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單層半導(dǎo)體性過(guò)渡族金屬硫?qū)倩衔铮∕X2:MoS2, WS2等）是繼石墨烯之后備受關(guān)注的二維層狀材料。該類(lèi)材料具有優(yōu)異的電學(xué)性質(zhì)、強(qiáng)的光物相互作用、高效的催化特性等優(yōu)點(diǎn)，在光電子學(xué)器件、傳感器件、電催化產(chǎn)氫等領(lǐng)域具有非常廣闊的應(yīng)用前景。單層MX2材料的批量制備和高品質(zhì)轉(zhuǎn)移是關(guān)鍵的科學(xué)問(wèn)題。現(xiàn)有方法仍面臨著諸多重大挑戰(zhàn)，例如， 難以實(shí)現(xiàn)晶圓尺寸的層數(shù)均勻性、單晶疇區(qū)小、生長(zhǎng)速度緩慢、生長(zhǎng)襯底價(jià)格昂貴、轉(zhuǎn)移過(guò)程復(fù)雜、容易引入污染物等。 北京大學(xué)研發(fā)課題組是國(guó)內(nèi)較早開(kāi)展相關(guān)研究的課題組之一，在單層MX2材料的可控制備、精密表征和電催化產(chǎn)氫應(yīng)用方面取得了一系列重要進(jìn)展：基于范德華外延的機(jī)理，他們?cè)诰Ц衿ヅ涞脑颇富咨鲜状潍@得了厘米尺度均勻的單層MoS2(Nano Lett. 13, 3870 (2013))；在藍(lán)寶石上獲得了大疇區(qū)單層WS2(ACS Nano 7, 8963(2013))；發(fā)展了一種新型的金屬性箔材(Au箔)基底，實(shí)現(xiàn)了疇區(qū)尺寸可調(diào)單層MoS2的制備，借助STM/STS表征技術(shù)建立起了材料原子尺度的形貌/缺陷態(tài)、電子結(jié)構(gòu)和電催化析氫之間的構(gòu)效關(guān)系。

利用大面積高質(zhì)量的單層MoS2薄膜，對(duì)其施加了流體靜壓力并進(jìn)行光譜測(cè)量。結(jié)果表明單層MoS2在壓應(yīng)力的作用下，其熒光峰先以49.4 meV/GPa的壓力藍(lán)移，后以15.3 meV/GPa的壓力紅移，這對(duì)應(yīng)著直接-間接能帶結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變，轉(zhuǎn)變點(diǎn)壓力為1.9 GPa。

功率DMOS是一類(lèi)重要的新型功率器件，具控制電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高、可靠性好等優(yōu)點(diǎn)，因此廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、汽車(chē)電子、DC/DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大，目前在功率分立器件領(lǐng)域占據(jù)了最大的市場(chǎng)份額。本團(tuán)隊(duì)在功率DMOS器件的研究方面有豐富的技術(shù)積累，開(kāi)展了大量前沿性研究和產(chǎn)業(yè)化研究，目前本團(tuán)隊(duì)在功率DMOS領(lǐng)域累計(jì)授權(quán)發(fā)明專(zhuān)利超過(guò)50項(xiàng)，能夠量產(chǎn)的產(chǎn)品型號(hào)近百種。

已有樣品/nCMOS 研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新性地在high-k/InGaAs 界面插入極薄外延InP 層， 將high-k/InGaAs 的界面缺陷有效推移至high-k/InP 之間。通過(guò)采用多硫化氨[(NH4)2Sx]對(duì)InP 進(jìn)行表面鈍化處理并結(jié)合低溫原子層高k 介質(zhì)沉積技術(shù)，有效抑制了在介質(zhì)沉積以及金屬化后退火過(guò)程中的表面氧化和磷原子脫附效應(yīng)，成功將high-k/InP 界面的最低缺陷密度降低至2 × 1011 cm-2eV-1 ， 有效克服了

已有樣品/n在主流硅基FinFET集成工藝基礎(chǔ)上，通過(guò)高級(jí)刻蝕技術(shù)形成體硅絕緣硅Fin和高k金屬柵取代柵工藝中選擇腐蝕SiO2相結(jié)合，最終形成全隔離硅基環(huán)柵納米線MOS器件的新方法。并在取代柵中絕緣硅Fin釋放之后，采用氧化和氫氣退火兩種工藝分別將隔離的“多邊形硅Fin”轉(zhuǎn)化成“倒水滴形”和“圓形”兩種納米線結(jié)構(gòu)。

