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納米粒子由于具有非常小的顆粒尺寸和大的比表面積，通常顯示出許多不同于常規(guī)塊體材料的電、磁、光和化學(xué)特性，在現(xiàn)代工業(yè)、國(guó)防和高技術(shù)發(fā)展中充當(dāng)著重要的角色。隨著科學(xué)技術(shù)的迅速發(fā)展，對(duì)材料性能的要求也越來(lái)越高，因此尋找一種可替代液相法的真空氣相法來(lái)獲得表面清潔納米粒子的制備技術(shù)是開(kāi)發(fā)具有優(yōu)異性能新型納米結(jié)構(gòu)材料的迫切要求。特別是納米粒子組裝復(fù)合薄膜材料由于具有傳統(tǒng)復(fù)合材料和現(xiàn)代納米材料兩者的優(yōu)越性，成為一個(gè)重要的前沿研究熱點(diǎn)，它有望將“傳統(tǒng)功能材料”通過(guò)“納米復(fù)合化”達(dá)到進(jìn)一步提高和拓展材料性能的目的。

主流硅基芯片CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)正面臨短溝道效應(yīng)等物理規(guī)律和制造成本的限制，需要開(kāi)發(fā)基于新材料和新原理的晶體管技術(shù)來(lái)延續(xù)摩爾定律。高遷移率二維半導(dǎo)體因其超薄的平面結(jié)構(gòu)和獨(dú)特的電子學(xué)性質(zhì)，有望成為“后摩爾時(shí)代”高性能電子器件和數(shù)字集成電路的理想溝道材料，進(jìn)一步縮小晶體管的尺寸和提高其性能。為滿足集成電路加工工藝和器件成品率對(duì)溝道材料的苛刻要求，二維半導(dǎo)體單晶薄膜的大面積制備尤為關(guān)鍵與重要。然而，現(xiàn)有二維半導(dǎo)體材料體系（過(guò)渡金屬硫族化合物、黑磷等）薄膜制備仍未滿足現(xiàn)實(shí)要求，因此亟需實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)二維半導(dǎo)體單晶薄膜制備技術(shù)的突破。 該研究瞄準(zhǔn)二維半導(dǎo)體材料的晶圓級(jí)單晶制備，率先實(shí)現(xiàn)了同時(shí)具有高電子遷移率、合適帶隙、環(huán)境穩(wěn)定的二維半導(dǎo)體（硒氧化鉍，Bi2O2Se)單晶晶圓的外延生長(zhǎng)。他們基于自主設(shè)計(jì)搭建的雙溫區(qū)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，在商用的鈣鈦礦單晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se與鈣鈦礦完美的晶格匹配性及較強(qiáng)的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圓級(jí)單晶薄膜。Bi2O2Se單晶薄膜在晶圓尺寸上表現(xiàn)出優(yōu)異的材料和電學(xué)均勻性，可被用于批量構(gòu)筑高性能場(chǎng)效應(yīng)晶體管。基于晶圓級(jí)二維Bi2O2Se單晶薄膜的標(biāo)準(zhǔn)頂柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管展現(xiàn)了高的室溫表觀遷移率（>150 cm2/V s）、大的電流開(kāi)關(guān)比（>105）和較高的開(kāi)態(tài)電流（45μA/μm）。相關(guān)成果發(fā)表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。

項(xiàng)目為一種超硬的非晶四面體碳（ta-c）薄膜的制備裝置和工藝，該薄膜具有極好的物理化學(xué)特性，在碳基薄膜中，是目前國(guó)際上公認(rèn)的SP3鍵含量最高，超過(guò)85%，特性最接近天然金剛石的薄膜，硬度達(dá)到HV≥85Gpa，可見(jiàn)光和紅外光透明，透光率達(dá)97%，吸收紫外光，達(dá)98%，薄膜均勻性好，薄膜平整度達(dá)0.2nm，摩擦系數(shù)≤0.08，電阻率達(dá)（1012Ω·cm），擊穿電壓3.5×106，（），熱導(dǎo)率18（）,密度3.5（g/cm3），薄膜致密耐腐蝕作用極好。 該項(xiàng)目可用于高精度專(zhuān)有刀具、模具和摩擦滑動(dòng)部件，提高使用壽命，減小摩擦，如手術(shù)和美容刀具、絲錐、PCB鉆、拉絲模、沖壓模具、壓縮機(jī)滑塊，滑動(dòng)環(huán)等；用于視窗、鏡片和傳感器表面，可防止劃傷，增強(qiáng)散熱，利于紅外光傳遞，等；用于激光透鏡，可提高損傷閾值；用于射線輻射測(cè)量傳感器，可抗射線輻射損傷，提高測(cè)量的靈敏度。

本實(shí)用新型提供了一種基于氯化綱水溶性薄膜的OLED器件，由下至上依次 包括透明陽(yáng)極IT。基底、氯化摑水溶性薄膜、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸 層、電子注入層和陰極,所述的氯化綱水溶性薄膜的制備方法包括以下步驟：步 驟一、將粉末狀的氯化錮溶解于去離子水中得到混合溶液；步驟二、將上述混合 溶液旋涂在ITO基底表面上，退火得到氯化綱水溶性薄膜。該結(jié)構(gòu)優(yōu)點(diǎn)在于:不 僅制備方法簡(jiǎn)單,成本彳氐廉,環(huán)境友好,而且能夠有效的提高陽(yáng)極界面載流子的 注入效率，提高OLED器件的光電性能。本實(shí)用新型屬于有機(jī)電致發(fā)光器件領(lǐng) 域，特別涉及一種基于氯化綱水溶性薄膜的OLED器件。

