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本發(fā)明公開(kāi)了一種由納米聚合物中空粒子組成的多孔防反射薄膜的制備方法。它的步驟如下：1)將納米聚合物膠囊配制成質(zhì)量百分比濃度為3～7％的水分散液，通過(guò)勻膠機(jī)在基材表面進(jìn)行單面或雙面旋涂，形成含納米聚合物膠囊的薄膜；2)將上述含納米聚合物膠囊的薄膜經(jīng)真空高溫干燥，待薄膜中納米聚合物膠囊的核心材料完全揮發(fā)后，納米聚合物膠囊變成了納米聚合物中空粒子，得到由納米聚合物中空粒子組成的多孔防反射薄膜。本發(fā)明的制備工藝簡(jiǎn)單，通過(guò)改變納米聚合物膠囊水分散液的濃度和納米聚合物中空粒子的空腔體積分率可方便有效的調(diào)節(jié)多孔防反射薄膜的厚度和折光指數(shù)，且所制備的多孔防反射薄膜具有較高的機(jī)械強(qiáng)度和耐摩擦性能。

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于聚光系統(tǒng)的非成像二次反射鏡，其通過(guò)確定二次反射鏡的母線參數(shù)，使得其能夠?qū)⑷肷涞揭淮螔佄锩娴钠叫杏谳S線的光反射后匯聚到接收器上并形成均勻分布的圓斑，其特征在于，該非成像二次反射鏡為凸型的非成像二次反射鏡或凹型的非成像二次反射鏡，其中，所述凸型的非成像二次反射鏡設(shè)置在聚光系統(tǒng)的初級(jí)拋物面聚光器的焦點(diǎn)的上方，其曲面母線方程為：<mathsnum=""0001""><math>&l

項(xiàng)目成果/簡(jiǎn)介:水成膜膠體泡沫是將聚合物分散在水中，加入發(fā)泡劑并在氮?dú)獾淖饔孟掳l(fā)泡形成的復(fù)雜混合體系。經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后，在泡沫液膜內(nèi)，聚合物間相互交聯(lián)形成三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，構(gòu)成水成膜膠體泡沫的剛性骨架。防滅火水成膜膠體泡沫既具有凝膠的性質(zhì)，又具有泡沫的性質(zhì)，兼有注三相泡沫（注泥漿、注氮?dú)狻⒆上嗯菽⒆⒛z、注復(fù)合膠體的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)又克服了各自的不足，從而大大提高其防滅火效果。

納米金剛石的金剛石晶粒尺寸在100nm以下, 表面極其光滑平整, 摩擦系數(shù)極低(可小于0.05), 因此是十分理想的工具(模具)涂層和光學(xué)涂層材料, 同時(shí)在MEMs (微機(jī)電系統(tǒng))和高性能大屏幕(場(chǎng)發(fā)射)顯示技術(shù)等領(lǐng)域也有非常好的應(yīng)用前景。 本項(xiàng)目組采用微波等離子體CVD和 DC Arc Plasma Jet CVD兩種工藝方法, 在玻璃, 硅, 鉬和硬質(zhì)合金等襯底材料上成功制備了納米金剛石膜。 在玻璃襯底上制備的納米金剛石膜晶粒平均尺寸小于100 nm, 表面粗糙度小于Ra 5nm, 采用納米力學(xué)探針測(cè)量的顯微硬度高達(dá)8000kg/mm2, 在可見(jiàn)及近紅外區(qū)域具有非常好的透過(guò)特性, 紫外喇曼光譜(在新加坡國(guó)立南洋理工大學(xué)測(cè)試)顯示薄膜幾乎為純凈的金剛石納米晶粒組成。在其它襯底上的納米金剛石膜的組織結(jié)構(gòu)和性能測(cè)試正在進(jìn)行之中。 納米金剛石膜涂層硬質(zhì)合金工具: 其中最有前景的是納米金剛石膜涂層硬質(zhì)合金微型鉆頭; 納米金剛石膜涂層光學(xué)應(yīng)用: 包括諸如”永不磨損鉆石涂層玻璃表殼”和”永不磨損鉆石涂層玻璃眼鏡片”, 及ZnS, Ge, Si等重要紅外軍事光學(xué)材料的抗(雨滴、沙粒)沖刷涂層; 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMs)的微機(jī)械構(gòu)件: 如微型齒輪, 軸, 軸承等; 高性能大屏幕顯示器件

