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高等教育領(lǐng)域數(shù)字化綜合服務(wù)平臺(tái)
智能金屬元素分析儀的價(jià)格, 金牛元素分析儀
產(chǎn)品詳細(xì)介紹技術(shù)指標(biāo)：光電比色分析法；量程范圍：吸光度值0-1.99A 濃度值0-99.99％測(cè)量精度：符合GB223.3-5-88標(biāo)準(zhǔn)主要特點(diǎn)：儀器共設(shè)六個(gè)通道，每個(gè)通道可儲(chǔ)存多條工作曲線，每條工作曲線可檢測(cè)一種元素含量。采用高速，高精度的Ａ／Ｄ轉(zhuǎn)換技術(shù)，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換速度更快，測(cè)試精度更高。大容量的數(shù)據(jù)庫可方便用戶實(shí)時(shí)保存和查詢檢測(cè)結(jié)果。采用品牌電腦控制，臺(tái)式打印機(jī)打印檢測(cè)結(jié)果。金牛儀器服務(wù)承諾：1、所售化驗(yàn)儀器三包一年，終身服務(wù)，產(chǎn)品售后服務(wù)熱線電話24小時(shí)開通，定期回訪客戶； 2、免費(fèi)為客戶、代辦托運(yùn)化驗(yàn)儀器 ；3、免費(fèi)培訓(xùn)化驗(yàn)人員，現(xiàn)場(chǎng)培訓(xùn)或來公司培訓(xùn)均可；4、提供材料分析工藝，代辦化驗(yàn)儀器配套理化檢測(cè)設(shè)備和配件；協(xié)助籌建化驗(yàn)室 5、常年提供化驗(yàn)儀器所需各種配件(特制硅鉬粉、純錫粒、各種標(biāo)準(zhǔn)物質(zhì)、玻璃器皿、分析天平、添加劑等儀器所需的各種配件)。
南京金牛高速分析儀器有限公司
2021-08-23
蒙古財(cái)經(jīng)大學(xué).jpg){kind=logo}
“鏡湖一號(hào)”——“高校對(duì)外宣傳數(shù)據(jù)智能分析平臺(tái)”一體機(jī)
當(dāng)前，高校內(nèi)部學(xué)院、部門網(wǎng)站更新不及時(shí)，僵尸網(wǎng)站、發(fā)布內(nèi)容存在不規(guī)范用語、錯(cuò)別字等情況較為普遍，造成了很大的安全風(fēng)險(xiǎn)。由內(nèi)蒙古財(cái)經(jīng)大學(xué)自主開發(fā)的“鏡湖一號(hào)——高校對(duì)外宣傳數(shù)據(jù)智能分析平臺(tái)一體機(jī)”，很好的解決了上述出現(xiàn)的問題。同時(shí)，還具備了呈現(xiàn)學(xué)校對(duì)外宣傳數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)分析與挖掘的可視化態(tài)勢(shì)展現(xiàn)功能，支持大屏觀看和手機(jī)端查看。“鏡湖一號(hào)”基于高校對(duì)互聯(lián)網(wǎng)發(fā)布的各類數(shù)據(jù)，使用人工智能和大數(shù)據(jù)分析技術(shù)設(shè)計(jì)應(yīng)用模型，讓學(xué)校的管理者實(shí)時(shí)掌握數(shù)據(jù)動(dòng)態(tài)。
應(yīng)用場(chǎng)景及創(chuàng)新點(diǎn)：
1.監(jiān)控敏感信息泄露，展現(xiàn)處置狀態(tài)。
2.代替人工發(fā)現(xiàn)更新不及時(shí)、不到位的網(wǎng)站。
3.對(duì)比分析高校黨建態(tài)勢(shì)，同時(shí)展現(xiàn)學(xué)校內(nèi)部各部門黨建狀態(tài)和成果。
3.實(shí)時(shí)展示高校發(fā)布的宣傳數(shù)據(jù)態(tài)勢(shì)，分析出最受歡迎、熱門文章等。
4.平臺(tái)支持國產(chǎn)化平臺(tái)部署。
5.實(shí)現(xiàn)一體機(jī)快速部署。
