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（專(zhuān)利號(hào)：ZL 201410008509.0） 簡(jiǎn)介：本發(fā)明公開(kāi)了一種用于鍍鋅板、鋁及銅合金表面處理的無(wú)鉻鈍化液，屬于金屬材料表面處理技術(shù)領(lǐng)域。該無(wú)鉻鈍化液的質(zhì)量百分比組成如下：雙（三乙醇胺）鈦酸二異丙酯0.5-15%、雙（二辛氧基焦磷酸酯基）乙撐鈦酸酯0.5-15%、三乙醇胺0.1-2%、醋酸銨0.1-5%、納米氧化硅0.01-2%、氟鈦酸0.1-5%、偏釩酸銨0.01-5%、余量水。本發(fā)明無(wú)鉻鈍化液的組分簡(jiǎn)單、產(chǎn)品環(huán)保及使用前無(wú)需預(yù)處

本發(fā)明公開(kāi)了一種適于用作有機(jī)染料催化劑的籠狀納米金銀合金的制備方法，其主要步驟以下：將海藻酸鈉水溶液和銀鹽水溶液混合，在攪拌條件下，控制反應(yīng)溫度為50 100℃，完全反應(yīng)10 180min；之后，加入氯金酸，控制反應(yīng)溫度為50 100℃，繼續(xù)反應(yīng)10 180min，即得；其中，銀鹽為硝酸銀、氯化銀或銀氨溶液中的一種或幾種的混合物，其與氯金酸的摩爾比為1︰1 10。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單、綠色環(huán)保，所制備出的納米金銀合金為籠狀結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定、活性高，不易聚集、可長(zhǎng)期儲(chǔ)存不變性；并具有很高的催化活性，可催化有機(jī)染料的降解與脫色，具有良好的市場(chǎng)前景。

南方科技大學(xué)材料科學(xué)與工程系助理教授任富增課題組提出通過(guò)調(diào)控合金界面結(jié)構(gòu)和化學(xué)成分實(shí)現(xiàn)超高耐磨性能的新策略。相關(guān)研究成果發(fā)表在金屬材料領(lǐng)域頂級(jí)期刊Acta Materialia上。該研究成果對(duì)服役于極端環(huán)境的新型高強(qiáng)耐磨合金設(shè)計(jì)提供了新思路，將有助于開(kāi)拓多主元合金在耐磨損領(lǐng)域的應(yīng)用，對(duì)設(shè)計(jì)用于嚴(yán)苛環(huán)境的高強(qiáng)度、耐磨損、熱穩(wěn)定合金具有一定意義，且為拓展界面相工程在多主元高熵合金領(lǐng)域的應(yīng)用挖掘了潛在研究方向。本研究中開(kāi)發(fā)出的TiMoNb合金除可用于高溫耐磨材料之外，其高強(qiáng)度、良好的生物相容性、耐腐蝕性使其在牙科、骨科等醫(yī)用植入材料領(lǐng)域亦有廣泛的應(yīng)用前景。

本發(fā)明公開(kāi)了一種非晶合金微細(xì)零件的制備方法，包括：將非晶合金所需的各種純金屬按比例配制成非晶合金原材料，并置于所述真空電弧吸鑄爐的真空熔腔內(nèi)；準(zhǔn)備用于制備非晶合金微細(xì)零件的硅模具，將該硅模具置于內(nèi)部型腔為通孔的銅模具中，并將所述銅模具置于真空電弧吸鑄爐的下型腔中；將真空熔腔抽真空并充入保護(hù)氣，對(duì)非晶合金原材料進(jìn)行熔煉，并通過(guò)降低銅模具內(nèi)的氣壓使熔煉后的非晶合金熔液通過(guò)所述通孔由真空熔腔吸入硅模具內(nèi)；脫模即可得到非晶合金微細(xì)零件。本發(fā)明還公開(kāi)一種非晶合金微細(xì)零件的制備裝置。本發(fā)明采用真空吸鑄，克服了非

項(xiàng)目簡(jiǎn)介 一種 690-730MPa 超高強(qiáng)度 80-100mm 淬透性鋁合金及其制備方法，其特征是所述的 鋁合金主要由鋁（Al）、鋅（Zn）、鎂（Mg）、銅（Cu）、鋯（Zr）和鍶（Sr）組成，其中， 鋅（Zn）的質(zhì)量百分比為 10.78～13.01%，鎂（Mg）的質(zhì)量百分比為 2.78～3.51%，銅（Cu） 的質(zhì)量百分比為 2.26～2.80%，鋯（Zr）的質(zhì)量百分比為 0.204～0.24%，鍶（Sr）的質(zhì)量 百分比為 0.0025～0.0751%，余量為鋁和少量雜質(zhì)元素。所述