本項(xiàng)目屬敏感電子學(xué)與傳感器研究領(lǐng)域。主要圍繞電子聚合物納米氣敏薄膜調(diào)控與氣體傳感器敏感動(dòng)力學(xué)開(kāi)展了系統(tǒng)研究，在電子聚合物分子結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與合成、敏感聚合物有序薄膜聚集方法及性能調(diào)控機(jī)制、氣體傳感器敏感機(jī)理等方面取得了一系列創(chuàng)新性成果，為氣敏材料的設(shè)計(jì)與調(diào)控以及傳感器性能的改善提供了科學(xué)依據(jù)，開(kāi)拓了電子聚合物薄膜氣體傳感器新領(lǐng)域。發(fā)表SCI論文87篇，SCI他引839次，其中在國(guó)際化學(xué)傳感器權(quán)威期刊《Sensors and Actuators B》上發(fā)表論文16篇，受到了國(guó)內(nèi)外同行的高度評(píng)價(jià)和認(rèn)可。本項(xiàng)目

本發(fā)明公開(kāi)了一種自支撐 PEDOT-PSS 薄膜，包括質(zhì)量比為 3:7～ 15:2 的 PEDOT 以及 PSS，所述 PEDOT-PSS 薄膜的厚度為 1μm～50 μm，方塊電阻為 0.10Ω/sq～120Ω/sq，電導(dǎo)率為 210S/cm～1827S/cm。 本發(fā)明還公開(kāi)了該 PEDOT-PSS 薄膜的制備方法以及在光電子器件的 電極中的應(yīng)用。本發(fā)明制備所得的 PEDOT-PSS 薄膜具有良好的自支撐 性能以及導(dǎo)電性能，在光

BiFeO3薄膜反鐵磁序的研究是理解磁電耦合效應(yīng)和實(shí)現(xiàn)電場(chǎng)控制磁性的前提，然而觀測(cè)反鐵磁結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)手段有限，薄膜中多個(gè)鐵彈疇的存在進(jìn)一步使其分析更為困難。因此，BiFeO3薄膜反鐵磁結(jié)構(gòu)及其應(yīng)變調(diào)控的物理機(jī)制一直還存在爭(zhēng)議。 研究發(fā)現(xiàn)應(yīng)變可大幅度調(diào)控反鐵磁磁矩朝向，且在大的拉應(yīng)變作用下反鐵磁磁矩朝向與鐵電極化的垂直關(guān)系被打破，結(jié)合第一性原理揭示應(yīng)變對(duì)反鐵磁序的調(diào)控是由Dzyaloshinskii-Moriya（DM）相互作用和單離子各向異性間相互競(jìng)爭(zhēng)導(dǎo)致；該工作打破了之前一般認(rèn)為的Bi

本項(xiàng)目將巨霍爾效應(yīng)這一納米體系的新效應(yīng)應(yīng)用于器件領(lǐng)域，以納米鐵磁金屬顆粒薄膜替代現(xiàn)有霍爾器件的摻雜半導(dǎo)體活性層材料，是一個(gè)全新的技術(shù)，取得了多項(xiàng)具有原始創(chuàng)新性的技術(shù)成果，進(jìn)一步推進(jìn)了納米材料在新材料技術(shù)、電子信息技術(shù)等領(lǐng)域的應(yīng)用。相關(guān)成果已獲國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利授權(quán)九項(xiàng)。 納米鐵磁金屬顆粒薄膜霍爾器件具有的工作溫度寬、溫度穩(wěn)定性能優(yōu)異、抗核輻射等優(yōu)點(diǎn)，在微弱磁場(chǎng)探測(cè)、航天器的精確定位、導(dǎo)航以及軍事裝備等方面都具有十分重要的用途，市場(chǎng)前景廣闊。

具有碲鉬多層復(fù)合薄膜的碲化鎘太陽(yáng)電池，屬于新能源材料與器件領(lǐng)域。這種太陽(yáng)電池采用一種碲鉬多層復(fù)合薄膜作為碲化鎘太陽(yáng)電池的無(wú)銅過(guò)渡層。一方面，由于過(guò)渡層具有碲的析出相，因此在碲化鎘退火后，無(wú)需采用濕法工藝獲得富碲層。如果采用干法工藝，也無(wú)需單獨(dú)沉積一碲層。另一方面，過(guò)渡層具有碲化鉬的主相，作為p型半導(dǎo)體，與碲化鎘價(jià)帶不連續(xù)很小，可起到很好的過(guò)渡作用，實(shí)現(xiàn)碲化鎘與金屬電極間的歐姆接觸。采用上述結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)電池，避免了化學(xué)腐蝕，實(shí)現(xiàn)了低電阻接觸，可有效提高太陽(yáng)電池的性能和改善器件的長(zhǎng)效穩(wěn)定性。

銅銦鎵硒CIGS是由銅、銦、鎵、硒等金屬元素組成的直接帶隙化合物半導(dǎo)體材料，其對(duì)可見(jiàn)光的吸收系數(shù)為所有薄膜電池材料中最高(104-105cm-1)。目前CIGS電池的光電轉(zhuǎn)化效率是各種薄膜太陽(yáng)能電池之首(19.9％)，接近于市場(chǎng)主流產(chǎn)品晶體硅太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率，而成本卻是其1/3。與高效率高成本的晶體硅太陽(yáng)能電池和低效率低成本的非晶硅薄膜太陽(yáng)能電池相比，CIGS薄膜太陽(yáng)能電池以其性能穩(wěn)定、抗輻射能力強(qiáng)、光電轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)勢(shì)被國(guó)際上稱(chēng)為相當(dāng)具有潛力和下一代廉價(jià)的太陽(yáng)能電池，已成為光伏領(lǐng)域