(jié)果都有深遠(yuǎn)的影響，從而可以得到檢驗(yàn)。