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北京科技大學特種陶瓷研究室開發出一種自蔓延反應燒結氮化硅/氮化硼復相可加工陶瓷材料，其應用前景極其廣闊。 Si和N2合成Si3N4反應的絕熱燃燒溫度高，體積有所增加，生成棒狀的b-Si3N4相相互交叉，提高了自蔓延反應燒結氮化硅多孔陶瓷的強度，但氮化硅加工性能差。h-BN陶瓷可加工性能好，但燒結性能差。本項目利用h-BN相在氮化硅陶瓷中形成弱界面，當加工時，弱界面上會形成微裂紋，并沿弱界面發生偏轉，耗散裂紋擴展的能量使裂紋擴展終止；當載荷繼續上升時，在下層的弱結合界面處將產生新的臨界裂紋再擴展；如此反復，使裂紋成為跳躍式階梯狀擴展，斷裂漸次發生而非瞬間脆斷，使氮化硅/氮化硼多孔陶瓷材料具有了好的可加工性能。 本項目原料中采用了一定比例的Si粉，比完全以Si3N4粉為原料的普通燒結工藝節約了原料成本。產品的基本工藝為自蔓延高溫合成（燃燒合成）工藝，在氣體高壓反應器中進行，燒結所需要的能量完全由原料自身放熱提供，與其他制備方法（常壓燒結、熱壓燒結、反應燒結）相比較，不需要高溫燒結爐長時間燒結，大大節省了能源。本項目工藝簡單，燒結速度快，效率高。可制作復雜形狀一維，二維的大尺寸陶瓷材料。抗彎強度已做到188MPa，材料可加工性能優良。 已獲中國發明專利《ZL 200610089013.6自蔓延反應燒結Si3N4/BN復相可加工陶瓷的方法》。

項目成果/簡介:福州大學化學學院/能源與環境光催化國家重點實驗室創新團隊的研究論文“Molecular-level insights on the reactive facet of carbon nitride single crystals photocatalysing overall water splitting”在國際頂級刊物《Nature Catalysis》在線發表。 氫氣由于其能量密度高，燃燒后生成水清潔無污染，是未來能源的理想載體。太陽能光催化分解水制氫氣被認為是獲取氫能源的理想途徑之一。開發高效廉價的光催化劑是光解水技術的核心。近年來，氮化碳光催化劑由于其制備工藝簡單，價格低廉，無毒無污染等優點，受到了廣泛的關注。 該工作以具有高結晶度的氮化碳光催化劑polytriazine imides（PTI）單晶為模型，研究了其在光催化全解水反應中的活性面。光催化全解水實驗表明，PTI的性能與其{10-10}/{0001}晶面的面積比呈近似線性關系，進一步證實了{10-10}晶面是光催化反應的活性面。此外，{10-10}晶面比例最大的光催化劑在全解水中的產氫與產氧速率分別達到了１８６μmol／h和９１μmol／h，在３６５ｎｍ單色光照下的量子效率達到了８％，高于之前報道的結果。該論文從分子尺度上研究了氮化碳光催化劑的反應活性面，為高性能氮化碳光催化劑的發展提供了重要的研究基礎。

福州大學化學學院/能源與環境光催化國家重點實驗室創新團隊的研究論文“Molecular-level insights on the reactive facet of carbon nitride single crystals photocatalysing overall water splitting”在國際頂級刊物《Nature Catalysis》在線發表。 氫氣由于其能量密度高，燃燒后生成水清潔無污染，是未來能源的理想載體。太陽能光催化分解水制氫氣被認為是獲取氫能源的理想途徑之一。開發高效廉價的光催化劑是光解水技術的核心。近年來，氮化碳光催化劑由于其制備工藝簡單，價格低廉，無毒無污染等優點，受到了廣泛的關注。 該工作以具有高結晶度的氮化碳光催化劑polytriazine imides（PTI）單晶為模型，研究了其在光催化全解水反應中的活性面。光催化全解水實驗表明，PTI的性能與其{10-10}/{0001}晶面的面積比呈近似線性關系，進一步證實了{10-10}晶面是光催化反應的活性面。此外，{10-10}晶面比例最大的光催化劑在全解水中的產氫與產氧速率分別達到了１８６μmol／h和９１μmol／h，在３６５ｎｍ單色光照下的量子效率達到了８％，高于之前報道的結果。該論文從分子尺度上研究了氮化碳光催化劑的反應活性面，為高性能氮化碳光催化劑的發展提供了重要的研究基礎。

1.項目簡介：本設計了一種制備結晶氮化碳薄膜的裝置，設有脈沖電弧放電的機構及電路，該電路由高壓和電弧產生電路組成；該機構包括基板和與之相連的電加熱器，設有半密封箱體，基板、電加熱器和電極位于半密封箱體腔內，基板位于電極的下方或四周，設有2條帶有控制閥的管道，分別通氮氣和溶液，其下端深入半密封箱體腔內，通溶液的管道下端出口處于電極的上方。該裝置能高效率、高質量地制備出結晶氮化碳薄膜，能方便地將結晶氮化碳薄膜涂層制備到管徑較小的管道內壁，從而有利于結晶氮化碳薄膜的推廣應用。項目已獲實用國家新型專利權。2.技術特點：該發明解決了氮化碳薄膜低溫常壓沉積的困難，而且提供了能高效率、高質量地制備結晶氮化碳薄膜的方法及裝置。與其它方法相比，該發明的顯著特點是：在常壓下合成的產品主要為結晶氮化碳薄膜；沉積速率快，在大氣環境下產生稠密的含碳、氮等離子體，從而提高了生產效率，利于推廣結晶氮化碳薄膜的應用。

