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一種大規模磁紡設備及用該設備制備微納米纖維的方法
該發明公開了一種大規模磁紡設備及使用該設備制備微納米纖維的方法，該設備包括支架，給料裝置，紡絲噴射裝置和水平設置的滾筒式收集裝置，收集滾筒的表面固定有提供磁場的條形永磁鐵，紡絲噴射裝置有多個噴頭，排成一列，指向條形永磁體，被固定在可沿滾筒中軸線方向做往復運動的驅動器上。該設備以磁場力代替電場力，在交變磁場力作用下拉伸鐵磁流體制備磁性微納米纖維，整個過程無需高壓電作用，有效降低生產成本和安全隱患，同時可批量連續生產微納米纖維，且制得的纖維排布有序，產量高適合大規模生產。
青島大學
2021-04-13
一種英文微博中地理興趣點抽取和感知其時間趨勢的方法
本發明公開了一種抽取英文微博中地理興趣點和感知其時間趨勢的方法，本發明首先對一條英文微 博進行掃描，確定其中包含的候選地理興趣點;然后從微博中抽取詞匯，語法和 BILOU 模式標記三類 特征;基于三類特征，運用時間趨勢地理興趣點標記器，對微博中的候選地理興趣點進行確定和感知其 對應的時間趨勢。依照本發明所提供自動確定英文微博中涉及的地理興趣點以及其時間趨勢的技術方法， 可以基于精細度地理位置來進行個性化的服務和開展市場營銷。由于地理興趣點知識庫的構建利用了位 置社交網絡，不需人工進行生成，而且三類特征信息具有普遍性，使本發明可以廣泛應用于同類各種英 文微博服務平臺，具有廣泛的實際意義和商業價值。
武漢大學
2021-04-13
一種基于金屬微納結構天線陣列的反射式離軸透鏡
本發明提供一種基于金屬微納結構天線陣列的反射式離軸透鏡，包括襯底層、反射層、光學薄膜匹 配層和金屬微納結構天線層。每一個金屬微納結構天線的朝向均不同，通過特定排布，可實現將平行入 射的激光反射匯聚在與入射光束同側的任意方向上，可應用于激光離軸光學系統中。由金屬微納結構天 線陣列構造的反射式離軸透鏡，不僅可連續調制入射光的位相，且僅需簡單的一次光刻工藝步驟即可制 造完成，因此具有設計靈活、加工簡單、結構緊湊等突出優點。
武漢大學
2021-04-13
一種基于金屬平面微納線尖電極的電調透光率薄膜
本發明公開了一種基于金屬平面微納線尖簇電極的電調透光率薄膜，其包括：由金屬平面微納線尖有序密集排布構成的一層圖案化陰極和一層平面陽極，它們被分別制作在一層納米厚度的透光基膜/電絕緣膜的上下表面；在加電態下，陰極上可自由移動的電子被陰陽電極間所激勵的電場驅控，向金屬平面微納線尖簇其各納線尖頂聚集，納線尖金屬電連接線上的自由電子分布密度因部分甚至絕大多數電子被納線尖頂抽走而減少甚至急劇降低。本發明基于金屬平面微納線尖
華中科技大學
2021-04-14
太陽能薄膜電池一種關鍵技術：磁控濺射制備微晶硅薄膜
目前在工業上廣泛采用的CVD技術制備硅膜，工藝和設備復雜，成本高，且在安全和環保環節上投入巨大。我們在國內首創出了微晶硅薄膜的PVD法沉積工藝，在溫度低于300度的條件下，在單晶硅片和普通玻璃片上制備出不同結晶度的微晶硅薄膜和納米結構硅薄膜，可以得到具有高度<111>方向取向生長的微晶硅薄膜，并實現了控制工藝的穩定性和可重復性。利用磁控濺射技術成功實現微晶硅薄膜的制備是一項重大突破，從根本上克服了現有技術的缺點，具有綠色、高效、簡單等優點。目前需要合作伙伴，把該實驗室技術放大到工業規模。
