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1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統(tǒng) 針對高壓IGBT器件內(nèi)部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統(tǒng)（如圖1所示），可實現(xiàn)電壓波形參數(shù)、溫度和氣壓的靈活調(diào)控，用于研究電壓類型（交、直流、重復方波電壓）、波形參數(shù)、氣體種類、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量、局部放電測量、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示），平臺相關(guān)參數(shù)：頻率：DC~20kHz，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調(diào)，占空比：1%~99%，溫度：25℃~150℃，氣壓：真空~3個大氣壓。  2.壓接型IGBT器件并聯(lián)均流實驗系統(tǒng) 針對高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部的芯片間電流均衡問題，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯(lián)均流實驗系統(tǒng)（如圖3所示），平臺具有靈活調(diào)節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線，溫度和壓力分布的能力，可開展芯片參數(shù)、寄生參數(shù)以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關(guān)斷過程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究，以及瞬態(tài)電流不均衡調(diào)控方法的研究；平臺相關(guān)參數(shù)：電壓：0~6.5kV，電流：0~3kA，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN。   圖3 壓接型IGBT多芯片并聯(lián)均流實驗 3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統(tǒng) 隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰(zhàn)。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環(huán)測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環(huán)測試，最多可實現(xiàn)12個IGBT器件的同時測試。電流等級、波形參數(shù)、壓力均獨立可調(diào)，功率循環(huán)周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms，最高壓力達220 kN，虛擬結(jié)溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV。高溫柵偏測試裝備可實現(xiàn)漏電流和閾值電壓的實時在線監(jiān)測，最多可實現(xiàn)32個IGBT器件的同時測試。 4. 壓接器件內(nèi)部并聯(lián)多芯片電流及結(jié)溫測量方法及實現(xiàn) 高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部芯片瞬態(tài)電流及結(jié)溫測量是器件多物理量均衡調(diào)控及狀態(tài)監(jiān)測的基本手段，針對器件內(nèi)部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現(xiàn)了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結(jié)構(gòu)設(shè)計，設(shè)計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示），實現(xiàn)臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)芯片結(jié)溫測量，提出了壓接型IGBT器件結(jié)溫分布測量的時序溫敏電參數(shù)法，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示），在各周期分別進行單顆IGBT芯片結(jié)溫的測量，進而等效獲得一個周期內(nèi)各IGBT芯片的結(jié)溫分布。在此基礎(chǔ)上，完成了集成于高壓大功率器件內(nèi)部的多芯片并聯(lián)電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數(shù)測量驅(qū)動板的設(shè)計（如圖7所示）。 5. 自主研制高壓大功率電力電子器件 面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求，開展了芯片建模與篩選、芯片并聯(lián)電流均衡調(diào)控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調(diào)控等方面工作，相關(guān)成果支撐了國家電網(wǎng)公司全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應(yīng)用驗證實驗，同時也支撐了世界首個18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制。

本項目研發(fā)的紅外無損檢測設(shè)備通過超聲波、脈沖光源、連續(xù)光源等方式對被檢測物體進行熱激勵，以紅外熱成像方式檢測物體的內(nèi)部缺陷，具有單次檢測面積大、速度快、可單面檢測、無需拆卸被檢測部件、可在外場使用等優(yōu)點，適合于多種形狀固體材料結(jié)構(gòu)內(nèi)部裂紋、分層或脫粘缺陷檢測。其主要檢測對象有：材料內(nèi)部微裂紋，復合材料的分層、脫粘和撞擊損傷，熱障涂層和陶瓷部件上的微裂紋，管道內(nèi)壁的裂紋和腐蝕坑，C/C復合材料上的裂紋，固體發(fā)動機絕熱層脫粘，航天膠接結(jié)構(gòu)脫粘，焊縫內(nèi)部裂紋等多種材料內(nèi)部缺陷。

