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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
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電子聚合物納米薄膜調(diào)控與氣敏動(dòng)力學(xué)研究
本項(xiàng)目屬敏感電子學(xué)與傳感器研究領(lǐng)域。主要圍繞電子聚合物納米氣敏薄膜調(diào)控與氣體傳感器敏感動(dòng)力學(xué)開(kāi)展了系統(tǒng)研究，在電子聚合物分子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與合成、敏感聚合物有序薄膜聚集方法及性能調(diào)控機(jī)制、氣體傳感器敏感機(jī)理等方面取得了一系列創(chuàng)新性成果，為氣敏材料的設(shè)計(jì)與調(diào)控以及傳感器性能的改善提供了科學(xué)依據(jù)，開(kāi)拓了電子聚合物薄膜氣體傳感器新領(lǐng)域。發(fā)表SCI論文87篇，SCI他引839次，其中在國(guó)際化學(xué)傳感器權(quán)威期刊《Sensors and Actuators B》上發(fā)表論文16篇，受到了國(guó)內(nèi)外同行的高度評(píng)價(jià)和認(rèn)可。本項(xiàng)目
電子科技大學(xué)
2021-04-14
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一種自支撐 PEDOT-PSS 薄膜及其制備方法與應(yīng)用
本發(fā)明公開(kāi)了一種自支撐 PEDOT-PSS 薄膜，包括質(zhì)量比為 3:7～ 15:2 的 PEDOT 以及 PSS，所述 PEDOT-PSS 薄膜的厚度為 1μm～50 μm，方塊電阻為 0.10Ω/sq～120Ω/sq，電導(dǎo)率為 210S/cm～1827S/cm。 本發(fā)明還公開(kāi)了該 PEDOT-PSS 薄膜的制備方法以及在光電子器件的 電極中的應(yīng)用。本發(fā)明制備所得的 PEDOT-PSS 薄膜具有良好的自支撐 性能以及導(dǎo)電性能，在光
華中科技大學(xué)
2021-04-14
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多鐵BiFeO3薄膜反鐵磁序應(yīng)變調(diào)控機(jī)制
BiFeO3薄膜反鐵磁序的研究是理解磁電耦合效應(yīng)和實(shí)現(xiàn)電場(chǎng)控制磁性的前提，然而觀測(cè)反鐵磁結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)手段有限，薄膜中多個(gè)鐵彈疇的存在進(jìn)一步使其分析更為困難。因此，BiFeO3薄膜反鐵磁結(jié)構(gòu)及其應(yīng)變調(diào)控的物理機(jī)制一直還存在爭(zhēng)議。 研究發(fā)現(xiàn)應(yīng)變可大幅度調(diào)控反鐵磁磁矩朝向，且在大的拉應(yīng)變作用下反鐵磁磁矩朝向與鐵電極化的垂直關(guān)系被打破，結(jié)合第一性原理揭示應(yīng)變對(duì)反鐵磁序的調(diào)控是由Dzyaloshinskii-Moriya（DM）相互作用和單離子各向異性間相互競(jìng)爭(zhēng)導(dǎo)致；該工作打破了之前一般認(rèn)為的Bi
哈爾濱工業(yè)大學(xué)
2021-04-14
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具有巨霍爾效應(yīng)的納米鐵磁金屬顆粒薄膜磁敏材料
本項(xiàng)目將巨霍爾效應(yīng)這一納米體系的新效應(yīng)應(yīng)用于器件領(lǐng)域，以納米鐵磁金屬顆粒薄膜替代現(xiàn)有霍爾器件的摻雜半導(dǎo)體活性層材料，是一個(gè)全新的技術(shù)，取得了多項(xiàng)具有原始創(chuàng)新性的技術(shù)成果，進(jìn)一步推進(jìn)了納米材料在新材料技術(shù)、電子信息技術(shù)等領(lǐng)域的應(yīng)用。相關(guān)成果已獲國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利授權(quán)九項(xiàng)。 納米鐵磁金屬顆粒薄膜霍爾器件具有的工作溫度寬、溫度穩(wěn)定性能優(yōu)異、抗核輻射等優(yōu)點(diǎn)，在微弱磁場(chǎng)探測(cè)、航天器的精確定位、導(dǎo)航以及軍事裝備等方面都具有十分重要的用途，市場(chǎng)前景廣闊。
南開(kāi)大學(xué)
2021-04-14
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具有碲鉬多層復(fù)合薄膜的碲化鎘太陽(yáng)電池
具有碲鉬多層復(fù)合薄膜的碲化鎘太陽(yáng)電池，屬于新能源材料與器件領(lǐng)域。這種太陽(yáng)電池采用一種碲鉬多層復(fù)合薄膜作為碲化鎘太陽(yáng)電池的無(wú)銅過(guò)渡層。一方面，由于過(guò)渡層具有碲的析出相，因此在碲化鎘退火后，無(wú)需采用濕法工藝獲得富碲層。如果采用干法工藝，也無(wú)需單獨(dú)沉積一碲層。另一方面，過(guò)渡層具有碲化鉬的主相，作為p型半導(dǎo)體，與碲化鎘價(jià)帶不連續(xù)很小，可起到很好的過(guò)渡作用，實(shí)現(xiàn)碲化鎘與金屬電極間的歐姆接觸。采用上述結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)電池，避免了化學(xué)腐蝕，實(shí)現(xiàn)了低電阻接觸，可有效提高太陽(yáng)電池的性能和改善器件的長(zhǎng)效穩(wěn)定性。
四川大學(xué)
2016-10-25