大連理工大學
2021-04-14
基于雙路電壓信號驅控的面陣電控液晶光發散微柱鏡芯片
本發明公開了一種基于雙路電壓信號驅控的面陣電控液晶光發散微柱鏡芯片，包括：液晶散光微柱鏡陣列、第一驅控信號輸入端口、以及第二驅控信號輸入端口，液晶散光微柱鏡陣列為 m×n 元，其中 m、n 均為大于的整數，液晶散光微柱鏡陣列采用液晶夾層結構，且上下層之間順次設置有第一基片、頂層面電極板、電極間絕緣層、頂層圖案化電極板、第一液晶定向層、液晶層、第二液晶定向層、網孔狀共地電極板、第二基片，頂層面電極板和網孔狀共地電極板分
華中科技大學
2021-04-14
一種基于光纖圖像傳輸的圓柱面表面微痕缺陷的檢測系統
本發明公開了一種基于光纖圖像傳輸的圓柱面表面微痕缺陷的 檢測系統，運用光纖束傳像原理，將傳像光纖有規則地排列在一個同 心圓周上，實現外圓柱表面一周的圖像采集及缺陷檢測。該裝置主要 包括球面聚光反射鏡、點光源、聚焦透鏡系統、傳光光纖、自聚焦棒 透鏡、傳像光纖、柱面透鏡和線陣 CCD。本發明一方面通過光纖將外 界照明光引入，使被檢測表面的環狀檢測區域被充分照明;另一方面 利用傳像光纖把被檢測表面的反射光傳遞給CCD聚焦透鏡系統;最后 通過圖像采集卡和計算機軟件分析檢測圓柱類物體外表面的缺陷。該
華中科技大學
2021-04-14
一種適用于點型缺陷的磁軛式局部微磁化檢測裝置
本發明公開了一種適用于點型缺陷的磁軛式局部微磁化檢測裝 置，該裝置包括磁敏感元件部分，磁感應部分以及磁軛式局部微磁化 部分，磁敏感元件部分包括磁敏感元件、引線端、磁引導芯和引導芯 套筒，磁引導芯下端采用圓錐形的結構細化檢測區域，實現點型缺陷 的高分辨率檢測；磁感應部分由繞制在引導芯套筒外側的磁感應線圈 組成；由引導芯套筒支撐固定的磁軛式局部微磁化部分，包括環形導 磁構件、磁鐵連接件、磁軛式雙磁鐵以及斜向雙導磁構件，該部分將 磁場量導入待檢測金屬體內，達到局部微磁化的效果，通過與磁引導 芯連接的磁敏感
華中科技大學
2021-04-14
一種精確控制微納尺寸相變材料非晶化率連續變化的方法
本發明公開了一種通過施加低電平脈沖實現微納尺寸 GST 相變 材料非晶化率連續變化的控制方法，包括控制非晶化率連續單調增大 和連續單調減小的操作，通過利用兩個或兩個以上的連續脈沖的幅值、 寬度和間隔等三個參量綜合自適應變化精確控制焦耳熱產生，繼而實 現 GST 相變材料晶化率的連續變化，具體包括步驟：對相變存儲單元 施加具有一定參量的兩個或兩個以上的連續脈沖；在連續脈沖的作用 下，相變材料獲得一定的熱量，使部分相變材
華中科技大學
2021-04-14
一種基于微流控芯片粒子捕獲式的單粒子散射測量方法
本發明公開了一種基于微流控芯片粒子捕獲式單粒子散射測量 方法，包括微流控芯片的設計制作、測量環境配置、對準、單粒子的 捕獲和單粒子環境的構建以及單粒子大角度的散射分布的測定等相關 方法。與現有技術相比，由于結合了微流控芯片粒子捕獲技術，克服 了單粒子的大角度散射、大動態范圍內的光散射特性測量方法的不足， 實現了單粒子大角度散射分布的測量
華中科技大學
2021-04-14