內(nèi)蒙古財(cái)經(jīng)大學(xué)
2025-05-08
非水碳硫分析儀，非水碳硫分析儀器
產(chǎn)品詳細(xì)介紹南京固琦分析儀器制造有限公司專業(yè)制造各類非水碳硫分析儀，非水碳硫分析儀器，碳硫分析儀器，智能定硫儀，爐料分析儀，碳硫高速分析儀器，高智能碳硫分析儀器，南京碳硫分析儀，碳硫檢測(cè)儀，碳硫聯(lián)測(cè)分析儀, 化驗(yàn)室儀器，碳分析儀器，硫分析儀器，管式碳硫分析儀，管式碳硫儀，智能碳硫分析儀器，自動(dòng)分析儀器，智能化驗(yàn)儀器，智能分析儀器，快速碳硫分析儀、分析儀器，化驗(yàn)儀器，化驗(yàn)設(shè)備，不銹鋼成分測(cè)定儀,化學(xué)元素分析儀, 電化學(xué)分析儀,實(shí)驗(yàn)室分析儀器, 智能元素分析儀，微機(jī)元素分析儀，三元素分析儀器，可測(cè)定工業(yè)材料中碳、硫、錳、磷、硅、鎳、鉻、鉬、銅、鈦、鋅、釩、鎂、稀素的含量土等元素。儀器測(cè)量范圍廣、精度高，高、中、低檔齊全，并能接受用戶特殊定貨。廣泛應(yīng)用于鋼鐵分析儀器、冶金化驗(yàn)儀器、鑄造化驗(yàn)設(shè)備、機(jī)械分析儀器，化工分析儀器、礦山開發(fā)設(shè)備等行業(yè)及質(zhì)量監(jiān)督部門和大專院校。(http://www.gqfxy.com) 025-57357222 13851978239)。
南京固琦分析儀器制造有限公司
2021-08-23
便攜式看譜分析儀的價(jià)格, 南京金牛分析儀
產(chǎn)品詳細(xì)介紹用途：廣泛應(yīng)用于分析鋼鐵中Cr、Mn、Ti、V、W、Mo、Ni、Co等合金元素的定性和牌號(hào)分類，區(qū)分各種牌號(hào)的混料，控制混料非破壞性，即對(duì)被測(cè)工件無損傷，100%逐件對(duì)成批鋼鐵原材料或成型零件全數(shù)檢測(cè)。特點(diǎn)：儀器輕便，采用光柵色散元件，譜線清晰，明亮，分辨率高。一機(jī)兩用，室內(nèi)、室外都能工作。使用范圍廣，攜帶方便。適用于機(jī)械廠、軋鋼廠理化室對(duì)進(jìn)廠的鋼鐵原料和鋼坯的牌號(hào)進(jìn)行復(fù)雜，不受場(chǎng)地環(huán)境的限制。具有快速、準(zhǔn)確、靈活、簡(jiǎn)便的特點(diǎn)。
南京金牛高速分析儀器有限公司
2021-08-23
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寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅電力電子器件技術(shù)
寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅(SiC)材料是第三代半導(dǎo)體的典型代表之一，具有寬帶隙、高飽和電子漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率等突出優(yōu)點(diǎn)，能滿足下一代電力電子裝備對(duì)功率器件更大功率、更小體積和更惡劣條件下工作的要求，正逐步應(yīng)用于混合動(dòng)力車輛、電動(dòng)汽車、太陽能發(fā)電、列車牽引設(shè)備、高壓直流輸電設(shè)備以及艦艇、飛機(jī)等軍事設(shè)備的功率電子系統(tǒng)領(lǐng)域。與傳統(tǒng)硅功率器件相比，目前已實(shí)用化的SiC功率模塊可降低功耗50%以上，從而減少甚至取消冷卻系統(tǒng)，大幅度降低系統(tǒng)體積和重量，因此SiC功率器件也被譽(yù)為帶動(dòng)“新能源革命”的“綠色能源”器件。 本團(tuán)隊(duì)在SiC功率器件擊穿機(jī)理、SiC功率器件結(jié)終端技術(shù)、SiC新型器件結(jié)構(gòu)、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經(jīng)驗(yàn)，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設(shè)計(jì)與研制方案。