超聲振動紅外熱波（熱像）無損檢測設(shè)備以超聲激振被檢測對象，以紅外熱成像方式檢測物體的內(nèi)部缺陷，具有單次檢測面積大、速度快、可單面檢測、不必拆下總裝后的部件、可在外場使用等優(yōu)點。是一種適合于任何固體材料結(jié)構(gòu)內(nèi)部裂紋、分層或脫粘缺陷檢測的可視化檢測設(shè)備。主要檢測對象有：材料內(nèi)部微裂紋，復合材料的分層、脫粘和撞擊損傷，熱障涂層和陶瓷部件上的微裂紋，管道內(nèi)壁的裂紋和腐蝕坑，C/C復合材料上的裂紋，等等。設(shè)備是自行研制的設(shè)備，具有自主知識產(chǎn)權(quán)。 技術(shù)指標：1. 最大激振功率：2600W；2. 圖像分辨率：320*240；3. 檢測時間：5s；4. 單次檢測面積：300mm*200mm以上。

本發(fā)明涉及微型量熱儀，包括量熱儀本體、溫度控制系統(tǒng)和數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，量熱儀本體包括外盒體和內(nèi)盒體，外盒體設(shè)置有加熱塊，內(nèi)盒體內(nèi)設(shè)置有熱電偶，熱電偶一個探測端與內(nèi)盒體連接，另一探測端與被測樣品連接，外盒體或內(nèi)盒體上還設(shè)置有溫度計；溫度控制系統(tǒng)的溫度探測端與溫度計相連，溫度控制端與加熱塊相連；數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的溫度數(shù)據(jù)接收端與溫度計相連，溫度差數(shù)據(jù)接收端與熱電偶相連。本量熱儀僅有一個被測樣品平臺，通過熱電偶獲取被測樣品與儀器內(nèi)盒體之間的溫度差，然后結(jié)合標準樣品校正得出的裝置系數(shù)，即可得到被測樣品在溫度升降過程中的熱量變化量，進而繪制出DSC曲線。相對于傳統(tǒng)的儀器，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)更為緊湊，且尺寸小巧。

450mm×250mm×300mm，八大行星模型，大致區(qū)分大小（直徑），有公轉(zhuǎn)軌道，可手動操作。

本發(fā)明公開了一種面向卷到卷電噴打印過程的多物理量協(xié)同控 制方法，包括：（a）輸入有關(guān)基板、噴嘴和噴印微環(huán)境的一系列工藝 參數(shù)參考值；（b）分別對噴嘴的位置狀態(tài)、射流狀態(tài)、液滴在基板上 的沉積狀態(tài)、基板的張力狀態(tài)和位置狀態(tài)分別執(zhí)行實時檢測；（c）采 用噴印微環(huán)境-電壓混合控制方式對噴嘴電壓和噴印微環(huán)境溫濕度共 同執(zhí)行調(diào)節(jié)；（d）采用張力-位置混合控制方式對基板的張力及位置、 噴嘴位置共同執(zhí)行調(diào)節(jié)；（e）在噴印完成之前持續(xù)對上述參數(shù)閉環(huán)控 制，直至完成整個電噴打印過程。通過本發(fā)明，可顯著提高電噴印質(zhì)量，同時具備適應(yīng)各類復雜工況、不易被干擾、高效率和高可靠性等 特點，因而尤其適用于卷到卷電噴打印產(chǎn)品的制備過程。 

主要用于天文普及教學，能演示太陽系中太陽和九大行星等主要天體的相對位置、大小以及太陽系的結(jié)構(gòu)關(guān)系。

箱體為手提式一體工程塑料制作完成，外觀尺寸（cm）：55*45*15主要配置及用材：背板（太陽，黑星際天空），行星模型（木星、土星、金星、地球、水星、火星、天王星、海王星），矮行星模型（冥王星、谷神星、齊娜），小行星模型（示意性的）。各種器材有序嵌放于珍珠棉發(fā)泡成型的空間內(nèi)。