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5G?基帶芯片研發與驗證
已有樣品/n5G針對熱點場景優化，通過密集部署的小型基站來卸載用戶流量，滿足用戶高 速接入的需求，提升用戶體驗。面向熱點高容量的基帶芯片為小型基站提供高靈活 性、集成一體化的芯片級解決方案，大大降低5G網絡的建設成本，是小型基站的核 心器件。研制小型基站基帶芯片對我國在5G時代實現引領、提升企業核心競爭力、 搶占市場應用先機具有重要的戰略意義。面向室內外局部熱點區域的高容量場景， 突破軟件可定義空口架構、高并行度基帶處理等關鍵技術，研制能夠提供高數據傳 輸速率的基帶芯片，開發相關模塊并與企業合作進行
中國科學院大學
2021-01-12
高速實時聯動控制電路及芯片
本實用新型實現了一種高速實時運動控制電路/芯片，包括CPU讀寫控制模塊、FIFO(First In First Out)模塊、FIFO讀取控制模塊、初始化模塊、輔助控制模塊、插補控制模塊和輸出控制模塊；CPU讀寫控制模塊的數據輸入端接收外部控制數據，它的數據輸出端連接FIFO模塊的輸入端；FIFO模塊的輸出端連接FIFO讀取控制模塊，FIFO讀取控制模塊的輸出端連接初始化模塊輸入端，初始化模塊輸出端分別連接輔助控制模塊和插補控制模塊的輸入端；輔助控制模塊和插補控制模塊的輸出端分別連接輸出控制模塊的輸入端，輸出控制模塊的輸出端即為本電路/芯片的輸出端；FIFO模塊內還包括監測FIFO空/滿狀態的檢測模塊。
南京工程學院
2021-04-13
毛細管等速微通道電泳芯片
本發明所述毛細管等速微通道電泳芯片，包括芯片本體，包括位于芯片本體上的進樣毛細管和檢測毛細管，所述進樣毛細管中部和檢測毛細管一端呈T形垂直連接。采用本發明所述的毛細管等速微通道電泳芯片，采取蝕刻芯片代替普通毛細管，使得電泳路徑明顯縮短并更加規則；采取T字形毛細管，使得前導、尾隨緩沖液和樣品分別進樣更加方便，且能有效縮短電泳路徑減少流體沿程阻力損失，更大限度的保證衡量污染物監測的精確度。
四川大學
2016-09-29
微電子芯片關鍵尺寸測試/分析系統
微電子芯片結構關鍵尺寸（CD）的測試，是保證以集成電路為代表的微電子芯片研制、加工等工藝實現能否滿足設計要求的關鍵測試/分析技術。該技術（OCD）的產業化在國內還是空白，目前我們的系統研究可PK國際先進水平，并已具備產業化轉移的能力。
電子科技大學
2021-04-14
一種芯片拾放控制方法
本發明提供了一種芯片拾放控制方法, 芯片以第一速度 V1 下降到速度切換位置,對其直接減速至第二速度 V2,再以第二速度 V2 下降至芯片待拾取或貼裝處，完成芯片拾取或貼裝，芯片在下將過程中從高速直接轉至低速,減小了減速過程的沖擊力，有效完成芯片拾取或貼裝。
華中科技大學
2021-04-14
高集成度光通信芯片
哈爾濱工業大學（深圳）電子與信息工程學院的徐科副教授、姚勇教授與其合作者，針對光通信芯片集成度受限的問題，通過光波導模場的精細調控，在實現多模波導低損耗和低串擾的同時，將關鍵器件的尺寸縮小了1-2個數量級。芯片支持3×112 Gbit/s高速模分復用信號的任意緊湊布線，使多模光學系統的大規模片上集成成為可能。該成果將進一步助力集成光子芯片在光通信、人工智能、高性能計算、量子信息等眾多高新領域中加速發展和應用。
哈爾濱工業大學
2021-04-14
光電探測量子芯片產業化