目前基于國內(nèi)工藝平臺(tái)制作出1600V/2A-2500V/1A的SiC DMOS晶體管（圖1，有源區(qū)面積0.9mm2）；4000V/30A的SiC PiN二極管（圖2）；擊穿電壓>5000V的SiC JBS二極管（圖3）。 a b c 圖1 1.6-2.5kV SiC DMOS器件：(a)晶圓照片(b)正向IV測(cè)試曲線(c)反向擊穿電壓測(cè)試曲線 a b c 圖2 4kV/30A SiC PiN器件：(a)晶圓照片(b)正向?qū)y(cè)試曲線(c)反向擊穿電壓測(cè)試曲線 a b c 圖3 5kV SiC JBS器件：(a)顯微照片(b)正向?qū)y(cè)試曲線(c)反向擊穿電壓測(cè)試曲線
電子科技大學(xué)
2021-04-10
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一種基于全息波導(dǎo)的頭戴式顯示器件
本發(fā)明公開了一種基于全息波導(dǎo)的頭戴式顯示器件，該器件包括入耦合光柵（１）、左視場(chǎng)偏折光柵（２）、右視場(chǎng)偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、矩形波導(dǎo)（５）；入耦合光柵（１）、左視場(chǎng)偏折光柵（２）、右視場(chǎng)偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、貼附于矩形波導(dǎo)（５）的上表面或下表面；入耦合光柵（１）、左視場(chǎng)偏折光柵（２）、右視場(chǎng)偏折光柵（３）、出耦合光柵（４）、矩形波導(dǎo)（５）貼于上表面或下表面由出入瞳光線設(shè)計(jì)方向決定。本發(fā)明利用光瞳重塑方式解決了傳統(tǒng)二維擴(kuò)瞳方式產(chǎn)生的大視場(chǎng)角情況下的視場(chǎng)分離。
東南大學(xué)
2021-04-11
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高溫壓電振動(dòng)能量回收器件和高溫驅(qū)動(dòng)器
傳統(tǒng)PZT壓電陶瓷應(yīng)用廣泛，但在居里溫度較低，環(huán)境溫度較高時(shí)，PZT陶瓷樣品極易退極化。隨著壓電材料的應(yīng)用范圍的進(jìn)一步拓展，一些極端條件對(duì)壓電陶瓷的應(yīng)用提出了新的挑戰(zhàn)。北京大學(xué)工學(xué)院實(shí)驗(yàn)室利用高居里點(diǎn)的鈧酸鉍-鈦酸鉛壓電陶瓷制備了基于d31模式和d33模式的應(yīng)用于高溫環(huán)境中的壓電振動(dòng)能量回收器，器件可以穩(wěn)定地工作在150℃以上的高溫環(huán)境中。高溫下由于電疇被活化，器件的壓電系數(shù)和相應(yīng)的輸出功率比室溫時(shí)提高一倍以上。 與壓電能量回收器不同的是，壓電驅(qū)動(dòng)器是一種利用壓電效應(yīng)，將電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能實(shí)現(xiàn)納米級(jí)驅(qū)動(dòng)的器件，壓電驅(qū)動(dòng)器利用壓電材料的準(zhǔn)靜態(tài)逆壓電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)10微米至100微米的微小位移；同時(shí)，還可以利用壓電陶瓷的高溫諧振動(dòng)效應(yīng)制備高溫壓電馬達(dá)。
北京大學(xué)
2021-02-01
寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅電力電子器件技術(shù)
