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這項(xiàng)研究首先建立了全球現(xiàn)代禾本科物種與氣候?qū)?yīng)關(guān)系數(shù)據(jù)集~1200萬條，發(fā)現(xiàn)~10°C等溫線是北美、東亞地區(qū)早熟禾亞科和黍亞科/虎尾草亞科分布的分界線，~400?mm等降水量線是北美、南非地區(qū)黍亞科和虎尾草亞科的分界線；同時(shí)發(fā)現(xiàn)各個(gè)大陸禾本科物種分布特征、氣候適應(yīng)區(qū)間有所不同，可能原因是區(qū)域氣候，地形和本地物種等非生物和生物因素造成的。

該研究揭示了我國主要麥區(qū)內(nèi)單個(gè)發(fā)病麥穗上鐮刀菌種群的多樣性，并進(jìn)一步分析發(fā)病麥穗上鐮刀菌的多樣性與毒素積累之間的關(guān)系。

太平洋水經(jīng)過白令海峽進(jìn)入北冰洋，同時(shí)帶來淡水和營養(yǎng)物質(zhì)，對于北冰洋的溫鹽結(jié)構(gòu)和生態(tài)系統(tǒng)有重要意義。

近日，東南大學(xué)物理學(xué)院王金蘭教授課題組與其合作者，德國不萊梅大學(xué)Thomas Frauenheim教授課題組及美國南加州大學(xué)Oleg V. Prezhdo教授在鈣鈦礦激發(fā)態(tài)動(dòng)力學(xué)方面取得重要進(jìn)展。

近日，西安交通大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院電子陶瓷與器件教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室任巍教授和牛剛教授團(tuán)隊(duì)利用機(jī)械剝離獲得少層二硫化鉬材料制備具有背柵結(jié)構(gòu)和納米級(jí)溝道長度的光電晶體管，實(shí)現(xiàn)了較高探測率(＞1013Jones)和響應(yīng)率(＞103A/W)。

凋亡囊泡可以維持體內(nèi)間充質(zhì)干細(xì)胞（Mesenchymal stem cell, MSC）及骨組織穩(wěn)態(tài)；并首次以骨質(zhì)疏松為例提出干細(xì)胞來源凋亡囊泡作為新的生物治療手段用于治療疾病。

構(gòu)建仿生嗅覺系統(tǒng)、通過分析呼出氣體的成分來識(shí)別早期的肺部纖維化病變。依據(jù)的理論基礎(chǔ)是人體新陳代謝的部分產(chǎn)物在肺泡通過氣體交換出現(xiàn)在呼出氣體中，所以呼出氣體中的成分可反映機(jī)體代謝和病理狀況。

成果簡介：氨式法 HCN 固定床反應(yīng)器是當(dāng)前應(yīng)用較多的由天然氣生成 HCN 的生成裝置，利用金屬鉑作催化劑，在 1600℃高溫下反應(yīng)合成 HCN。該反應(yīng)器 對反應(yīng)溫度、氣體純度、氣體配比和流速等都有很高的要求。國際上先進(jìn)的 氨式法反應(yīng)器的收率一般都在 78~82％，而國內(nèi)該種反應(yīng)器在 2000年之前的 收率基本都只有 45％左右，操作穩(wěn)定性差，存在一定的安全隱患。低收率造&nbs

在大面積柔性襯底上直接生長集成高品質(zhì)晶硅納米線溝道是突破高性能柔性電子邏輯、可穿戴傳感和顯示等應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)難點(diǎn)。然而，高品質(zhì)晶體溝道的獲得往往依賴高溫生長過程（>800 ℃）-- 這恰恰是柔性聚合物襯底（熔點(diǎn)<150 ℃）所無法承受的！為此，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院余林蔚教授、徐駿教授課題組基于自主創(chuàng)新的平面固-液-固（IPSLS）納米線生長模式（近期工作Refs. 1-4），探索了一種全新的“激光-液滴”自聚焦局域加熱生長策略，突破了傳統(tǒng)環(huán)境加熱技術(shù)的限制，利用柔性聚合物襯底（聚酰亞胺，PI）和金屬銦催化劑顆粒對特定激光（808 nm）輻照的高選擇性吸收差異，實(shí)現(xiàn)僅在液滴/納米線生長界面附近范圍的高效局部加熱，以驅(qū)動(dòng)晶硅納米線在柔性襯底上的超高速度生長：在不需要環(huán)境加熱的室溫“冷”環(huán)境下，其生長速度可以高達(dá)3.5 μm/s，比傳統(tǒng)加熱方式納米線生長速度提高了3個(gè)數(shù)量級(jí)。值得一提的是，即便在此高速生長過程中，IPSLS納米線的生長路徑依然可以被精確引導(dǎo)定位，并成功展示了豐富的線形調(diào)控能力。此外，由于納米金屬液滴具有極小的熱熔，通過調(diào)控激光照射時(shí)序，可以對納米線生長動(dòng)態(tài)過程進(jìn)行前所未有的精確調(diào)控（例如，對生長液滴實(shí)現(xiàn)瞬間“激活和冷卻”等操作），從而實(shí)現(xiàn)對超長納米線的精準(zhǔn)形貌/直徑編碼。基于此技術(shù)，成功在柔性PI襯底上生長高品質(zhì)納米線溝道，并制備了納米線場效應(yīng)晶體管（FET）器件，其電流開關(guān)比和亞閾值擺幅分別為>104和386 mV/dec。此“激光-液滴”選擇性加熱生長策略有望推廣應(yīng)用于：在各類大面積、低成本柔性襯底上的“冷”環(huán)境中，直接定位生長和集成高品質(zhì)晶硅納米線陣列，為推動(dòng)各種高性能柔性電子器件的規(guī)模化應(yīng)用提供關(guān)鍵的材料支撐和全新的技術(shù)路線。