水成膜膠體泡沫是將聚合物分散在水中，加入發(fā)泡劑并在氮?dú)獾?作用下發(fā)泡形成的復(fù)雜混合體系。經(jīng)過(guò)一段時(shí)間后，在泡沫液膜內(nèi)， 聚合物間相互交聯(lián)形成三維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，構(gòu)成水成膜膠體泡沫的剛性骨架。防滅火水成膜膠體泡沫既具有凝膠的性質(zhì)，又具有泡沫的性質(zhì)， 兼有注三相泡沫（注泥漿、注氮?dú)狻⒆上嗯菽⒆⒛z、注復(fù)合 膠體的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)又克服了各自的不足，從而大大提高其防滅火效果。

本發(fā)明涉及以天然成分為原料，開(kāi)發(fā)一種能夠抑菌防腐和延長(zhǎng) 肉類產(chǎn)品保鮮期，具有一定粘稠度，可與肉類產(chǎn)品表面結(jié)合為一體的多功能液 態(tài)可食保鮮膜，噴涂于食品表面，對(duì)環(huán)境常在菌具有顯著的抑制作用，無(wú)毒無(wú) 害，且兼有保健和防偽（隱形標(biāo)簽）作用，已獲得國(guó)家發(fā)明專利。 技術(shù)優(yōu)點(diǎn)或者效益預(yù)測(cè):肉雞屠宰后按部位進(jìn)行分割，噴涂（或浸蘸）保鮮 膜液后裝入食品袋后密封，室溫冷卻編號(hào)，置于微溫(30~~40℃)和常溫 (20~~25℃)2 種條件下貯藏的保質(zhì)期可分別達(dá)到 3、7d。同時(shí)可標(biāo)識(shí)產(chǎn)品生產(chǎn)廠 家。有效防止肉類產(chǎn)品加工過(guò)程二次污染，從而延長(zhǎng)保鮮期，同時(shí)兼有產(chǎn)品防 偽標(biāo)識(shí)作用。應(yīng)用前景十分廣闊。 

該成果是原有的鋁反射激光全息防偽末的升級(jí)替換品。這種薄膜結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，僅有信 息層和基底層兩層組成。全息圖像以激光全息技術(shù)拍攝并用激光雕刻和電鑄手段，以光 柵條紋的形式復(fù)制到鎳質(zhì)金屬模版上。以金屬模版熱壓氣凝膠或有機(jī)高聚物聚氨酯涂層， 形成承載全息圖像的信息層，可在薄膜上再現(xiàn)全息圖像。

