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成果介紹 核心技術(shù)包括三維光場渲染算法+微透鏡陣列，從顯示內(nèi)容到最終三維顯示的一站式裸眼3D解決方案，包括3D內(nèi)容制作、人機交互方案、超高清二維面板、微透鏡陣列、三維渲染芯片。 2.專利成果和論文 目前專利16項，包括14項發(fā)明專利授權(quán)和2項發(fā)明專利公開，SCI/EI論文5篇，方案100%自主化。

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新一代AI圖像增強技術(shù)，精準的3D形體識別； 支持手勢控制、實時3D掃描、實景測量、教室學情分析； 偵測到從物移動時，自動跟蹤移動軌跡，精準還原動態(tài)細節(jié)。

產(chǎn)品詳細介紹   產(chǎn)品簡介 利用PLA、ABS塑料，3D打印筆可以在任何表面“書寫”。無需電腦或電腦軟件支持，只要把它插上電，等一等就可以開始奇妙創(chuàng)作。它基于3D打印，擠出熱融的塑料，然后在空氣中迅速冷卻，最后固化成穩(wěn)定的狀態(tài)。賦予了無盡的創(chuàng)造力。只要幾個小時的練習，便能夠描畫出驚人的絢爛。

LED大尺寸屏幕的3D顯示方案已逐漸成為3D顯示的主流，奧拓電子具有豐富的LED顯示屏3D項目經(jīng)驗，海內(nèi)外成功案例眾多。 任意尺寸：高清/全高清/4K/8K分辨率輕易拼接 24bit顏色處理深度 逼真自然的畫面感、身臨其境的3D體驗 無需特殊顯示屏，奧拓在售LED系列配合奧拓控制系統(tǒng)均可實現(xiàn)3D顯示

多點交替進水階式A2/O工藝是東南大學借鑒UNITANK與A2/O的優(yōu)點，而研發(fā)的新型活性污泥脫氮除磷工藝。該工藝周期運行，連續(xù)、交替進水，連續(xù)出水，一體化設(shè)計，單獨設(shè)置專用的沉淀池。與普通活性污泥法相比，不設(shè)混合液回流設(shè)備，污泥少量回流。

本發(fā)明屬于納米薄膜材料制備技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種Fe2O3納米薄膜卷曲管的制備方法，利用電子束沉積鍍膜技術(shù)和納米膜卷曲技術(shù)，先制備單質(zhì)Fe的納米膜卷曲管結(jié)構(gòu)，然后在空氣氣氛下退火得到Fe2O3納米膜卷曲管；其制備工藝簡單，操作方便，原理科學，無污染，環(huán)境友好，能夠有效控制卷曲管的管壁厚度，制備的納米膜卷曲管長度能達到幾百微米。本發(fā)明在新能源、氣敏、催化、等領(lǐng)域具有重要用途。

小試階段/nβ-Sialon材料常用的工業(yè)合成方法是以高純的Si3N4、Al2O3、AlN和SiO2位原料通過高溫固相法合成，但由于該方法中原料價格昂貴導致過高的生產(chǎn)成本，進而限制β-Sialon材料的廣泛使用。目前合成β-Sialon材料的溫度較高和產(chǎn)品中雜質(zhì)較多。本專利旨在克服以上技術(shù)缺陷，目的是提供一種合成溫度低、工藝簡單和產(chǎn)品純度高的β-Sialon/Al2O3復合粉體的制備方法。本專利技術(shù)采用工業(yè)上易得的氧化鋁粉、硅粉和鋁粉為原料，通過一定的混合處理后，在1100-1300℃溫度下即可得到

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北京大學物理學院的賈爽研究員和中科院強磁場科學中心的張警蕾研究員、南方科技大學的盧海舟教授等組成的研究團隊對外爾半金屬材料TaAs等在強磁場下的磁性質(zhì)進行了深入研究。利用磁扭矩探測和平行磁化率探測技術(shù)，他們發(fā)現(xiàn)當外爾電子在強磁場下進入量子極限時，其橫向和縱向磁化率都表現(xiàn)出強烈的不飽和性。這一強磁場下的不飽和磁性與非相對論型的拓撲平庸電子呈現(xiàn)的飽和磁性截然相反，是相對論型的電子所獨具的指針性屬性。 由于各種拓撲電子材料的能帶對于包括自旋軌道耦合以及化學勢在內(nèi)的各種參數(shù)高度敏感，決定電子拓撲性質(zhì)的能量尺度可能小至毫電子伏特量級，因此通常的譜學測量如角分辨光電子譜等往往無法分辨能帶的細節(jié)。而普通的電輸運測量只能表征費米面的貝里曲率，無法區(qū)分相對論型的電子能帶是否存在能隙。這項對于拓撲電子材料的磁性研究，結(jié)合了理論計算與強磁場下的實驗表征，提出了探測相對論型的電子的一種決定性指針。該工作已在《自然?通訊》上發(fā)表 Nature Communications 10, 1028 (2019).Magnetic responses of the non-relativistic and relativistic fermions a, b, c, d: The energy bands of non-relativistic (parabolic-band) fermions; g, i, h, j: The energy bands of -relativistic fermions; e, f: Calculated parallel magnetization (M||) and effective transverse magnetization (MT) of non-relativistic fermions are saturated in strong magnetic field. k, l: Non-saturated M of relativistic fermions. 此項工作的通訊作者為賈爽研究員，中科院強磁場科學中心的張警蕾研究員和南方科技大學的盧海舟教授；第一作者為量子材料中心博士生張成龍和南方科技大學的王春明教授。同時，這項研究受到國家自然科學基金（No. U1832214, No.11774007）國家重點研究計劃（2018YFA0305601）以及中科院先導研究計劃（XDB28000000）等的支持。