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氧化鎵襯底晶片● 大功率高能半導體器件：電磁軌道炮、艦載電磁彈射系統等● 日盲探測類：大火監測、雷達預警、近地空間通訊器件等● 高功率LED器件：高亮度、超大功率、科研考察探測設備等● 特高壓輸電、城市軌道及交通功率器件

碳化硅襯底晶片及其功率器件● 襯底晶片應用：高端照明、SiC外延片、GaN外延片、PSS襯底等● 新能源汽車應用：電動汽車電驅系統功率器件、充電樁功率器件等● 軍工應用：機載雷達通訊設備功率器件、微波通訊大功率器件等● 超高速集成電路：RFIC（射頻集成電路）、SOS 芯片、光通訊芯片、5G 技術等

產品詳細介紹壓電雙晶片的工作原理壓電雙晶片由兩片單晶片及一片玻璃纖維或碳纖維夾層所構成。由于壓電陶瓷片的逆壓電效應，當雙晶片上施加正向的電壓時，由于兩片壓電陶瓷具有相反的極化方向，兩個面上一邊的電場方向和極化方向相同，則同時另一面上的電場方向和極化方向相反，即一方做擴張振動，則另一方側則做收縮彎曲振動，使雙晶片的振幅發生很大的變化。產生位移。當施加負向電壓時,上下面上的陶瓷片振動情況均與上次相反。使用條件環境溫度：-10℃～+70℃(包含其它裝配過程及使用過程)；相對濕度：≤80%；工作電壓：45VDC至55VDC；最高頻率：不高于70Hz。注：該驅動片加載0/50VDC驅動電壓，雙向位移量H≥.80mm。

可以量產/nInP、GaSb 單晶片主要作為襯底材料外延生長各種微波器件用微結構外延材料 （如 HEMT、HBT）、大功率激光器等的多量子阱材料，中長波紅外探測器材料等， 其主要應用領域包括移動通信、衛星通信、導航、光纖通信、高效太陽能電池、夜 視、大氣監測、國防技術等。主要技術：2-4 英寸化合物半導體磷化銦(InP)、銻化 鎵（GaSb）和砷化銦（InAs）單晶生長和晶片加工技術。

關鍵工序生產的自動化 ① 粉碎（雷蒙磨）自動控制系統的研發   研制可對粉碎車間雷蒙磨振動下料、粉碎、氣流粗分工況進行實時監測、自動優化控制的自動監控系統。將雷蒙磨因堵塞停機造成的故障次數比現階段減少75%，且提高工效15%以上。    ② 氣流分級自動控制系統的研發   研制氣流分級機用自動控制系統，具備以下功能：可根據分級輪主機負載實時自動調節喂料速度、根據所設定的風壓值自動調整變頻器運行、根據生產工藝要求自動向企業綜合信息平臺實時發送生產工況參數。    ③ 提純工序實時檢測與信息管理系統的研發   開發可對提純缸、脫水機、烘干爐等主要設備工況進行實時監控的智能化監控儀設備。    ④ 水力分級自動控制系統的研發   研發水力分級設備用自動控制系統，可根據工藝曲線要求自動控制水流量。采用水泵變頻控制，變常規的高低液位控制為恒液位控制，液位控制精度達到0.3%；研制出料自動切換裝置，實現出料無人值守。 ⑤ SiC冶煉爐在線自動測控裝置的研發   研制SiC冶煉爐在線自動測控裝置，可按冶煉工藝和爐溫自動進行恒功率綜合優化控制，爐溫控制精度達到2.5級。成果已在工廠正常運行3年。獲得4項發明專利授權，5項軟件著作權授權 雷蒙磨粉碎自動檢測方法及裝置                   專利號：ZL200810020792.3 一種提高碳化硅微粉水溢流分級效率的精密控制方法 專利號：ZL200910035173.6 一種燃煤鍋爐能效監測方法                      專利號：ZL201110091483.7 陣列式LED照明燈具的中心區域溫度動態控制方法  專利號：ZL201210356239.3 一種經濟型燃煤鍋爐能效監測系統及方法           專利號：ZL201110292517.9 一種低冗余度高可靠性船舶發電機組智能測速裝置 專利號：ZL201110058228.2一種手機可遙控的總線型區域供熱計量管理系統 專利號：ZL201010134495.9

第三代半導體氮化鎵和碳化硅因其禁帶寬、穩定性好等優點，已廣泛應用于電子和光電子等領域。各種氮化鎵和碳化硅基器件是5G技術中的關鍵器件。將半導體晶片制成器件，其中的一個關鍵加工步驟是晶片表面的拋光。然而，氮化鎵和碳化硅的化學性質極其惰性，半導體工業目前常用的化學機械拋光方法無法對其實現高效加工。對此，我們從原理上創新發展了一種光電化學機械拋光技術，不僅可快速加工各種化學惰性半導體晶片（如:加工氮化鎵的材料去除速率可達1.2 μm/h，比目前的化學機械拋光的高約10倍），而且可加工出原子臺階結構的平滑表面。設備簡單，技術具有完全的自主知識產權。