紫外探測(cè)技術(shù)是繼激光探測(cè)技術(shù)和紅外探測(cè)技術(shù)之后發(fā)展起來(lái)的又一軍民兩用光電探測(cè)技術(shù)。幾十年來(lái)，紫外探測(cè)技術(shù)已經(jīng)逐漸應(yīng)用于光譜分析、軍事、空間天文、環(huán)境監(jiān)測(cè)、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)用生物學(xué)等諸多領(lǐng)域，對(duì)現(xiàn)代科研、國(guó)防和人民生活都產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。特別是在先進(jìn)光譜儀器方面，國(guó)內(nèi)急迫需要響應(yīng)波段拓展到紫外的硅基成像器件。先進(jìn)光譜儀器是集光、機(jī)、電和計(jì)算機(jī)于一體，技術(shù)密集的高科技產(chǎn)品。它是現(xiàn)代科技必不可少的精密檢測(cè)和分析手段，是現(xiàn)代天文學(xué)、航空航天、分子生物學(xué)、現(xiàn)代醫(yī)學(xué)、環(huán)境和生態(tài)等新科技建立和發(fā)展的基礎(chǔ)。國(guó)家對(duì)發(fā)展先進(jìn)光譜儀器和研制光譜儀器用的探測(cè)器件非常重視，“十一五”國(guó)家科技支撐計(jì)劃專門設(shè)立了科學(xué)儀器設(shè)備研制與開(kāi)發(fā)專項(xiàng)“先進(jìn)大型光譜儀器的關(guān)鍵部件——高分辨分光器件和探測(cè)器件的研制”，技術(shù)人有幸成為承擔(dān)該課題的主要研究人員，負(fù)責(zé)高分辨探測(cè)器件的研制工作。 硅基成像器件如CCD和CMOS是最廣泛應(yīng)用的光電探測(cè)器，而且先進(jìn)的光譜儀器都采用了CCD或CMOS作為探測(cè)器件，這是因?yàn)镃CD和CMOS具有靈敏度高、低噪聲等優(yōu)點(diǎn)。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），一般的硅基成像器件如CCD、CMOS等都在紫外波段響應(yīng)很弱，這種很弱的紫外響應(yīng)限制了硅基成像器件在先進(jìn)光譜儀器及其他紫外波段探測(cè)方面的使用。 因此，本技術(shù)的研究成果硅基成像器件的紫外響應(yīng)增強(qiáng)薄膜是經(jīng)濟(jì)建設(shè)和社會(huì)發(fā)展迫切需要。 增強(qiáng)硅基成像器件的紫外響應(yīng)，目前有兩種方法：一是改變硅基探測(cè)器的結(jié)構(gòu)，如背照式CCD；另外一種是在現(xiàn)有的成像器件光敏窗口加鍍一層下變頻膜，把紫外光先轉(zhuǎn)化為可見(jiàn)光，然后再接收。國(guó)外自1980年起就開(kāi)始增強(qiáng)硅基探測(cè)器紫外響應(yīng)的下變頻薄膜研究，按使用材料的屬性，可以把變頻膜分為有機(jī)變頻膜和無(wú)機(jī)變頻膜兩種。有機(jī)變頻膜技術(shù)相對(duì)成熟，也有相關(guān)的專利出現(xiàn)。哈勃太空望遠(yuǎn)鏡CCD、星球相機(jī)（WFPC）CCD和Photometrics等公司提供的響應(yīng)波段延伸到紫外的CCD都是鍍的有機(jī)變頻膜。目前紫外增強(qiáng)有機(jī)變頻膜可使普通CCD的響應(yīng)波段延伸到200nm，Roper Scientific公司開(kāi)發(fā)的Metachrome II薄膜在120-430nm波段都具有良好的下變頻效果。有機(jī)變頻膜技術(shù)盡管成熟，但該類薄膜有著致命的缺點(diǎn)，那就是有機(jī)物分子在紫外輻射下降解速度很快。在照明度為1μW/cm2的光照下，有機(jī)分子以高達(dá)每小時(shí)3%的速率成指數(shù)降解。在這一方面，而無(wú)機(jī)變頻膜具有不可比擬的優(yōu)點(diǎn)。無(wú)機(jī)變頻膜材料可以在它使用期限的前2%時(shí)間里，減少90%的降解量，因此，無(wú)機(jī)變頻膜具有非常優(yōu)越的穩(wěn)定性。在無(wú)機(jī)變頻膜方面，國(guó)外研究也剛起步，最早的報(bào)道見(jiàn)于2003年[1]，目前尚無(wú)成熟的增強(qiáng)硅基成像器件的紫外無(wú)機(jī)變頻膜技術(shù)。國(guó)內(nèi)在有機(jī)和無(wú)機(jī)變頻膜方面，都沒(méi)有已見(jiàn)報(bào)道的研究工作。  為了提高探測(cè)器對(duì)紫外輻射的敏感性，我們采取了在硅基成像器件光敏窗口上鍍變頻膜的辦法，成功地使CCD及CMOS的響應(yīng)波段拓展到150nm。該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用在光譜分析、軍事、空間天文、環(huán)境監(jiān)測(cè)、工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)用生物學(xué)等諸多領(lǐng)域，對(duì)推動(dòng)國(guó)家的科研和產(chǎn)業(yè)在這些領(lǐng)域的發(fā)展有極大幫助。