本團(tuán)隊(duì)在SiC功率器件擊穿機(jī)理、SiC功率器件結(jié)終端技術(shù)、SiC新型器件結(jié)構(gòu)、器件理論研究和器件研制等方面具有豐富經(jīng)驗(yàn)，能夠提供完整的大功率SiC電力電子器件的設(shè)計(jì)與研制方案。
電子科技大學(xué)
2021-04-10
院.jpg){kind=logo}
磁流體熱磁對(duì)流在電子器件散熱中的應(yīng)用
項(xiàng)目概況 針對(duì)小型化、集成化、高頻率和高運(yùn)算速度的電子器件，應(yīng)用磁流體的熱磁對(duì)流效應(yīng)，把磁流體作為新一代高效傳熱冷卻技術(shù)用于高密度高功率電子器件設(shè)備中。 主要特點(diǎn) 1. 選擇合適的外加磁場(chǎng)和屏蔽技術(shù)。 2．溫度區(qū)內(nèi)磁場(chǎng)梯度條件和粒子濃度的準(zhǔn)確控制 3．磁流體微型熱管散熱過程的磁場(chǎng)的準(zhǔn)確定位。 技術(shù)指標(biāo) 建立適合電子器件密集環(huán)境下適用磁流體散熱技術(shù)及相應(yīng)的磁場(chǎng)條件和屏蔽技術(shù)，提高了磁流體在磁場(chǎng)、熱場(chǎng)和重力場(chǎng)協(xié)同作用下的流動(dòng)傳熱效果。促進(jìn)節(jié)能環(huán)保技術(shù)的發(fā)展，達(dá)到節(jié)能減排的綠色材料應(yīng)用。市場(chǎng)前景 目前該項(xiàng)目已通過現(xiàn)場(chǎng)的工業(yè)化證明，散熱效果好，能達(dá)到電子器件冷卻要求，滿足工業(yè)生產(chǎn)的需求，在生產(chǎn)過程中無污染，無三廢排放。該項(xiàng)目可應(yīng)用于高密度、高功率電子器件密集環(huán)境下的散熱設(shè)備中，具有較好的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。
南京工程學(xué)院
2021-04-11
基于超陡擺幅器件的極低功耗物聯(lián)網(wǎng)芯片
隨著集成電路的發(fā)展，功耗問題越來越成為制約的瓶頸問題。特別是在即將到來的萬物互聯(lián)智能時(shí)代，物聯(lián)網(wǎng)、生物醫(yī)療、可穿戴設(shè)備和人工智能等新興領(lǐng)域更加追求極低功耗，尤其是極低靜態(tài)功耗。面向未來龐大的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)應(yīng)用的需求，極低功耗器件及其電路芯片受到越來越多的關(guān)注。受玻爾茲曼限制，傳統(tǒng)晶體管的亞閾擺幅存在理論極限，這一限制是阻礙器件功耗降低的關(guān)鍵因素，基于傳統(tǒng)CMOS晶體管的集成電路已經(jīng)無法滿足物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)等對(duì)極低功耗的需求。 本項(xiàng)目基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝研制新型超陡擺幅隧穿器件，并進(jìn)一步研發(fā)具有極低功耗的物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)芯片。新型超陡擺幅隧穿器件采用有別于傳統(tǒng)晶體管的量子帶帶隧穿機(jī)制，可突破亞閾擺幅極限，同時(shí)獲得比傳統(tǒng)晶體管低2個(gè)量級(jí)以上的關(guān)態(tài)電流性能，具備極其優(yōu)越的低靜態(tài)功耗性能。通過超陡亞閾擺幅器件及電路技術(shù)的研究和突破，可促進(jìn)我國物聯(lián)網(wǎng)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，顯著提高物聯(lián)網(wǎng)節(jié)點(diǎn)的工作時(shí)間，具有重要的應(yīng)用價(jià)值。
北京大學(xué)
2021-02-01