集成電路是微電子技術(shù)的核心，與國(guó)防和國(guó)民經(jīng)濟(jì)現(xiàn)代化, 乃至人們的文化生活都息息相關(guān)。集成電路由芯片和框架經(jīng)封裝而成, 其中框架既是骨架又是半導(dǎo)體芯片與外界的聯(lián)接電路, 是芯片的散熱通道, 又是連結(jié)電路板的橋梁, 因此框架在集成電路器件和各組裝程序中占有極其重要的地位，目前，由于集成電路向高密度, 高集成化方向發(fā)展, 芯片的散熱問(wèn)題已成為突出矛盾。集成電路大規(guī)模和超大規(guī)模的迅速推進(jìn)，對(duì)集成電路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、輕、薄的要求，過(guò)去廣泛使用的鐵鎳42合金已不能滿足要求。而銅合金框架材料, 利用銅合金優(yōu)良的傳熱性能, 加入少量強(qiáng)化元素, 通過(guò)固溶強(qiáng)化和彌散強(qiáng)化提高其強(qiáng)度, 同時(shí)僅稍微損失導(dǎo)熱性能。目前，銅合金框架已成為主體，形成了中強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)中導(dǎo)、高強(qiáng)高導(dǎo)合金系列。以前，由于在合金的熔煉工藝、軋制和熱處理工藝以及板型控制等關(guān)鍵技術(shù)與國(guó)外先進(jìn)水平有較大差距，我國(guó)所使用的大規(guī)模集成電路引線框架材料長(zhǎng)期以來(lái)都是依靠進(jìn)口。目前，本課題組通過(guò)一系列研究，開(kāi)發(fā)了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Cu-Ni-Si系合金，并實(shí)現(xiàn)了Cu-Fe-P 系合金銅帶和異型帶的國(guó)產(chǎn)化大規(guī)模生產(chǎn)。 一、Cu-Ni-Si系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.導(dǎo)電率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系銅合金主要性能指標(biāo) 1.抗拉強(qiáng)度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.導(dǎo)電率：60～80%IACS。

本專(zhuān)利公開(kāi)了一種無(wú)氰離子的電鍍工藝，屬于材料表面處理領(lǐng)域。該工藝本專(zhuān)利是采取新的電鍍液，具有滲透性強(qiáng)、分散性好的特性。 鑄件在整個(gè)電鍍過(guò)程中，可以克服現(xiàn)有鑄鋼件電鍍工藝的所有缺陷，實(shí)現(xiàn)鑄件快速高效優(yōu)質(zhì)電鍍，該工藝具有鍍層厚度均勻、鍍層光澤度好、鍍層與鑄件結(jié)合力牢固、鍍層致密、鍍層抗氧化能力好的特點(diǎn)，鍍層的中性鹽霧化試驗(yàn)、酸霧化試驗(yàn)達(dá)到國(guó)家規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)（96小時(shí)無(wú)腐蝕點(diǎn)）。目前該項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)發(fā)展成熟，有很大的推廣應(yīng)用價(jià)值。通過(guò)X射線能譜儀分析鍍層的成分，具體分析譜圖見(jiàn)附件。

高強(qiáng)度鋁合金結(jié)構(gòu)強(qiáng)韌性差一直是困擾航空航天、高速列車(chē)等重大裝備的世紀(jì)難題。自從焊接技術(shù)發(fā)明以來(lái)，鋁合金熔焊結(jié)構(gòu)頻繁發(fā)生疲勞破壞，根源在于損傷演化機(jī)理不明。

三維（3D）親鋰集流體可以調(diào)節(jié)鋰金屬負(fù)極中鋰枝晶生長(zhǎng)，然而目前大部分集流體的親鋰層在高溫環(huán)境下使用熔融法預(yù)儲(chǔ)存鋰時(shí)面臨著熔化或脫落的挑戰(zhàn)。針對(duì)該問(wèn)題，鄧永紅研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)簡(jiǎn)單的去合金法制備了一種帶有親鋰鋅位點(diǎn)的3D多孔CuZn合金集流體。由于親鋰鋅位點(diǎn)以量子點(diǎn)的形式存在于CuZn合金中，熔融法預(yù)鋰化時(shí)親鋰鋅位點(diǎn)不僅不會(huì)融化與脫落，反而由于鋅對(duì)鋰具有強(qiáng)

本發(fā)明公開(kāi)了一種 3D 打印用金屬基陶瓷相增強(qiáng)合金工具鋼粉末 的制備方法，該合金工具鋼粉末所含元素及質(zhì)量百分含量為：C， 0.2-5％；Si，0.2-1％；Mn，0.1-1％；Ni，0.3-1％；Cr，3-25％；Mo， 0.2-15％；V，0.2-14.5％；W，0.3-15％；Co，1-18％；Nb，0.2-1％； 金屬基陶瓷相金屬元素，0.2-8％；鐵，余量，所述制備方法如下：1) 將原料混合粉末熔化；2)脫氧處理；3)脫硫