通過(guò)使用鉛的條狀非公度相作為鉛膜和硅襯底的界面，用超高真空分子束外延技術(shù)成功制備出一種宏觀面積的、塞曼保護(hù)的新型二維超導(dǎo)體。系統(tǒng)的低溫強(qiáng)磁場(chǎng)實(shí)驗(yàn)表明，該體系的超導(dǎo)電性可存在于超過(guò)40特斯拉的平行強(qiáng)磁場(chǎng)中，這一數(shù)值遠(yuǎn)超過(guò)體系的泡利極限，是塞曼保護(hù)超導(dǎo)電性的直接證據(jù)。第一性原理計(jì)算結(jié)果也表明，條狀非公度相中特殊的晶格畸變會(huì)延伸至鉛膜中，從而在該體系中引入很強(qiáng)的塞曼自旋軌道耦合。同時(shí)，新的微觀理論也給出了強(qiáng)雜質(zhì)情形下各種自旋軌道耦合及散射效應(yīng)對(duì)二維超導(dǎo)臨界場(chǎng)的影響并定量地解釋了塞曼保護(hù)超導(dǎo)電性的物理機(jī)制。該工作表明，可以通過(guò)界面工程在中心反演對(duì)稱性保護(hù)的二維超導(dǎo)中引入面內(nèi)中心反演對(duì)稱性破缺，也即在二維晶體超導(dǎo)體系中人工引入塞曼保護(hù)的超導(dǎo)電性機(jī)制。這一結(jié)果預(yù)示出人們有望在二維超導(dǎo)體系中，通過(guò)界面調(diào)制發(fā)現(xiàn)新的非常規(guī)超導(dǎo)特性。這種宏觀尺度強(qiáng)自旋軌道耦合下的二維超導(dǎo)，也為拓?fù)涑瑢?dǎo)的探索提供了新的平臺(tái)，并為未來(lái)無(wú)耗散或低耗散量子器件的設(shè)計(jì)與集成奠定了基礎(chǔ)。圖 (a) 脈沖強(qiáng)磁場(chǎng)實(shí)驗(yàn)表明6個(gè)原子層厚鉛膜的超導(dǎo)電性在高達(dá)40 T的水平強(qiáng)場(chǎng)下仍不被破壞。(b) 臨界場(chǎng)隨溫度的關(guān)系與理論高度重合，有力地證明了超薄鉛膜中的塞曼自旋軌道耦合保護(hù)的超導(dǎo)電性。 (c) 對(duì)外延生長(zhǎng)于條狀非公度相（SIC）界面上的超薄鉛膜進(jìn)行磁阻測(cè)量的示意圖。

本技術(shù)采用耐高溫、酸堿等苛刻條件的陶瓷膜分離技術(shù)對(duì)退漿廢水進(jìn)行處理達(dá)到回用的目的。工藝包括：廢水儲(chǔ)槽、10倍濃縮膜設(shè)備、20倍濃縮膜設(shè)備、濃水處理系統(tǒng)等。本技術(shù)具有處理高COD負(fù)荷、強(qiáng)堿有機(jī)廢水的能力，并能有效回收廢水中的可利用物質(zhì)，膜過(guò)濾系統(tǒng)抗有機(jī)污染及再生能力強(qiáng)，系統(tǒng)整體維護(hù)成本低，使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)。該工藝水回收率能夠達(dá)到95%以上，回用水中主要含有燒堿、分散劑和精煉劑。濃水通過(guò)與酸反應(yīng)沉淀經(jīng)泥水分離器和帶式壓濾機(jī)進(jìn)行分離處理，濾餅進(jìn)行燃燒發(fā)電處理。該工藝達(dá)到了廢水的近零排放，降低了廢水處理成本