用于量子保密通信、近紅外探測成像、高速量子光通信、激光雷達探測。 針對單光子探測需求，提取關鍵技術參數，通過多次半導體器件仿真優化，最終得到外延結構設計。結合 13 所 自主外延生長技術與精準的鋅擴散方案，最終實現較為成功的 GM-APD 芯片。該芯片已經成功達到量子保密通信中單光子探測需求，并在安徽問天量子技術有限公司的產品中得到應用。
中國科學技術大學
2021-04-14
一種廣譜成像探測芯片
本發明公開了一種廣譜成像探測芯片。包括熱輻射結構和光敏陣列。廣譜入射光波進入熱輻射結構后，在納尖表面激勵產生等離激元，驅動圖形化金屬膜中的自由電子向納尖產生振蕩性集聚，納尖收集的自由電子與等離激元驅控下涌入的自由電子相疊合，產生壓縮性脈動，使電子急劇升溫并向周圍空域發射主要成分為可見光的熱電磁輻射，光敏陣列將熱電磁輻射轉換為電信號，經預處理后得到電子圖像數據并輸出。本發明能將廣譜入射光波基于壓縮在納空間中的高溫
華中科技大學
2021-04-14
一種超薄芯片的制備方法
本發明公開了一種超薄芯片的制備方法，具體為：首先在硅晶圓表面光刻形成掩膜以暴露出需要減薄的區域，再采用刻蝕工藝對硅晶圓進行局部減薄，對減薄后的區域進行芯片后續工藝處理得到芯片，最后將芯片與硅晶圓分離。本發明只是部分減薄了硅片，所以硅晶圓的機械強度仍然可以支持硅片進行后續的加工工藝，相對于傳統的利用支撐基底來減薄芯片的方法，簡化了工藝流程，降低了工藝成本。另外由于不需要用機械研磨工藝來進行減薄，所以不會因為機械研磨對硅晶圓造成的輕微震動而使厚度不能減得過小，通過本發明可以使芯片減薄到比機械研磨方法更薄的程度。
華中科技大學
2021-04-11
一種新的產生暗物質和希格斯的理論機制
一種基于真空非對齊的新的暗物質非熱產生機制，這一機制可以適用于包括復合希格斯在內的一大類模型。真空非對齊是對稱性自發破缺的一種方式，如圖1(a)所示。我們以一個簡化的復合希格斯模型為特例闡述了機制的運作方式。在高溫時，電弱真空隨手征對稱性破缺而發生大的破缺，真空非對齊角在一段時間內維持在90度，即對應于一個無希格斯粒子(Higgsless)的真空。此時希格斯場會與模型中其它的贗南部-戈德斯通玻色子組合成一個質量復標量場，假定這個復標量可以攜帶一個新的U(1)對稱性的非零荷，則它在這個真空中不會完全衰變為標準模型的粒子。如果模型中還有一些暗物質粒子也帶有這個U(1)對稱性的荷，那么希格斯場在這個真空中與暗物質受到相同對稱性保護，同屬于所謂的暗的部分。如果引入的新的U(1)對稱性是電弱反常的，則在發生電弱相變時可通過sphaleron不對稱地產生正反暗物質，之后正反暗物質會互相湮滅，直到反物質（或正物質）被全部湮滅，而最終殘留的部分就可作為宇宙的暗物質遺跡。在我們的理論機制中，暗物質遺跡的不對稱產生是在無希格斯真空下發生的，但隨著溫度的降低，真空非對齊角會開始變小并最終演化為今天的標準模型真空，真空非對齊角隨溫度的變化參見圖1(b)，而暗的U(1)對稱性也隨之發生自發破缺。在真空非對齊角開始偏離90度時，希格斯粒子開始從暗的部分中分離出來，也就是說希格斯粒子有可能在較高溫度時曾經屬于暗的一部分，但在溫度降低后從暗的部分中演生出來，成為一個不穩定的實標量粒子。另一方面，還有一些復合暗物質粒子因為受到一個Z_2對稱性的保護而不會完全衰變為標準模型粒子，它們雖然在無希格斯真空下是復標量場，但在標準模型真空下卻會劈裂為兩個有質量差別的實標量場，于是通過Z規范玻色子與原子核散射的過程被運動學禁戒，從而不會受到很強的直接探測限制。我們的理論機制預言，總會存在一個輕的贗標量粒子，這對暗物質直接探測如Xenon1T實驗、宇宙學觀測、超新星觀測以及在對撞機實驗中探測“Z規范玻色子衰變到光子及這個贗標量粒子”過程等結果都有深遠的影響，從而可以得到檢驗。
中山大學
2021-04-13