組蛋白甲基轉(zhuǎn)移酶（EZH2）因其功能異常導(dǎo)致腫瘤的發(fā)生發(fā)展而成為極具潛力的腫瘤治療靶點(diǎn)。目前EZH2抑制劑僅抑制自身甲基轉(zhuǎn)移酶活性，無(wú)力應(yīng)對(duì)其非催化功能驅(qū)動(dòng)的致癌活性。研發(fā)靶向EZH2的蛋白質(zhì)水解靶向嵌合體(PROTAC)分子以及分子膠，以實(shí)現(xiàn)EZH2的致癌活性的完全阻斷并克服當(dāng)前雙功能嵌合型蛋白降解藥物成藥性不佳的問(wèn)題。 基于前期發(fā)現(xiàn)的EZH2降解劑的基礎(chǔ)，通過(guò)進(jìn)一步結(jié)構(gòu)優(yōu)化，發(fā)現(xiàn)具有良好EZH2 降解活性的PROTAC分子E7、E13和分子膠水ED6Y。其中E13是當(dāng)前分子量最小的EZH2靶向的PROTAC降解分子，并展現(xiàn)了良好的成藥性；ED6Y是機(jī)制新穎的EZH2單價(jià)降解劑。在神經(jīng)母細(xì)胞瘤、前列腺癌以及急性髓系白血病等惡性腫瘤中，EZH2可通過(guò)非甲基轉(zhuǎn)移酶活性，持續(xù)激活癌基因活性。E7、E13和ED6Y通過(guò)誘導(dǎo)EZH2蛋白降解實(shí)現(xiàn)完全抑制EZH2致癌活性，在臨床前藥效學(xué)研究中展現(xiàn)了優(yōu)越的抗腫瘤效果，并可誘導(dǎo)腫瘤免疫原性。EZH2蛋白降解藥物為EZH2依賴(lài)性腫瘤治療方法提供了新的策略。 EZH2降解藥物的市場(chǎng)前景廣闊，以神經(jīng)母細(xì)胞瘤為例，惡性程度高、疾病進(jìn)展迅猛且治療難度大，在兒童惡性腫瘤中約占8%至10%，死亡率15%。GD2單抗作為過(guò)去數(shù)十年唯一被批準(zhǔn)上市的用于神經(jīng)母細(xì)胞瘤的新藥，共有三款產(chǎn)品獲批上市，目前并沒(méi)有小分子化學(xué)藥物獲批上市。本項(xiàng)成果的成功將為以神經(jīng)母細(xì)胞瘤為代表的EZH2活化的腫瘤提供新穎的治療策略，將帶來(lái)良好的經(jīng)濟(jì)社會(huì)效益。

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適用范圍：     可用于農(nóng)業(yè)、林業(yè)、環(huán)保、地質(zhì)、化工、食品等部門(mén)以及高等院校、科研部門(mén)對(duì)植株、種子、飼料、食品、土壤、礦石等消化     儀器特點(diǎn)：*溫度可控，樣品還原性好。*加熱體（模塊）采用紅外加熱，石英管輻射，耐強(qiáng)酸強(qiáng)堿、防爆裂，壽命長(zhǎng)，符合CE標(biāo)準(zhǔn)*爐孔溫度和升溫速率連可調(diào)，升溫速度快且杜絕掛壁 *消化管受熱面積大、溫差小，樣品消化一致性好，熱效率高 *儀器具有過(guò)壓、過(guò)流、過(guò)熱等多重保護(hù)，實(shí)驗(yàn)操作安全可靠*采用雙開(kāi)關(guān)，電源和加熱單獨(dú)控制，便于安全參數(shù)設(shè)置，節(jié)約能源。*采用新一代數(shù)顯控溫儀，PID智能控制技術(shù)，控溫精度高。 *儀器有不銹鋼排污系統(tǒng)，使消化管內(nèi)逸出的SO2等有害氣體，通過(guò)排污管經(jīng)抽吸泵從水中排入下水道，有效地抑制有害氣體的外逸，消化管，消化架，冷卻架。 *整機(jī)采用放腐蝕處理，避免實(shí)驗(yàn)過(guò)程中酸性液體對(duì)機(jī)器的腐蝕； *可選配：樣品防爆器          液晶觸摸屏（可存儲(chǔ)實(shí)驗(yàn)方案5000組）          SF-100廢氣中和系統(tǒng)   技術(shù)參數(shù)：   型號(hào) SKD-08S2 SKD-20S2 SKD-18S2 SKD-48S2 不銹鋼排廢系統(tǒng) 有 有 排廢小漏斗 排廢小漏斗 控制方式 數(shù)控（定時(shí)+64階程序升溫） 加熱方式 紅外加熱，石英輻射 爐孔數(shù)量 8孔 20孔 18孔 48孔 控溫范圍 室溫-680℃ 室溫-680℃ 室溫-680℃ 室溫-680℃ 升溫速度 10分鐘（400℃） 20分鐘（400℃） 15分鐘（400℃） 25分鐘（400℃） 雙保溫層 硅酸鋁和空氣雙層保溫 溫度波動(dòng) ±1℃ 電壓 AC220V 功率 1600W 1950W 1600W 1950W 消化管尺寸 42mm*300mm 42mm*300mm 25mm*300mm 25mm*300mm 選配   液晶觸摸屏（可存儲(chǔ)實(shí)驗(yàn)方案5000組）     液晶觸摸屏（可存儲(chǔ)實(shí)驗(yàn)方案5000組）    

實(shí)驗(yàn)室電源，物理實(shí)驗(yàn)室電源，化學(xué)實(shí)驗(yàn)室電源，實(shí)驗(yàn)室學(xué)生電源 備注：以上是X-K2-2學(xué)生雙組電源的詳細(xì)信息，如果您對(duì)X-K2-2學(xué)生雙組電源的價(jià)格、型號(hào)、圖片有什么疑問(wèn)，請(qǐng)聯(lián)系我們獲取X-K2-2學(xué)生雙組電源的最新信息。 咨詢(xún)電話：0577-67473999