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雙幻核132Sn（Z=50，N=82）附近由于實驗數據缺乏，人們對該區域殼結構是否會發生變化一直存在著爭論。因此，實驗上進一步研究該區域的殼演化特征，探討殼演化內在機制是一個非常重要而有趣的課題，對理解核天體物理中的快中子俘獲過程也有重要意義。圖1. 奇質量Ag同位素第一個1/2-態和9/2+態 圖2. (a) 理論計算的質子有效單粒子能能級差的系統性演化 曲線。(b) 中子在h11/2軌道的占據 近期，核物理與核技術國家重點實驗室的李智煥、華輝課題組和合作者在日本理化學研究所開展了對123Pd和125Pd核的β衰變實驗研究，首次在衰變子核123Ag和125Ag 的低激發能區發現了具有β放射性的同核異能態。利用新發現的同核異能態，討論了奇質量Ag同位素中由πg9/2 和 πp1/2兩個軌道形成的Z=40次閉殼能隙在N=82附近的演化（見圖1）。研究表明在N=82處，Z=40次閉殼能隙可能存在明顯的減小。為了進一步了解殼演化的微觀機制，使用包含了張量力的殼模型計算了這個質量區單粒子軌道的演化，結果顯示相比于N=50處，Z=40次閉殼能隙在N =82處存在明顯的減小，張量力對 Ag 同位素中πg9/2 和 πp1/2 軌道以及 Z=40 次閉殼能隙在接近 N=82 時的演化起到非常重要的作用（見圖2）。

設計并合成了氧、硫原子雙橋連的新型分子帶[8]cyclophenoxathiin，利用氧硫雜蒽結構單元的動態可彎折性克服分子帶合成的高張力問題；同時，通過氧、硫雜原子對大環分子帶的電子結構的調控，實現其作為分子“容器”的功能應用? 為了精準地獲得具有不同連接順序和空腔性質的氧硫雜分子帶，研究者采用了分步成環的控制合成策略，通過先成單橋大環，再橋連并環的方法，以較高的產率選擇性地獲得具有“碗狀”和“筒狀”的兩種分子帶。進一步研究表明碗狀的分子帶可通過多重C?H···S氫鍵的作用，分子間二聚形成膠囊型的分子“容器”。該二聚體不僅可以包合硝基苯等溶劑分子，而且對C60等富勒烯分子具有極強的選擇性絡合能力，結合常數高達3.6×109 M?2，展現出在富勒烯材料的提純與分離方面的應用潛力。而筒狀的分子帶可與環型結構的[2,2]環蕃分子相結合，形成獨特的“環套環”的超分子包合物。氧硫雜雙橋聯分子帶的可控合成、多樣結構及其豐富的主客體化學充分展示了雜原子摻雜分子帶的魅力，也為分子帶的設計和構筑提供了新的思路。

