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氧化鎵襯底晶片● 大功率高能半導(dǎo)體器件：電磁軌道炮、艦載電磁彈射系統(tǒng)等● 日盲探測(cè)類：大火監(jiān)測(cè)、雷達(dá)預(yù)警、近地空間通訊器件等● 高功率LED器件：高亮度、超大功率、科研考察探測(cè)設(shè)備等● 特高壓輸電、城市軌道及交通功率器件

碳化硅襯底晶片及其功率器件● 襯底晶片應(yīng)用：高端照明、SiC外延片、GaN外延片、PSS襯底等● 新能源汽車(chē)應(yīng)用：電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)功率器件、充電樁功率器件等● 軍工應(yīng)用：機(jī)載雷達(dá)通訊設(shè)備功率器件、微波通訊大功率器件等● 超高速集成電路：RFIC（射頻集成電路）、SOS 芯片、光通訊芯片、5G 技術(shù)等

產(chǎn)品詳細(xì)介紹壓電雙晶片的工作原理壓電雙晶片由兩片單晶片及一片玻璃纖維或碳纖維夾層所構(gòu)成。由于壓電陶瓷片的逆壓電效應(yīng)，當(dāng)雙晶片上施加正向的電壓時(shí)，由于兩片壓電陶瓷具有相反的極化方向，兩個(gè)面上一邊的電場(chǎng)方向和極化方向相同，則同時(shí)另一面上的電場(chǎng)方向和極化方向相反，即一方做擴(kuò)張振動(dòng)，則另一方側(cè)則做收縮彎曲振動(dòng)，使雙晶片的振幅發(fā)生很大的變化。產(chǎn)生位移。當(dāng)施加負(fù)向電壓時(shí),上下面上的陶瓷片振動(dòng)情況均與上次相反。使用條件環(huán)境溫度：-10℃～+70℃(包含其它裝配過(guò)程及使用過(guò)程)；相對(duì)濕度：≤80%；工作電壓：45VDC至55VDC；最高頻率：不高于70Hz。注：該驅(qū)動(dòng)片加載0/50VDC驅(qū)動(dòng)電壓，雙向位移量H≥.80mm。

可以量產(chǎn)/nInP、GaSb 單晶片主要作為襯底材料外延生長(zhǎng)各種微波器件用微結(jié)構(gòu)外延材料 （如 HEMT、HBT）、大功率激光器等的多量子阱材料，中長(zhǎng)波紅外探測(cè)器材料等， 其主要應(yīng)用領(lǐng)域包括移動(dòng)通信、衛(wèi)星通信、導(dǎo)航、光纖通信、高效太陽(yáng)能電池、夜 視、大氣監(jiān)測(cè)、國(guó)防技術(shù)等。主要技術(shù)：2-4 英寸化合物半導(dǎo)體磷化銦(InP)、銻化 鎵（GaSb）和砷化銦（InAs）單晶生長(zhǎng)和晶片加工技術(shù)。

關(guān)鍵工序生產(chǎn)的自動(dòng)化 ① 粉碎（雷蒙磨）自動(dòng)控制系統(tǒng)的研發(fā)   研制可對(duì)粉碎車(chē)間雷蒙磨振動(dòng)下料、粉碎、氣流粗分工況進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)、自動(dòng)優(yōu)化控制的自動(dòng)監(jiān)控系統(tǒng)。將雷蒙磨因堵塞停機(jī)造成的故障次數(shù)比現(xiàn)階段減少75%，且提高工效15%以上。    ② 氣流分級(jí)自動(dòng)控制系統(tǒng)的研發(fā)   研制氣流分級(jí)機(jī)用自動(dòng)控制系統(tǒng)，具備以下功能：可根據(jù)分級(jí)輪主機(jī)負(fù)載實(shí)時(shí)自動(dòng)調(diào)節(jié)喂料速度、根據(jù)所設(shè)定的風(fēng)壓值自動(dòng)調(diào)整變頻器運(yùn)行、根據(jù)生產(chǎn)工藝要求自動(dòng)向企業(yè)綜合信息平臺(tái)實(shí)時(shí)發(fā)送生產(chǎn)工況參數(shù)。    ③ 提純工序?qū)崟r(shí)檢測(cè)與信息管理系統(tǒng)的研發(fā)   開(kāi)發(fā)可對(duì)提純缸、脫水機(jī)、烘干爐等主要設(shè)備工況進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控的智能化監(jiān)控儀設(shè)備。    ④ 水力分級(jí)自動(dòng)控制系統(tǒng)的研發(fā)   研發(fā)水力分級(jí)設(shè)備用自動(dòng)控制系統(tǒng)，可根據(jù)工藝曲線要求自動(dòng)控制水流量。采用水泵變頻控制，變常規(guī)的高低液位控制為恒液位控制，液位控制精度達(dá)到0.3%；研制出料自動(dòng)切換裝置，實(shí)現(xiàn)出料無(wú)人值守。 ⑤ SiC冶煉爐在線自動(dòng)測(cè)控裝置的研發(fā)   研制SiC冶煉爐在線自動(dòng)測(cè)控裝置，可按冶煉工藝和爐溫自動(dòng)進(jìn)行恒功率綜合優(yōu)化控制，爐溫控制精度達(dá)到2.5級(jí)。成果已在工廠正常運(yùn)行3年。獲得4項(xiàng)發(fā)明專利授權(quán)，5項(xiàng)軟件著作權(quán)授權(quán) 雷蒙磨粉碎自動(dòng)檢測(cè)方法及裝置                   專利號(hào)：ZL200810020792.3 一種提高碳化硅微粉水溢流分級(jí)效率的精密控制方法 專利號(hào)：ZL200910035173.6 一種燃煤鍋爐能效監(jiān)測(cè)方法                      專利號(hào)：ZL201110091483.7 陣列式LED照明燈具的中心區(qū)域溫度動(dòng)態(tài)控制方法  專利號(hào)：ZL201210356239.3 一種經(jīng)濟(jì)型燃煤鍋爐能效監(jiān)測(cè)系統(tǒng)及方法           專利號(hào)：ZL201110292517.9 一種低冗余度高可靠性船舶發(fā)電機(jī)組智能測(cè)速裝置 專利號(hào)：ZL201110058228.2一種手機(jī)可遙控的總線型區(qū)域供熱計(jì)量管理系統(tǒng) 專利號(hào)：ZL201010134495.9

第三代半導(dǎo)體氮化鎵和碳化硅因其禁帶寬、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，已廣泛應(yīng)用于電子和光電子等領(lǐng)域。各種氮化鎵和碳化硅基器件是5G技術(shù)中的關(guān)鍵器件。將半導(dǎo)體晶片制成器件，其中的一個(gè)關(guān)鍵加工步驟是晶片表面的拋光。然而，氮化鎵和碳化硅的化學(xué)性質(zhì)極其惰性，半導(dǎo)體工業(yè)目前常用的化學(xué)機(jī)械拋光方法無(wú)法對(duì)其實(shí)現(xiàn)高效加工。對(duì)此，我們從原理上創(chuàng)新發(fā)展了一種光電化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)，不僅可快速加工各種化學(xué)惰性半導(dǎo)體晶片（如:加工氮化鎵的材料去除速率可達(dá)1.2 μm/h，比目前的化學(xué)機(jī)械拋光的高約10倍），而且可加工出原子臺(tái)階結(jié)構(gòu)的平滑表面。設(shè)備簡(jiǎn)單，技術(shù)具有完全的自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。