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多元硫系薄膜太陽(yáng)能電池關(guān)鍵技術(shù)研究
銅銦鎵硒CIGS是由銅、銦、鎵、硒等金屬元素組成的直接帶隙化合物半導(dǎo)體材料，其對(duì)可見(jiàn)光的吸收系數(shù)為所有薄膜電池材料中最高(104-105cm-1)。目前CIGS電池的光電轉(zhuǎn)化效率是各種薄膜太陽(yáng)能電池之首(19.9％)，接近于市場(chǎng)主流產(chǎn)品晶體硅太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率，而成本卻是其1/3。與高效率高成本的晶體硅太陽(yáng)能電池和低效率低成本的非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池相比，CIGS薄膜太陽(yáng)能電池以其性能穩(wěn)定、抗輻射能力強(qiáng)、光電轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)勢(shì)被國(guó)際上稱(chēng)為相當(dāng)具有潛力和下一代廉價(jià)的太陽(yáng)能電池，已成為光伏領(lǐng)域
南京大學(xué)
2021-04-14
高效率薄膜晶硅納米構(gòu)架柔性太陽(yáng)光伏項(xiàng)目
高性?xún)r(jià)比太陽(yáng)光伏電池技術(shù)，及其低成本規(guī)模化開(kāi)發(fā)應(yīng)用，是我國(guó)中長(zhǎng)期科技發(fā)展規(guī)劃中所框定的重點(diǎn)“能源領(lǐng)域”技術(shù)突破方向之一。新一代高性能柔性薄膜太陽(yáng)能電池為豐富光伏器件應(yīng)用和推廣太陽(yáng)能建筑一體化提供關(guān)鍵基礎(chǔ)，而其實(shí)現(xiàn)的核心技術(shù)在于制備高品質(zhì)、穩(wěn)定且低成本的柔性薄膜材料。本項(xiàng)目在可規(guī)模化應(yīng)用的柔性薄膜襯底上實(shí)現(xiàn)低溫晶硅薄膜外延生長(zhǎng)、分離轉(zhuǎn)移、器件優(yōu)化和先進(jìn)納米構(gòu)建框架等一系列核心技術(shù)。同時(shí)，通過(guò)融合和集成先進(jìn)納米構(gòu)建體系和材料性能調(diào)控，探索新一代高性?xún)r(jià)比薄膜光伏電池。
南京大學(xué)
2021-04-14
中山市鈣鈦礦薄膜光伏電池創(chuàng)新平臺(tái)
中山市鈣鈦礦薄膜光伏電池創(chuàng)新平臺(tái)是以程一兵院士及其團(tuán)隊(duì)在鈣鈦礦材料與薄膜太陽(yáng)能電池領(lǐng)域的技術(shù)儲(chǔ)備為基礎(chǔ),以推進(jìn)鈣鈦礦薄膜光伏產(chǎn)業(yè)化為目標(biāo)建立的科研開(kāi)發(fā)型基地。在鈣鈦礦光伏產(chǎn)業(yè)化技術(shù)開(kāi)發(fā)的同時(shí),注重結(jié)合中山市在燈飾、家居、裝備制造等領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè),服務(wù)中山市現(xiàn)有優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)。力爭(zhēng)中山本地孵化覆蓋鈣鈦礦光伏產(chǎn)業(yè)上、下游配套技術(shù)的高技術(shù)企業(yè),持續(xù)引進(jìn)和培養(yǎng)具有國(guó)際化視野的中、青年骨干力量,務(wù)實(shí)建設(shè)高水平的技術(shù)骨干和管理人才團(tuán)隊(duì)。以此在推動(dòng)鈣鈦礦薄膜光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展進(jìn)程的同時(shí),帶動(dòng)中山相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展,為當(dāng)?shù)仄髽I(yè)提供科研服務(wù),社會(huì)服務(wù)和有利的科技創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)平臺(tái)。
環(huán)境親和性更好、經(jīng)濟(jì)性更高的光伏產(chǎn)業(yè);
薄膜特性使得在建筑幕墻、車(chē)輛貼膜及表面涂層等方面具有廣闊前景;
由于其弱光發(fā)電特性,可深度融合家居、燈飾以及智能穿戴等產(chǎn)業(yè)。
中山艾尚智同信息科技有限公司
2021-11-01
PT100型號(hào)薄膜鉑電阻低溫溫度計(jì)PI封裝形式
北京錦正茂科技有限公司
2022-06-01
低成本非真空銅銦硒（CIGS）薄膜太陽(yáng)電池制造技術(shù)
CIGS 薄膜太陽(yáng)電池具有效率高，無(wú)衰退、抗幅射、壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)，采用非真空技術(shù)可以進(jìn)一步降低這種電池的成本，預(yù)計(jì)可達(dá)到0.3$/W。 本項(xiàng)目產(chǎn)品結(jié)構(gòu)為：襯底/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/ZnO:Al/Ni-Al；其中光吸收層 CIGS 薄膜為 p 型半導(dǎo)體，其表面貧 Cu 呈 n 型與緩沖層CdS 和 i-ZnO 共同成為 n 層，構(gòu)成淺埋式 p-n 結(jié)。太陽(yáng)光照射在電池上產(chǎn)生電子與空穴，被 p-n 結(jié)的自建電場(chǎng)分離，從而輸出電能。工藝流程：普通鈉鈣玻璃清洗→Mo 的濺射沉積→非真空法分步電沉積Cu-In-Ga 金屬預(yù)置層→快速加熱硒硫化處理（RTP）→化學(xué)水浴法沉積 CdS 或 ZnS→本征 ZnO 濺射沉積→ZnO:Al 透明導(dǎo)電膜的濺射沉積→Ni/Al 電極沉積，等。
南開(kāi)大學(xué)
2021-02-01