1.產品型號 AA-1800S六燈座單石墨爐原子吸收光譜儀AA-1800H六燈座火焰石墨爐一體原子吸收光譜儀AA-1800E八燈座火焰石墨爐一體原子吸收光譜儀 2.產品簡介 AA-1800型原子吸收光譜儀是由行業的專家和國內知名高校聯手研發完成，擁有幾十年光譜儀器的研發和應用經驗。該產品包括火焰、石墨爐及氫化物發生系統，可配置多種附件，靈活的配置方案可滿足不同層次客戶的需求。全自動多功能AA-1800型原子吸收光譜儀可進行復雜的樣品分析，多種分析方法可自動切換，做到無人全自動分析。AA-1800型原子吸收光譜儀廣泛應用于科研、質檢、疾控、環保、冶金、農林、化工等行業，創新的軟、硬件設計確保樣品分析的準確性、安全性、易用性，儀器維護簡單便捷。3.主要特點高精度全自動化光學系統色散率為1800條/毫米刻線大面積光柵，新型自準直單色器，所有鏡片均是石英鍍膜，寬廣的檢測范圍和光學穩定性確保了分析的精度。全自動6燈座配置6個獨立燈電源，可分別預熱；高分子霧化室高分子材料抗腐蝕霧化室，耐酸堿，包括氫氟酸，無論是有機或是無機溶液都能得到較好的靈敏度和穩定性；鈦燃燒器鈦燃燒器，可選配50mm和100mm燃燒器，空冷預混合型，耐腐蝕，耐高鹽，大幅度提高火焰的效率和火焰分析的準確度；全自動化分析能自動完成安全點火，熄滅和切換，結構可靠，故障率低，從而確保火焰法的靈敏度和重現性。光源系統六燈位平臺自動切換，可直接使用高性能空心陰極燈，提高火焰分析的靈敏度，自動調節供電參數和光束位置，全自動波長掃描和尋找波峰；石墨爐溫控內外氣雙重溫度控制，20階線性或非線性升溫，確保待測元素具有較好的靈敏度；爐內富集濃縮達20次，縱向光控監測石墨管內壁溫度，最高可升溫至3000℃/s.高技術指標AA-1800型原子吸收光譜儀元素測試靈敏度達到行業先進水平，靈敏度≤0.015μg/mL/1%；基線漂移小于0.003Abs/30m，穩定性優于0.005Abs/4h;背景校正系統采用氘空心陰極燈和自吸收扣背景進行背景校正，消除低含量測定時分子吸收的干擾，減少了氘燈的發射噪聲，延長了使用壽命，具有 較好的穩定性。氘燈背景信號為1A時，扣除背景能力＞50倍；智能化分析智能性非常強，人性化設計，火焰和石墨爐原子化器自動切換，石墨爐原子化器自動優化，自動設置調節火焰高度，自動點火，水平位置自動優化，系統自動設置氣體流量。如遇停電、誤操作、乙炔泄漏等，系統會自動啟動安全保護功能；自動進樣器與石墨爐一體化設計，采用高精度注射器，最低可進0.5μl樣品，具有智能化在線稀釋與濃縮功能。4.軟件功能強大的功能高智能軟件，功能強大，友好的中文操作界面。全自動儀器及附加控制，可自動優化，自動稀釋；鼠標操作，自動設定菜單數據和校正方法；測量數據可以實現動態顯示。標準曲線可以實現自動擬和；樣品測量準確：采用向導的方式對樣品進行設置，方便快捷；靈敏度校正功能：使測量的結果更為準確；數據共享方便快捷的數據共享數據處理：可對數據進行編輯保存；打印輸出：提供單元素與多元素分析的報告；對測量結果及儀器的條件進行打印；數據導出：數據導出功能實現了與其他系統的數據共享。數據處理測量方式 : 火焰法、石墨爐法、氫化物-原子吸收法   濃度計算方式 : 標準曲線法（1～3次曲線），自動擬合，標準加入法   重復測量次數 : 1-99次、計算平均值、給出標準偏差和相對標準偏差   結果打印 : 參數打印，數據結果打印，圖形打印，可導出WORD、EXCEL文檔

未來裝配式建筑構件若實現工業化、標準化和智能化制造，關鍵環節是要求構件成型模具拆裝靈活，便捷高效，可重復使用，并具通用性。高性能磁性固定器件就是為簡化預制混凝土構件模具安裝而設計開發的一種新型無損模具固定裝置，旨在解決傳統螺栓錨定對生產平臺的破壞性、難拆卸、通用性差的技術難題。

為了追求極限性能，越來越多的電子系統需要在低溫條件下工作。例如，在量子計算機、高性能傳感器、深空觀測以及一些經典信息處理系統中，通常使用工作溫度為2K甚至是mk溫區的低溫器件，從而在噪聲、速度和靈敏度等方面實現接近量子極限的性能。對于這一類低溫系統，信號讀取與處理通常采用兩種方式：第一種是采用超導數字電路SFQ（單磁通量子技術）來實現高性能計算和處理；第二種是將信號傳送至幾十K的溫區，再采用低溫CMOS技術對進行信號處理。然而，不論采用何種技術路徑，數字電路的功耗都必須控制在極小范圍之內，從而保持極低溫的工作環境，維持低溫器件的高性能。隨著應用需求的提高和低溫陣列器件規模的擴大，低溫電子系統性能受到信號處理和傳輸技術的制約，急切需要新的方案進行解決。 圖1. (a) 采用超導納米線結構實現的12門控或邏輯門；(b) 超導納米線數字編碼器芯片照片。針對此問題，南京大學吳培亨院士領導的超導電子學研究所團隊，趙清源教授和康琳教授課題組設計出新型多門控超導納米線邏輯器件(superconducting nanowire cryotron, nTron)，并利用此器件搭建經典二進制數字編碼器；在1.6K的溫度下，成功實現數字信息編碼，總功耗小于1微瓦(10-6瓦)。同時，他們還利用此編碼器對超導納米線單光子探測器陣列實現數字化讀出，為低溫陣列探測器的信號讀出和處理提供第三種解決方案。圖2. 超導納米線邏輯芯片實現對單光子探測器陣列的數字化讀取。半導體數字電路，經歷了從電子管、晶體管、混合集成電路至大規模集成電路的發展過程。每一代技術的升級變革，其核心推力都是基礎邏輯器件的更新換代。前沿技術領域對超導電子器件的應用需求，也正將超導電子技術推向數字化的發展時代。南京大學吳培亨院士團隊基于超導納米線技術，開展了新型超導邏輯器件(nTron)的研究工作。nTron為單層平面器件，利用局部超導相變，實現高速低功耗的開關邏輯。