已有樣品/n中科院半導體所是國內最早開展 GaN 基電子材料研發的單位，并一直在該領域起著引領、 示范和帶動作用。經過盡二十年的自主創新，攻克了 2 英寸和3英寸藍寶石、碳化硅和硅襯底上GaN 基電子材料外延生長的關鍵科學技術問題，在高阻 GaN 外延材料、高遷移率 GaN 外延材料、高遷移率 AlGaN/GaN 異質結結構材料等方面形成了系統的自主知識產權，設計并研制出了多種具有特色的 AlGaN/GaN 異質結構電子材料，并實現了批量供片。市場預期：該技術是采用金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）

易燃品/毒害品存儲柜（外鋼內PP系列）以合規、環境、健康、安全為產品理念，設計構造采用了外鋼內PP材質，解決了在危險化學品儲存過程中應具備防盜、防火、防靜電、通風、防腐、防泄漏、雙鎖管理、監測、調溫、防爆、防潮燈的防范安全措施，滿足了危化品儲存要求。本產品符合Q/320205XBB001-2014標準，具有防盜、阻燃、耐腐蝕、通風等功能。  

產品詳細介紹1.規格1840*900*510（mm)。 2.易燃品毒害品儲存柜外殼體全部采用1.5mm的冷軋鋼板，柜體底座采用2.0mm的冷軋鋼板,內外表面經酸洗磷化環氧樹脂粉末噴涂，烘熱固化處理。 3.易燃品毒害品儲存柜體內膽（上，下、左、右內襯板）全部采用實芯理化板或pp（聚丙烯樹脂）板；柜底部設置90*50*145mm進風口，進風口底部有不銹鋼可調風閥；柜體的底板中部有Φ10mm漏液孔，漏液孔上面蓋上60目304*不銹鋼網；柜體底部設h=160mm黃沙(防倒）擋板，柜體內部最下層留有可以存放不少于120mm厚黃沙的填埋腔，用于埋放金屬鈉、黃磷（白磷）等的易燃物品；柜底裝有四個Φ60mm的移動鋼輪，便于易燃品毒害品儲存柜移動；前輪后有2個手動調節羅桿，方便易燃品毒害品儲存柜定位。 4. 柜中部有3個三層階梯式的pp聚丙烯樹脂活動擱板 5. 柜頂部中間有Φ150mm出風口，柜頂風口內置一個AC220V、50HZ、0.18A軸流風機，最大風量326m3/h、轉速2550轉/min、環境溫度（-10~+70）℃，控制開關設置柜體頂部的右上角，當風機開機前要把柜門下面中間的進風口推置打開狀態。 6.保溫隔熱作用材料 柜體應填充具有保溫隔熱作用的材料應符合GB/T 11835-2007的要求，（密度100㎏/m3 ,厚度:40mm）。 7.密封件 柜體門與柜體之間應安裝防火膨脹密封件，密封件應符合GB 16807-2009的要求。（柜體門與柜體之間應安裝環保熱膨脹密封條。當溫度為150℃-180℃時密封條局部膨脹，溫度達到750℃時密封條全部膨脹，膨脹比例為1:5，以保證儲存藥品的安全性。） 8.機械鎖 存儲柜上安裝的磁鎖、機械密碼鎖等機械鎖應符合GA/T 73的要求。 9電子鎖 應符合GB 10409—2001中5.4的要求。 10.電源 應符合GB 10409-2001中5.5的要求。 11.附加裝置 應符合GB 10409-2001中5.6的要求。 12.柜體抗破壞要求 應符合GB 10409-2001中5.7條A1類防盜保險柜的要求。 13.通風控制裝置 14.1　柜體底部應設置進風口及可調風閥，可調風閥旋轉靈活，并能控制風量大小。 14.2　柜體應設置通風口，通風口最大風速應不小于0.5m/s。 14.3　應有配有微電腦定時時控開關，能根據用戶設定的時間自動打開和關閉風機，電源開關應有指示燈指示風機是否正常工作，可自動和手動控制。 14.4　通風管道口徑宜采用Φ160mm，通風管應耐高溫、阻燃、耐腐蝕，符合JGJ 141的要求。 15. 溫濕度控制報警裝置 柜體頂上應配置溫濕度控制器，對柜內相對溫濕度實時監控，數字顯示設定和測量值，柜內的溫濕度如超過設定的測量值即時報警提示。電源AC220V±10％50HZ,溫度啟控0~99.9℃（用戶設定），濕度啟控0~99.9％RH（用戶設定）。 16.特殊安全性要求 機械鎖鑰匙、電子密碼鎖密碼應由兩人分別保管，開啟時兩人應同時在場。

小試階段/n本發明專利采用一種新的合成方法制備了氮化硅或氮化硅/碳化硅粉體。與傳統制備方法相比，此工藝簡單，成本低，具有較大的市場前景，為非氧化物耐火材料原料的生產提供了一個新的思路。