① 酞菁納米材料制備。使用四苯氧基金屬酞菁，采用混合溶劑緩慢揮發的方法，得到一維的酞菁納米線；② 器件組裝。使用梳狀電極，將酞菁納米線搭在梳狀電極兩端，形成電路。得到的酞菁器件對 808 nm光敏感，可以迅速產生響應，恢復時間短，課重復響應。

在利用太陽能分解水制取氫氣的催化劑研究上取得新進展。該研究工作借鑒自然界光合作用，在多個光敏中心多個催化中心產氫器件構筑的基礎上，進一步將其植入到金屬有機框架材料中，模擬自然界酶催化環境中質子和電子的傳輸與轉移，在有效規避分子基催化劑穩定性差的同時，極大地提高了光催化產氫性能，為人工模擬光催化劑的設計和構筑提供了新的思路。? 人工模擬光合作用，利用太陽能在催化劑作用下分解水制取氫氣，是實現將太陽能轉化為清潔的化學能，解決人類社會面臨的能源危機和環境污染問題的理想途徑。在早期，我校化學學院蘇成勇教授和石建英副教授研究團隊發展了空間上相互獨立、功能上相互等價，集合8個光敏金屬有機釕中心和6個催化Pd2+中心于一體的金屬-有機分子籠產氫器件[Pd6(RuL3)8]28+(MOC-16)，在單一分子籠內構筑出多個相互獨立的能量傳遞和電子轉移通道，獲得了高達380 μmol h-1的初始產氫速率和635的TON(48h) [Nature Communications, 2016, 7: 13169]。雖然金屬有機分子籠提高了分子基催化劑的產氫性能，但光照條件下的穩定性仍然是制約其進一步應用的決定因素。       最近，我校化學學院蘇成勇教授和石建英副教授研究團隊又基于配位組裝策略實現了Au25(SG)18納米簇在金屬有機ZIF-8主體框架內部和外表面的可控組裝[Advanced Materials, 2018, 30,1704576]。采用相似策略，他們將MOC-16植入到ZIF-8主體內，進一步將ZIF-8轉化為Znx(MeIm)x(CO3)x (CZIF)，獲得了MOC-16@CZIF催化劑。

已有樣品/n在主流硅基FinFET集成工藝基礎上，通過高級刻蝕技術形成體硅絕緣硅Fin和高k金屬柵取代柵工藝中選擇腐蝕SiO2相結合，最終形成全隔離硅基環柵納米線MOS器件的新方法。并在取代柵中絕緣硅Fin釋放之后，采用氧化和氫氣退火兩種工藝分別將隔離的“多邊形硅Fin”轉化成“倒水滴形”和“圓形”兩種納米線結構。

已有樣品/n基于AlGaN/GaN異質結材料體系，通過采用導電機制融合和能帶分區調控的先進技術路線改變傳統氮化鎵肖特基二極管正向電壓與反向電流等參數之間的經典調控規律，采用無損傷工藝，提升了器件的均勻性和可靠性，進一步提升了氮化鎵肖特基二極管的性能。測試結果達到1700V反向耐壓，正向開啟電壓達到0.38V以及高防浪涌能力，為肖特基二極管器件市場提供了一種新選擇。

已有樣品/n通過石墨烯缺陷工程控制活性電極離子向阻變功能層中注入的路徑尺寸和數量，集中化/離散化陽離子基阻變器件中導電通路的分布來調控其穩定性,此工作是該領域首次在相同結構阻變器件中實現電流-保持特性的雙向調控，這種通用的基于二維材料阻擋概念的離子遷移調控方法，也能夠移植應用到離子電池，離子傳感等研究領域。